11. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı - Department of Physics

XI. Yoğun Madde FiziğiAnkara Toplantısı75. YIL KONFERANS SALONU3 Aralık 2004Gazi ÜniversitesiFen Edebiyat FakültesiFizik BölümüTeknikokullar, Ankara 06500Düzenleme Kurulu:Prof. Dr. Atilla AYDINLI (Bilkent Üniversitesi)Prof. Dr. Yalçın ELERMAN (Ankara Üniversitesi)Prof. Dr. Şinasi ELLİALTIOĞLU (ODTÜ)Prof. Dr. Tezer FIRAT (Hacettepe Üniversitesi)Prof. Dr. Engin KENDİ (Hacettepe Üniversitesi)Prof. Dr. Süleyman ÖZÇELİK (Gazi Üniversitesi)

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARABu sayfa boş bırakılmıştır.2

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARASunuşBu doküman 3 Aralık 2004 tarihinde Gazi Üniversitesinde 75.yılkonferans salonunda yapılacak olan XI. Yoğun Madde Fiziği AnkaraToplantısında sunulan çağrılı, sözlü ve poster özetlerini içerir.Doküman içindeki tüm sunumlar sırasıyla çağrılı, sözlü ve postersunumlar olmak üzere üç gruba ayrılmıştır. Her grup içindeki sıralama ilkyazar soyadına göre alfabetik olarak yapılmıştır.Bazı özet sahipleri, özetleri ile birlikte anahtar kelime vermeyi uygungördüklerinden bu kelimeleri kapsayan dizin doküman sonundaoluşturulmuştur.Bu özet kitapçığına, PDF formatındahttp://www.fef.gazi.edu.tr/ymf11.html adresinden ulaşabilirsiniz.Toplantımıza verdikleri desteklerden dolayı Gazi Üniversitesi Rektörlüğüve G.Ü. Fen Edebiyat Fakültesi Dekanlığına teşekkür ederim.Toplantımıza gösterdiğiniz ilgiden dolayı siz değerli katılımcılarateşekkür eder, başarılar dilerim.XI. YMF Ankara ToplantısıDüzenleme Kurulu adınaProf. Dr. Süleyman ÖZÇELİKDökümanı hazırlayan: S. Bora LİŞESİVDİN 3

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAAli Doğan, Tahsin Özer ..........................................................................................................................56P22: Döteryum Molekülü İle Ni55 Atom Topağının Reaktif Olmayan Kanal .............................................57P. Durmuş*, S.Özçelik*, Z. Güvenç**.................................................................................................... 57P23: Ag2O Katkılı Bi-(Pb)-Sr-Ca-Cu-O Süperiletkenlerin Manyetik Tepkisi Ve Bazı SüperiletkenlikParametrelerinin Belirlenmesi ......................................................................................................................58İ.Düzgün1 , A.Öztürk2, İ. Karaca3, S. Çelebi2...................................................................................58P24: Bazı Elementlerin ( Ni ,Pt ) Termoelastik Özelliklerinin Moleküler Dinamik (MD) SimülasyonTekniği ile İncelenmesi................................................................................................................................. 59G. Ferah , K. Çolakoğlu..........................................................................................................................59P25: Ti-Eklenmiş MgB2/Cu Süperiletken Tellerin Düşük Alanlardaki Karakterizasyonu...........................60A. Gencer1,*, A.Kılıç1, N.Güçlü2, S.Okur3, L.Özyüzer3, İ.Belenli4..................................................... 60P26: Au/SnO2/n-Si (MIS) Yapıların Elektriksel Karakteristiklerine Frekans ve Radyasyonun Etkisi ..... 61M. Gökçen, A. Tataroğlu, Ş. Altındal......................................................................................................61P27: YBCO ve YBCO+ZnO Polikristal Süperiletkenlerinin Sertlik ve Elastik Modulünün SıcaklıkBağımlılığı......................................................................................................................................................62N. Güçlü1, U. Kölemen1, O. Uzun1, Y. Yoshino2 ve S. Çelebi3............................................................ 62P28: Alttaş Sıcaklığının Kimyasal Püskürtme Yöntemi ile Hazırlanan ZnO İnce Filmlerin Elektriksel veOptiksel Özellikleri Üzerine Etkisi............................................................................................................... 63T. Güngör, N. Kavasoğlu.........................................................................................................................63P29: İnce Filmlerin Optik Sabitlerinin Belirlenmesinde Genetik Algoritmanın Optik GeçirgenlikSpektrumuna Uygulanması............................................................................................................................ 64T. Güngör, B. Saka*............................................................................................................................... 64P30: Diiyodobis(3-piridin karboksiamit)çinko(II) and trans-diakuabis(piridin-2-karboksiamit)çinko(II)diyot bileşiklerinin kristal yapılarının incelenmesi.......................................................................................65S. Güven, H. Paşaoğlu ve O. Büyükgüngör............................................................................................ 65P31: LEC tekniği ile büyütülen GaSb yarıiletkeninde ‘nicel mobilite spektrum analiz’ tekniğininuygulaması .................................................................................................................................................... 66B. Y. Işık, A. Yıldız, S. Acar ve M. Kasap...............................................................................................66P32: Aynı şartlarda hazırlanan ve doğal olarak oksitlenmiş arayüzey yalıtkan tabakaya (SiO2) sahip Al/p-Si Schottky diyotlarının engel yüksekliğinin homojensizliği ....................................................................... 67H. Kanbur, A. Tataroğlu, Ş. Altındal...................................................................................................... 67P33: Al/SiOx/p-Si Schottky diyotlarda ilave kapasitans, seri direnç ve arayüzey durumların etkisi........... 68H. Kanbur, A. Tataroğlu, Ş. Altındal...................................................................................................... 68P34: LEC Tekniği ile Büyütülen S katkılı InAs Yarıiletkeninin Sıcaklık Bağımlı Magneto ve Elektronİletim Özellikleri.............................................................................................................................................69İ. Kara, S. B. Lişesivdin, S. Acar ve M. Kasap....................................................................................... 69P35: Nematik Sıvı Kristallerin Optiksel Yönelimi........................................................................................ 70R. Karapınar1, M. O’Neill2 ve S. M. Kelly3...........................................................................................70P36: Polimerik yapılı -siyano-disiyanonikelat(II)- -siyano-trans-bis[N- (hidroksietil) etilendiamin]kadmiyum(II)..................................................................................................................................................71G. Kaştaşa, H. Paşaoğlua A. Karadağb ve O. Büyükgüngöra...............................................................71P37: PrMn2-xNixGe2 Bileşiklerinin XRD, AC susceptibility ve DSC çalışması....................................... 72S. Kervana, A. Kılıçb, A. Gencerb...........................................................................................................72P38: LaMn2-xCoxGe2 Bileşiklerinin Düşük Magnetik Alan Karakterizasyonu ........................................ 73A. Kılıça, S. Kervanb, A. Gencera...........................................................................................................73P39: Gümüş Kılıflı ve Kılıfsız Yığın Bi-2223 Süperiletken Üzerine Soğuma Hızlarının Etkisi ................. 74A. Kılıç1, C. Terzioğlu2, Ö. Öztürk2, İ. Belenli2 ve A. Gencer1............................................................74P40: IV-VI Gurubuna ait Pb(1-x) SnxTe/BaF2’ nin elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi. 75A. İ. Kılıç, S. Acar M. Kasap ve S. Özçelik............................................................................................. 75P41: La0.62Bi0.05Ca0.33MnO3 Numunelerde Magnetokalorik Etki..........................................................76V.S. Kolat, S. Atalay, H. Gencer ve H.İ. Adıgüzel ................................................................................. 76P42: AlxGa1-xAs/GaAs Kuantum Kuyu Yapısının Büyütülmesi ve X-ışınları Difraksiyonu Ölçümleri.... 77S. Korçak, H. Gümüş, M.K. Öztürk, H. Altuntaş, A.İ. Kılıç, A. Bengi, T.S. Mamadov, S. Özçelik........77P43: Polipirol/P-Si/Al Diyotunda, Yaşlanmanın Etkisiyle Kaydedilen I-V Ölçümlerinin Değerlendirilmesi........................................................................................................................................................................78D.Korucu, M.Sağlam Ve A. Turut........................................................................................................... 78P44: MgB2 Süperiletken Numunesinin Derinlik Duyarlı Mikroçentik Deneylerindeki Yük-DerinlikVerilerinin Analizi..........................................................................................................................................79U. Kölemen1, O. Uzun1, M. Aksan2, O. Şahin3 ve N. Güçlü1..............................................................79P45: 3-Boyutlu Blume-Capel Modelde Soğutma Hızının Etkisi...................................................................80B. Kutlu, A. Özkan*, N. Seferoğlu**.......................................................................................................80P46: LEC tekniği ile büyütülen Te-katkılı InSb yarıiletkeninde galvanomagnetik ölçümler....................... 816

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAS. B. Lişesivdin, Ü. Yurdugül, S. Demirezen, S. Acar ve M. Kasap.......................................................81P47: Succinonitril - %7.5 Ağ. CBr4 Alaşımının Doğrusal Katılaştırılması ve Büyüme Hızı ile SıcaklıkGradyentinin Mikroyapı Parametrelerine Etkisinin İncelenmesi ..................................................................82N. Maraşlıa, K. Keşlioğlua, B. Arslana, H. Kayab ve E. Çadırlıb.........................................................82P48: Fe-%18Cr-%10Mn-%16Ni ve Fe-%18Cr-%12Ni-%2Mo Alaşımlarının Fonon Dispersiyonu........... 83M. Özduran1 , İ. Akgün2, G. Uğur2........................................................................................................83P49: Toz Kırınımı ile Yapı Belirlenmesi ve C23H20N4O3 Molekülünün Kristal Yapısının Toz KırınımıYöntemi ile İncelenmesi ................................................................................................................................84Ö.Özgen, E. Kendi, S. Koyunoğlu, A. Yeşilada, P. W. Stephens............................................................ 84P50: MnxMg1-xTiO3 Seyreltilmiş Antiferromagnet malzemesinin Yapısal ve Elektriksel Özellikleri.......85B. Özkurt, Atilla Coşkun, A. Ekicibil, B. Özçelik, K. Kıymaç.................................................................85P51: Yüksek Sıcaklık Süperiletkenlerinde Görülen Ac Kayıp Vadisinin Analizi.........................................86A.Öztürk1, U.Kölemen2, F.İnanır3, İ.Düzgün3, S.Çelebi1.................................................................... 86P52: Aşırı soğuk Fr izotoplarının elastik saçılması ...................................................................................... 87M. K. Öztürk ve S. Özçelik.......................................................................................................................87P53: Benzothiazol-2-yl-(4-dimethylamino-benzylidene)-amine molekülünün kristal yapısı.................... 88H. Saraçoğlu, N. Çalışkan, C. Davran, S. Soylu,H. Batı Ve O. Büyükgüngör.......................................88P54: InxGa1-xAs/GaAs(x=0,15) Süperörgüsü’ nün MBE’ de Büyütülmesi ve Bazı Elektriksel, OptikselÖzelliklerinin Belirlenmesi............................................................................................................................ 89B. Sarıkavak, H. Altuntaş, A. Bengi, T.S. Mamedov, S. Özçelik............................................................89P55: Katlı GaSe’nin Optik Anizotropisinin Fotoışıma ve FTIR spektroskopisi ile incelenmesi.................. 90A. Seyhan................................................................................................................................................. 90P56: CoSi2 Bileşiğinin Elektronik ve Titreşimsel Özellikleri....................................................................... 91F. Soyalp1 , G.Uğur1 ve H.M. Tütüncü2................................................................................................ 91P57: Au/SiO2/p-Si (MOS) Yapıların Elektriksel Özelliklerinin Frekans ve Sıcaklık Bağımlılığı ............ 92Adem Tataroğlu, Şemsettin Altındal ...................................................................................................... 92P58: 3-Feniltiyofen ve 3-(3, 4, 5-Triflorofenil) Tiyofen Moleküllerinin Yapısal, Elektronik ve LineerOlmayan Optik Özelliklerinin Teorik Olarak İncelenmesi............................................................................ 93P59: Kristal Bant Yapılar İçin Lame Potansiyel Modeli Ve Hamilton Jacobi Analizi..................................94Ö. Yeşiltaş*, M. Şimşek**....................................................................................................................... 94P60: Ayarlanabilir Optik Özelliklere Sahip Moleküler Kümeler: TTBC Kümelerinin Kontrol EdilebilirOluşumu Ve Eksitonik Özellikleri................................................................................................................. 95H. Yıldırım1, B. Birkan2, D. Gülen 1, S. Özçelik 3................................................................................95P61: 2-(N’-{4-[3-Metil-3-(2,4,6-Trimetil-Fenil)-Siklobütil]-Tiazol-2-Yl}-Hidrazinometil)-Benzen-1,4-DiolEtanol..................................................................................................................................................... 96Ç. Yüksektepe1, H. Saraçoğlu1, S. Soylu1, İ. Yılmaz2, A. Çukurovalı2, N. Çalışkan1......................... 96P62: Saf Cu(110) Kristalinin Ultraviole Ters–Fotoemisyon Spektroskopi Sonuçları...................................97O. Zeybek................................................................................................................................................. 97P63: Ultraviole Ters–Fotoemisyon Spektroskopi Metodu İle Cu(110) Kristali Üzerinde Na Filmlerininİşgal Edilmemiş Bölgedeki Elektron Yapısının İncelenmesi.........................................................................98O. Zeybek................................................................................................................................................. 98P64: m-Phenylenediamine Köprülü İki Çekirdekli Cu2(L-m-pda)22H2O, [L = 2-hydroxy-3-methoxybenzaldehyde)] Bakır(II) Kompleksinin Kristal Yapısı ve Magnetik Özelliklerinin Yarı-deneyselMoleküler Orbital Yöntemlerle Analizi......................................................................................................... 99C. T. Zeyreka, A. Elmalıb, Y. Elermanb .................................................................................................99Dizin....................................................................................................... 100Katılımcılar............................................................................................1027

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAProgram09:00 – 09:15 AçılışOturum Başkanı: Engin Kendi09:15 – 09:45 Ç0109:45 – 10:00 S0110:00 – 10:15 S0210:15 – 10:30 S0310:30 – 11:00 Çay ArasıOturum Başkanı: Arsin Aydınuran11:00 – 11:15 S0411:15 – 11:30 S0511:30 – 11:45 S0611:45 – 12:00 S0712:00 – 12:15 S0812:15 – 13:15 Yemek Arası (Kültür Merkezi)Oturum Başkanı: Raşit Turan13:15 – 13:45 Ç0213:45 – 14:00 S0914:00 – 14:15 S1014:15 – 14:30 S1114:30 – 14:45 S1214:45 – 15:00 S1315:00 – 15:30 Çay ArasıOturum Başkanı: Atilla Aydınlı15:30 – 16:00 Ç0316:00 – 16:15 S1416:15 – 16:30 S1516:30 – 16:45 S1616:45 – 17:00 S1717:00 – 17:15 S1817:15 – 17:30 S1917:30 – 17:45 Kapanış19:00 – 23:00 Akşam Yemeği (Kültür Merkezi)8

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAÇağrılı Sunumlar9

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAÇ01: II. Tip Süperiletkenlerde “Pinning” Mekanizması ve GirdapDinamiğiS. ÇelebiKaradeniz Teknik Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Trabzon61080Geçiş sıcaklığı (T c) denilen belirli bir sıcaklığın altında sıfır direnç ve mükemmeldiyamagnetizma davranışı gösteren ve bu sıcaklığın üzerinde normal iletken gibidavranan bir malzemeye süperiletken adı verilir. 1911 de keşfedilmiştir. Süperiletkeninnormal faza geçmeden taşıyabileceği maksimum akım yoğunluğuna, kritik akımyoğunluğu (J c) denir. Bu iki nicelik uygulanan alan arttıkça azalmaktadır. Dolayısı ilesüperiletkenlerin teknolojide uygulanabilirliği, geçiş sıcaklığı , kritik akım yoğunluğu veuygulanan alanla birlikte maliyetin optimize edilmesi ile mümkündür. Kritik akımyoğunluğu, süperiletkenlerde var olan kusurlardan (safsızlıklar, gözenekler,dislokasyonlar , tane sınırları vb) kaynaklanan çivileme (pinning) mekanizması iledoğrudan ilişkilidir. Böyle bir kusur girdapların serbest hareketini engeller (sınırlar) yanipinning yapar. Girdaba (vortex) uygulanan Lorentz kuvveti ,F L=J cxB, pinningkuvvetinden , F p , büyük olunca girdap hareket eder. Neticede düzenli bir girdap örgüsüyerine akı yoğunluğu gradyantını oluşturan bir girdap dağılımı söz konusu olur.Girdapçivilenmesi (vortex pinning) arttıkça;(i) girdapların hareketinden ileri gelen enerji kaybı azalır,(ii) Kritik akım yoğunluğu artar, ve(iii) magnetizasyon histeresizi genişler ve kalıcı (remnant) magnetizasyon artar.Bu ise magnet yapımında önemli bir özelliktir. Magnetler ise parçacıkhızlandırıcılarında ve Magnetik Rezonans Görüntülemede (MRI) kullanılmaktadır.Birçok teknolojik uygulama ile ilişkili olan pinning mekanizmasının yansıması , çeşitlideneysel ve teorik yöntemle ele alınacaktır. Teorik hesaplamalarda kritik hal modelleriMaxwell Denklemi ile birlikte kullanılarak deneysel verilere oldukça iyi uyumsağlanmıştır. Magnetizasyon , AC alınganlık, akı tuzaklanması, akı çizgilerinin kesişmesive çapraz akışı, magnetik zorlanım (magnetostriction) , ısıl işlemle ortaya çıkan gizlimagnetik moment gibi konular tartışılmaktadır.10

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAÇ02: Küçük Açı X-Işını Saçılması (SAXS) Yöntemi ve SinkrotronIşını UygulamalarıS. İdeHacettepe Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, 06800,Beytepe, ANKARAKüçük açı x-ışını saçılma tekniği, içeriğinde 1-1000 nm boyutlu oluşumlar içeren çeşitliörneklerinyapısını incelemede oldukça etkindir. Bu yöntemle jeller, sıvı kristaller, biyopolimerler,proteinler, nano-kompozit filmler, amorf malzemeler ve kas gibi biyolojik örneklerinyapıları ile, dış etkiler söz konusu olduğunda, yapı değişiklikleri kolaycaincelenebilmektedir [1-4]. Yöntemin uygulamalarında, bilinen olumlu özelliklerindendolayı, son on yıldır, sinkrotron ışınını yaygın olarak kullanılmakta ve kurulan demethatlarındaki deneysel donanımlar teknik açıdan, gün geçtikçe daha elverişli halegetirilmektedir. Böylece, çözeltilerde ve kısmi düzenli yapılarda, milisaniyenin altındahızla gelişen yapısal değişimler bile incelenebilmektedir.Bu sunumda, öncelikle, SAXS yöntemi hakkında temel bilgiler verilecek, ardındansinkrotron ışın kullanılarak yapılan güncel çalışmalardan bahsedilecektir [5]. ELETTRA-SAXS demet hattı ile kurulan işbirliği çerçevesinde başlatılan ve ön çalışmaları yapılmışbazı farklı projeler açıklanacaktır. Bu projelerde çalışan bilim adamlarının biyoloji,kimya, fizik, gıda, tıp, eczacılık gibi farklı bilimsel alanlarda hizmet vermesi, yöteminyaygın ve çok amaçlı kullanımına bir örnek oluşturmaktadır.TeşekkürSinkrotron ışını gerektiren projeler için maddi ve resmi destek sağlayan ICTP-TRILofisine, ELETTRA-SR merkezine, SAXS demet hattı çalışanlarına ve HacettepeÜniversitesine teşekkür ederim.Kaynaklar[1] W.Ruland,B.Smarsly, J.Appl.Cryst.(2004), 37, 575-584.[2] G.Beaucage,H.K.Kammler, S.E.Pratsinis, J.Appl.Cryst.(2004), 37, 643-651.[3] E.Mathew, A.Mirza, N. Menhart, J. Synchrotron Rad. (2004), 11, 314-318.[4] K.R.Rao, Current Science (2000) Vol. 79, No.7, 926.[5] Austrian Small Angle X-ray Scattering (SAXS) Beamline-ELETTRA, Annual Reports1997-2002.11

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAÇ03: İki seviye yaklasiminda problemlerT. HakioğluBilkent Universitesi, Fizik Bolumu1980'li yılların başlarından beri tam olarak kanıtlanmadan kullanılan çok seviyeli açık birkuantum sistemin yeterince düşük sıcaklıklarda iki seviyeli davranacağı varsayımınadayanan "iki seviyeli sistem yaklaşımı”ndaki problemler incelenecektir.12

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARASözlü Sunumlar13

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAS01: III-V Yarıiletkenlerinde Hall Karakterizasyonu için KantitatifMobilite Spektrum AnalizleriS. Acar ve M. KasapGazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 06500 Teknikokullar,Ankara, TürkiyeManyetik alan bağımlı (0-15 kG) özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri 14 - 350 K sıcaklıkaralığında yapıldı. Manyetik alan bağımlı Hall ve özdirenç ölçümlerinden, elektron vedeşik yoğunluklarını ve mobilitelerini elde etmek için Kantatif Mobilite Spektrum Analiztekniği III-V grup bulk yarıiletkenlerine uygulandı. Bu amaçla LEC tekniği ile büyütülenTe katkılı InSb, GaSb ve S katkılı InAs kullanıldı. Bireysel bant ve iletim parametreleribelirlendi. Te ve S katkısının elektron ve magneto iletime etkileri araştırıldı.Safsızlıkların InAs ve InSb yarıiletkenleri için sıcaklık bağımlı magnetoözdirenç’de ikiçukur oluşturduğu bulundu. GaSb yarıiletkeni için ise Г ve L iletkenlik bandı çukurlarıarasındaki enerji farkı hesaplandı.Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkürederiz.14

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAS02: a-Si 1-x:C x:H İnce Filmlerin Optik Sabitlerinin Karbon Oranı ileAyarlanabilmesiB. Akaoğlu, K. Sel, İ. Atılgan and B. KatırcıoğluFizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Ankara 06531, TürkiyeHidrojenlenmiş amorf silisyum karbon alaşımı (a-Si 1-xC x:H) ince filmler hidrojenleseyreltilmiş çeşitli etilen (C 2H 4) gaz oranlarında, 30 mW/cm 2 ve 90 mW/cm 2 güçyoğunluklarında, plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) sistemiyle camtabanlar üzerine büyütülmüştür. İlk olarak, Fourier dönüşümlü kızılötesi geçirgenlikspektroskopisi ile karbon ve hidrojen atomlarının bağlanma konumlanmaları ve filmiçindeki göreli yoğunlukları incelenmiştir. Ardından, görünür/mor ötesi geçirgenlikspektroskopisi ve bu tekniğe yönelik özel bir çözümleme yazılımı kullanılarakfilmlerdeki karbon oranının ve güç yoğunluğunun kırılma endisi, soğurma katsayısı(optik yasak enerji aralığı) ve Urbach parametrelerindeki etkileri belirlenmiştir. Buçalışmada, kırılma endisinin ve optik yasak enerji aralığının sadece filmlerdeki karbonoranı ile değiştiği ortaya konmuştur. Böylece karbon oranı ile bu parametrelerinuygulamaya göre istenildiği gibi ayarlanabileceği belirlenmiştir. Fakat, yüksek güçyoğunluğundaki filmlerde bulunan Urbach ve eğim parametreleri, yapıdaki artan birdüzensizliğe işaret etmektedir. Diğer bir deyişle, bu artan düzensizlik söz konusufilmlerin katkılanmasını ya da etkin katkılanmasını engelleyecek bir olumsuzluktur.Sonuç olarak, katkılanabilir filmler, büyüme hızını göreli olarak düşürse bile, yapıyı çokbozmayacak düşük güç yoğunluklarında büyütülmelidirler.15

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAS03: Makromoleküler Kristalografi’de X-Işınının Bozucu Etkileri’ninEnerjiye BağlılığıM.Aslantaş 1,2 , E.Kendi 1 , V.Stojanoff 21Fizik Mühendisliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Hacettepe Üniversitesi,06532 Beytepe, Ankara.2Brookhaven National Laboratory, National Synchrotron Light Source, Upton11973, NY, USA.Sinkrotron X-ışını kaynağı, makromoleküler kristal örneklerinin 3-boyutlu yapılarınıntayini ile birlikte biyolojik önemi ve fonksiyonlarının aydınlatılmasında çok önemli birrol oynamaktadır. Son yıllarda tasarlanan 3.nesil yüksek akılı X-ışını makromolekülerışın yollarının ve yeni deneysel tekniklerin geliştirilmesi, X-ışınına duyarlı ve kısaömürlü biyolojik örnekler üzerine önemli derecede bozucu etkilerini de arttırmaktadır.Kristalograflar, X-ışının makromoleküler kristal örnekleri üzerine bozucu etkilerinibirincil ve ikincil olmak üzere iki sınıfa ayırtmaktadırlar. Birincil bozucu etkiler X-ışınıenerjisine ve akısına, ikincil etkiler ise veri toplama süresine bağlıdır. Günümüzde bubozucu etkilerin anlaşılması ve önemli derecede azaltılması için birçok model veteknikler geliştirilmesine rağmen, yüksek enerjinin kullanılması ve olumlu etkileriüzerine yok denilebilecek kadar çalışma yapılmıştır.Bu nedenle, Sinkrotron X-ışınının makromoleküler kristal örnekleri üzerine doğrudanbozucu etkilerini araştırmak üzere 2. nesil Sinkrotron Laboratuarı NSLS (NationalSynchrotron Light Source) daki X6A ve X17B1 ışın yollarında ve 3.nesil SinkrotronLaboratuarı ESRF (European Synchrotron Radiation Facility) deki ID15 ışın yolunda X-ışını kırınım deneyleri yapılmıştır. Bu deneylerde, standart test kristal örneği olarak; odasıcaklığında Hanging Drop metodu ile kristalleştirilmiş, ağır atom türevli Lysozyme(HEWL) kristalleri kullanılarak X-ışını kırınım deneyleri, Erbium L III(8.4keV) ve K(57.4keV) absorpsiyon kenarlarında yapılarak alçak ve yüksek enerji deneylerinin birkarşılaştırmasını yapmak üzere, elde edilen X-ışını datalarının analizleri ve yapıçözümleri yapılmıştır.16

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAS04: Nd:YAG Puls Lazeri Aracılığıyla büyütülen Si oksitlerininYapısal, Kimyasal, Elektiksel ve Optiksel ÖzellikleriG. Aygun 1,* , E. Atanassova 2 , R. Turan 11Middle East Technical University, Ankara, Turkey2Institute of Solid State Physics, Bulgarian Academy of Sciences, Sofia 1784,Bulgaria* aygun@newton.physics.metu.edu.trNd:YAG lazerin 1064 nm pulsları ile O 2 gazı ortamında p-tipi (100) Si pullarıoksitlenmektedir. Lazer ile oksitlenerek elde edilen SiO 2 tabakalarının yapısal, kimyasal,dielektrik, ve elektriksel özellikleri, reflektans spektrası ve kırılma indisi incelenmiştir.Optiksel kalınlık ve kırılma indisi sonuçlarına göre, 3.36 J/cm 2 değerinden daha büyüklazer gücü ve kullanılan yüksek örnek sıcaklıklarında elde edilen filmlerin özelliklerinindaha iyi olduğu sonucu ortaya çıkarılmıştır. Buna rağmen, lazer oksitlemesi ile eldeedilen tabakaların kırılma indisi değerleri fırında ısıtılarak büyütülen oksitlerin kırılmaindisi değerinden daha küçüktür. XPS derinlik profil spektrası, oksitlenen tabakanınyüzeyinde stoichiometric SiO 2'nun etkin olduğunu ancak oksit tabakasının derinliklerineinildiğinde sub-oksitlerın görülmeye başladığını ve ara yüzeyde de (Si−SiO 2) suboksitlerinSiO 2’ya daha baskın olduklarını ortaya çıkarmaktadır. MOS kapasitör yapılarıaracılığıyla C-V ve G-V ölçümleri yapılmıştır. Ara yüzey durum yoğunluğu ve oksit yükyoğunluğu değerleri, ısıtılarak büyütülen oksit tabakasının elde edilen değerlerinden dahabüyüktür. Oksitleme parametrelerinin optimize edilmesi ve / veya oksitleme sonrasıfırınlama işlemleriyle, oksit kalitesi daha da iyileştirilebilir.17

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAS05: Tungsten (110) Yüzeyine Tutunmuş H Atomu ile COMolekülünün Çarpışmasında H-Yüzey Bağının Kopma Olasılığı:Klasik Yoldan İncelemesiÜ. Bayhan, M. Çivi*Hacettepe Üniversitesi, Eğitim Fakültesi, Ankara, Türkiye,ubayhan@hacettpe.edu.tr*Gazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Ankara, Türkiye, mcivi@gazi.edu.trCO (gaz) / H(ads) / Tungsten yüzey sisteminde çarpışma ile H-Yüzey bağının kopmaolasılığı klasik yolak yöntemi ile incelendi. İnceleme 0.1-2.0 eV çarpışma enerji aralığıve molekül-atom arasındaki etkin potansiyel de 0.2-6.2 eV aralığında gerçekleştirildi.18

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAS06: Au/n-GaAs Schottky Diyot Parametrelerinin H 2 Tavlamasına veSchottky Engel Metalinin Kalınlığına Bağlı DeğişimlerininİncelenmesiM. Biber, Ö. Güllü, A. TürütAtatürk Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 25240, Erzurum,TÜRKİYEBir yüzeyine ohmik kontak yapılmış n-tipi GaAs III-V yarıiletkeninin diğer yüzeyine,300C’de H 2 ortamında tavlandıktan sonra, vakum ortamında farklı kalınlıklarda (5, 25,50, 75 ve 100nm) Au buharlaştırılarak Au/n-GaAs Schottky kontaklar elde edilmiştir.Aynı kalıklara sahip olmak üzere H 2 tavlamasız Au/n-GaAs referans Schottky kontaklaryapılarak, H 2 tavlamasının ve Schottky engel metal kalınlığının, diyotların akım-voltaj vekapasite-voltaj karakteristikleri üzerine etkileri araştırılmıştır.19

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAS07: Mekanik Öğütme Yöntemi ile Fe 3O 4 Nanoparçacıkların Sentezive KarakterizasyonuM.M.Can, Ş. Özcan ve T. FıratFizik Mühendisliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Hacettepe Üniversitesi,Beytepe, 06800, ANKARAYapılan bu çalışmada, teknolojik uygulamada önem kazanan magnetik Fe 3O 4 (magnetite)nanoparçacıkların eldesi, bu parçacıkları sentezlenme yöntemi olan mekanik öğütmetekniğinin anlaşılması ve geliştirilmesi hedeflenmiştir. Mekanik öğütme tekniğikullanılarak, demir parçacıkları öğütülerek magnetite nanoparçacıkları sentezlenmiştir.Sentezleme sırasında, hazne hızı, öğütme süresi ve malzeme/bilye kütleleri oranı gibiparametrelerin magnetite nanoparçacıkların tanecik boyutuna ve faz oluşumuna etkileriirdelenmiştir. Öğütme sırasında dikkate alınan parametrelerden, sadece birinideğiştirilerek (diğerleri sabit kalmak koşulu ile) 10nm- 20 nm aralığında magnetitenanoparçacıkları elde edildiği deneysel olarak gözlenmiştir. Yapılan nanoyapıların yapıanalizi X-ışını toz kırınımı ile, malzemenin magnetik davranışı (histerisis eğrisi) titreşimliörnek magnetometresi (VSM) ile ve en son olarak ta parçacık büyüklüğü tünellemeelektron mikroskobu (TEM) ile elde edilmiştir.Yapılan çalışmada gözlemlenen diğer bir önemli bulgu olarak, parçacık büyüklüğü iledoyum manyetizasyonu ve artık mıknatıslanma arasında bir ilişki olduğununbelirlenmiştir.20

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAS08: Sm ve Gd Nadir-Toprak İyonlarının KatkılamasınınBi 1.7Pb 0.3Sr 2Ca 2-xRE xCu 3O 10+y Bileşiğinde Mıknatıslanma ve dM/dHDinamik Duygunluğu Üzerindeki Alan BağımlılığıA. Coşkun, A. Ekicibil, B. Özçelik, K. KıymaçÇukurova Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 01330, Balcalı,AdanaBi 1.7Pb 0.3Sr 2Ca 2-xRE xCu 3O 10+y (RE; Gd 0.01, Sm 0.03) malzemesi için yapılan magnetizasyonölçümleri magnetik alanın bir fonksiyonu olarak maksimum uygulanan alan 4kOealınarak T

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAS09: Gd 1-xEr xMn 6Sn 6 ve Gd 1-xTm xMn 6Sn 6 İntermetalik BileşiklerininMagnetik Faz Geçişlerinin İncelenmesiO. Çakır, A. Elmalı, I. Dinçer, Y. ElermanFizik Mühendisligi Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Ankara Üniversitesi, Besevler,AnkaraRMn 6Sn 6 seklindeki intermetalik bileşikler (R: nadir yer elementi) hekzagonal HfFe 6Ge 6tipinde kristalleşip uzay gurubu P6/mm’dir. Atomlar c ekseni boyunca – Mn-(R,Sn)-Mn-Sn-Sn-Sn-Mn seklinde sıralanırlar. Bu bileşiklerde R ve Mn olmak üzere iki farklı altörgü vardır. Magnetik yapı, bu iki alt örgünün etkileşmesi ile belirlenir. Düzlemler arasıMn momentleri Mn-Sn-Sn-Mn seklinde paralel sıralanırlar. R`nin Gd, Tb, Dy, Ho, Tmolmasına bağlı olarak, güçlü Mn-R antiferromagnetik çiftlenimi oluşur buda tüm sıcaklıkboyunca ferrimagnetik bir düzenlenişin oluşmasını sağlar. Eğer R; Sc, Y, Lu ise,RMn 6Sn 6 bileşiği antiferromagnetik düzenlenişe sahiptir.Gd 1-xEr xMn 6Sn 6 ve Gd 1-xTm xMn 6Sn 6 bileşikleri, x`in farklı değerleri için argon atmosferialtında arc fırınında üretilmiştir. Rigaku marka D-Max 220 model x-isini tozkırınımmetresi kullanılarak x-isini kırınım deneyleri yapılıp, Fullprof programı ile,örneklerin örgü parametreleri bulunmuştur. Elde edilen örnekler 50 Oe`lik düşükMagnetik alanda sıcaklığa bağlı olarak 5 K ile 350 K sıcaklık aralığında alan soğutmalı(FC) ve alan soğutmasız (ZFC) DC magnetizasyon ölcümleri alinmistir. Gd 1-xEr xMn 6Sn 6bilesiginde x= 0.8, Gd 1-xTm xMn 6Sn 6 bilesiginde ise x= 0.85 değerleri için farklı yüksekalanlarda sıcaklığın magnetizasyona bağlı ölçümleri alınıp, bu değerler için 20 kOe demetamagnetik faz geçişleri gözlenmiştir.ErMn 6Sn 6 bileşiği kompleks bir magnetik davranış göstermektedir. 352 K nin altındaantiferromagnetik olarak düzenlenip, 75 K`de ikinci magnetik faz geçişi gerçekleşir.TmMn 6Sn 6 bileşiğinde, 347 K ve 60 K` de olmak üzere iki farklı magnetik faz geçişivardir. 347`K nin altında Mn alt örgüsü antiferromagnetik olarak düzenlenir. 60 K`ninaltında ise Tm alt örgüsü de düzenlenerek yapı ferrimagnetizmaya gecer. GdMn6Sn6bileşiğinde Gd ve Mn alt örgülerinin anisotropileri kolay eksen boyuncadır. Gd tümsıcaklık boyunca düzenlenip, Mn alt örgüsü ile ferrimagnetik olarak çiftlenir. Gd 1-xEr xMn 6Sn 6 bileşiğinde x≤ 0.75, Gd 1-xTm xMn 6Sn 6 bileşiğinde x≤ 0.7 degerleri için, güçlüMn-Gd antiferromagnetik çiftlenimi bu iki alt örgü arasındaki düzenleniminferrimagnetik olmasına sebep olur. Mıknatıslanma eğrilerinde bu açıkça gözlenmektedir.Gd 1-xEr xMn 6Sn 6 bileşiğinde, x=0.8, Gd 1-xTm xMn 6Sn 6 bileşiğinde ise x=0.85 degerleriicin, daha zengin magnetik geçişler gözlenmiştir. Bu çalışmada iki nadir yer elementininyer değiştirmesi ile R elementine bagli olarak R-Mn ve Mn-Mn çiftlenimlerinin nasıldeğiştiği ve magnetik yapıda nasıl bir değişim olduğu incelenmiştir.22

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAS10: GaTe Tabakalı Yarıiletkeni Üzerinde İdeal Schottky DiyodYapılabilirliği: Al/GaTe/In Yapısının Elektriksel KarakterizasyonuH. EfeoğluAtatürk Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektrik-Elektronik MühendisliğiBölümü, 25240 ErzurumYarıiletkenler üzerinde oluşturulan Schottky diyod (SB) yapılar günümüz teknolojisindepek çok uygulama alanı bulmasına rağmen mevcut teoriler ile taşıyıcı iletim mekanizmasıkısmen açıklığa kavuşturulmuştur 1,2 . Deneysel olarak gözlenen I-V karakteristiğindeyarıiletkenin başlangıçtaki yüzey durumunun etkin olduğu bilinmektedir. Foton emisyonspektroskopisi (PES), Auger elektron spektroskopisi (AES) ve düşük enerjili elektronkırınımı (LEED) teknikleri ile SB oluşumunun ilk aşamalarında metal-yarıiletken arayüzeyinin kimyasal, yapısal ve elektronik özellikleri hakkında önemli bilgilersağlamaktadır 3 . Termal emisyon teorisine göre I-V-T ölçümlerinde azalan sıcaklıklaengel yüksekliğinde anormal bir azalma ve idealite faktöründe artış gözlenmektedir.Azalan sıcaklıkla gözlenen bu anormal davranış SB oluşumunda yarıiletken yüzeyindekidoymamış bağlar ile de ilişkilendirilmektedir. Vakumda yarılmış kristal üzerinde, yüzeyipassive edilmiş veya siliside tabanlı SB için I-V karakteristiklerinde ideale yaklaşımsağlanmıştır.III-VI grubundaki tabakalı yarıiletkenler, tabakalar arasındaki van der Waals etkileşimiile karakterize edilmekte ve bu tabakalar boyunca oluşan yarılma düzlemleri atomikseviyede düzgün yapıya sahip olabilmektedirler. Herbir atomun tabaka içinde bağlarınıtamamlamaları nedeniyle bu malzemelerde son tabaka yüzeyinde doymamış bağbulunmamaktadır ve bunun sonucu olarak yabancı atomlara karşı asal olmalarıbeklenmektedir 4 . Bu bilgiler tabakalı yarıiletkenler üzerinde ideal SB yapılarınfabrikasyonunun yapılabilirliğine işaret etmektedir. Bu beklenti P V Galiy et al 4 ’in InSe,GaSe ve TlGaSe 2 tabakalı kristallerin yüzeyinde N 2 ve su buharının adsorblanmadığıancak O 2’ye karşın zayıf bir aktivitenin gözlendiği çalışması ile de desteklenmektedir.Almeida 5 ise GaTe üzerinde Au, In, Ag ve Al elementlerinin kimyasal reaksiyonları x-rayfotoelektron spektroskopy kullanılarak incelenmiştir. Bu çalışmada p-GaTe tabakalıyarıiletkeni üzerinde fabrika edilmiş olan Al/GaTe/In yapılarının I-V-T ölçümlerininanalizi verilmekte. Veri sonuçları, fabrikasyonu yapılan SB diyotlarının, teorininöngördüğü ideal davranışı sergileyebileceğini göstermekte olup p-GaTe yarıiletkenininiletkenliğinin yüzeysel alıcılar tarafından kontrol edilerek düşük sıcaklıklarda oluşan seridirenç etkisi azaltıldığı taktirde, teorik limitlere ulaşılabileceği öngörülmektedir.Referanslar:1- R T Tung, Materials Science and Engineering R 35 1-138, 20012- W Mönch, Semiconductor Surfaces and Interfaces, Springer-Verlag Berlin Heidelberg NewYork 20013- N Newman, M van Schilfgaarde, T Kendelwicz, M D Williams and W E Spicer PhysicalReview 33(2) 1146-1159 19864- P V Galiy, T M Nenchuk and J M Stakhira, J. Phys. D. Appl. Phys. 34, 18-24 20005- J Almeida, H Berger, and G Margaritondo, Journal of Appl. Phys. 84(4) 1990-1993 199823

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARA24

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAS11: Ferroelektriklerin Mikroskopik teorisi: KNbO 3 ve BaTiO 3kristaline uygulanmasıF. Karadağ, A. M. MamedovÇukurova Üniversitesi, Adana, fkaradag@mail.cu.edu.trFerroelektriklik Katı hal Fiziği içerisinde en çok çalışılan konulardan birisidir. Buçalışmanın amacı ferroelektrik kararsızlığın modellerini tartışmak ve örgü dinamiğininmikroskopik teorisi temelinde ferroelektrikliğin titiz formulasyonunu dikkatli bir şekildevermektir. Daha sonra bu teoriyi KNbO 3 ve BaTiO 3 kristallerine uygulamaktır.Ferroelektrik açıdan aktif olan Nb ve Ti iyonunun yer değiştirmelerine karşı duyarlılıksergileyen KNbO 3 ve BaTiO 3 kristallerinde Nb ve Ti yer değiştirmelerine göre içerisindebulunduğu adyabatik potansiyel, temel ilkelerden (ab initio) yöntemlerle bulunmuşdiyagonal kuvvet sabitleri belirlenmiştir. Perovskite yapıdaki ferroelektrik KNbO 3 yerelkuvvet sabitlerinin ve potansiyelin kümesel hesabında Hartree-Fock Moleküler Orbital-Öz Uyumlu Alan yöntemi kullanılmıştır.25

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAS12: Tb 1-xNd xMn 2Si 2 (0.0≤x≤1.0) Bileşiklerinin Magnetik ÖzellikleriA. Kılıç a , S. Kervan b , Ş. Özcan c , A. Gencer aaAnkara Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 06100-Tandoğan, AnkarabTAEK, Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezi, Malzeme AraştırmaBölümü, 06100-Beşevler, AnkaracHacettepe Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği Bölümü,Beytepe, AnkaraBu çalışmada, Tb 1-xNd xMn 2Si 2 (0.0≤x≤1.0) örneğinin yapısal ve magnetikkarakterizasyonu XRD (X-ray diffraction ), DSC (differential scanning calorimetry), ACalınganlık ölçümleri ile yapıldı. Bütün bu bileşikler hacim merkezli tetragonal ThCr 2Si 2tipi yapıda kristalleşir ve uzay grubu I4/mmm’dir. Birim hücre parametreleri Vegardyasasına uyarlar. Düşük sıcaklıklarda, nadir toprak alt örgüsü de düzenlenerek Mn altörgüsü yeniden şekillenir. x=0.2, x =0.4 ve x =0.6 numunelerinde spinlerin yenidenyönelim sıcaklıkları tespit edilmiş ve bu numunelerin AC alınganlık eğrilerindekiçıkıntılar Néel sıcaklığı T N1(Mn) olarak tanımlanmıştır. DSC tekniği kullanılarakbelirlenen bu sistemdeki Néel sıcaklığı T N2(Mn) örnekler Nd konsantrasyonu x'e bağlıolarak arttıkça lineer azalır. Sonuç olarak magnetik faz geçiş sıcaklıklarındanyararlanılarak x-T magnetik faz diyagramı elde edildi.26

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAS13: SI GaAs’lı Sistemde Elektriksel Kararsızlıkların AnaliziH. Y. Kurt 1 , B. G. Salamov 1 * ve T. S. Mammadov 1 **1Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Beşevler 06500Ankara, Türkiye* Bakü Devlet Üniversitesi, Fizik Bölümü, Bakü 370145, Azerbaycan** Azerbaycan Bilimler Akedemisi, Fizik Enstitüsü, Bakü 370143, AzerbaycanN-tipi akım-voltaj karakteristiğine sahip bir yarıiletken sistemi, hem akım hem deboşalma ışık emisyonunu kullanarak analiz edildi ve böylece SI GaAs da elektrikselkararsızlıklar gözlenebilmiştir. Bu çalışmada, biri GaAs katotlu (yani b tipi yapı) IRgörüntü çevirici olan iki tip yapının taşıma özelliklerini karşılaştırdık. Sisteminözelliklerini belirleyen başlıca iki kısım yarıiletken (yani a tipi yapı) ve gaz boşalmatabakasıdır. Bu durumda a tipi yapı IR görüntü çeviriciden farklıdır; çünkü GaAskatodun gaz boşalmasına bakan yayınlayıcı yüzeyi ince bir metal filmle kaplanmıştır vediğer bir kontak olarak görev yapmaktadır. İki yapıdaki taşıma özelliklerinin benzerliği,kararsız bölgelerde akım ve boşalma ışık emisyonundaki osilasyonların benzer olduğunugösterir. Dolayısıyla, sistemde gözlenen akım-voltaj karakteristiklerini ve boşalma ışıkemisyonunu inceleyerek, gaz boşalma aralıksız bir yapıdaki akım kararsızlıkları hakkındabilgi sahibi olabiliriz.Bir yarıiletken sisteminin karmaşık davranışları geniş bir gaz basıncı ve elektrotlar arasımesafede katodun farklı çapları için deneysel olarak analiz edildi. Kararlı bir voltajlabeslendiğinde, farklı osilasyon genlikli akım ve boşalma ışık emisyonu kararsızlıklarımeydana gelir. Deneysel şartlar altında, elektrotlar arası mesafenin sadece pasif bir roloynadığı ve boşalma ışık emisyonundaki karasızlıktan sorumlu olmadığı gösterilmiştir.Aynı zamanda katodun farklı D çapları için, akım ve boşalma ışık emisyonu geniş birbölgede gözlenmiştir.Yaptığımız deneysel çalışma büyük çaplı yüksek – dirençliyarıiletken plakalardaki elektriksel kararsızlıkları incelemek için yeni bir metotsunmaktadır.Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkürederiz.27

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAS14: Rb/Si(001)-2x1 sisteminin yoğunluk fonksiyoneli çalışmasıE. MeteFizik Bölümü, Balıkesir ÜniversitesiAlkali metallerin silikon yüzey üzerinde tutunması yarıiletken yüzeylerin metalizasyonuiçin prototip model olarak görülmektedir. Bu çalışmada, norm-koruyan psüdopotansiyellerile yerel yoğunluk yaklaşımı dahilinde 2x1 simetrisine sahip Si(001)yüzeyinde 0.5 ve 1 tek-katman kaplama için Rb atomu tutunması probleminin ilk-prensiptoplam enerji yoğunluk fonksiyoneli hesabı yapıldı. Yarım katman kaplamada asimetrikdimerler oluşmasına karşın 1 tek-katman kaplama için simetrik dimerlerin enerjetikolarak tercih edildiği bulundu. Hangi tutunma konfigürasyonlarının enerjetik açıdandaha olası olduğunu tespit etmek için mümkün olan bütün seçenekler çalışıldı. Bu yapısalözelliklerle birlikte sistemin elektronik bant yapısı ve yüzey durumları incelendi.Hesapsal sonuçlar mevcut deneysel bulgularla karşılaştırılarak yorumlandı.28

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAS15: Üstüniletken YBCO’da Ardışık Isıtma ve Soğutmaların KritikAkıma EtkisiT. Öncü*, A. Şentürk, B. Kaynar, M. Artuç, Ş. Özcan, T. Fırat*Gıda Işınlama ve Sterilizasyon Bölümü, ANTHAM, TAEK, Sarayköy/AnkaraFizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe/AnkaraBu çalışmada ardışık ısıl çevrimlerin malzemenin transport özelliklerine etkisi araştırıldı.Standart katı hal reaksiyonu ile hazırlanan Y 1Ba 2Cu 3O 7-x yığın süperiletken örneklerin ikifaz içerdikleri X ışınları toz kırınım yöntemi ile, tanecikli yapıda oldukları SEMfotoğrafları ile tespit edildi. Hazırlanan örneklerin kritik sıcaklığı A.a. direnç-sıcaklıkölçüm sistemi kullanılarak ölçüldü. Ardışık ölçümler sonucunda, üstüniletkenmalzemenin içinde mikro çatlaklar oluştuğu, ölçümler magnetik alan altında yapıldığındamanyetostrüksiyona bağlı olarak mikro çatlakların sayısının daha da arttığı fakatmalzeme oda sıcaklığında bir süre bekletildiğinde bu mikro çatlakların iyileşip yokolduğu, hazırlanan üstüniletken örneklerin geçmişlerini hatırladıkları ve örneklerinbaşlangıç durumuna dönebilmesi için iki ölçüm arasında belirli bir süre (kendine gelmesüresi) kadar bekletilmeleri gerektiği sonucuna varıldı.29

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAS16: Bi 2Sr 2CaCu 2O 8+d Üstüniletkeninde Tek Eklem ve ÖzgünJosephson Eklem Tünelleme SpektroskopileriL. Özyüzerİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü, Fizik Bölümü, İzmirOptimum ve aşırı dozda oksijen dopingi yapılmış Bi2Sr2CaCu2O8+d tek kristalleriüzerine tünelleme çalışmaları yapılmıştır. Nokta kontak yöntemi ile üstüniletkenyalıtkan-normalmetal (SIN) ve SIS kırma eklemleri ile birlikte özgün Josephsoneklemleride nanoboyuttaki kristallerden elde edilmişlerdir. Bunlara ek olarak 10x10mikrometre boyutlarında mesa yapı dizileri fotolitografi ve iyon demeti dağlama yöntemiile üretilerek, 4.2 K den başlayarak oda sıcaklığına kadar karakterize edilmiştir. Aynıkristalden elde edilen dört farklı eklem tipinin sanki parçacık pikleri, çukur ve bumpyapıları karşılaştırılmıştır. Sonuçların yüzey spektroskopileri ile karşılaştırılmasındaçukur ve bump yapılarının bulunmadığı görülmüştür. Özgün Josephson eklemlerindenelde edilen enerji aralığının tek eklem geometrilerinde elde edilenlerde çok daha küçükolduğu bulunmuştur. Özgün Josephson eklemlerinin, özgün sanki parçacık özelliklerigöstermeyip yerel ısınma ve dengede olmama durumu gösterdiği bulunmuştur. Buözellik onların terahertz radyasyon kaynağı ve SQUID olarak uygulamalarındadezavantaj sağladığından, ısınmayı engelleyecek yeni teknikler önerilmiştir.30

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAS17: Kızılötesi dedektör malzemesi MBE-HgCdTe materyalinindüşük sıcaklıkta p-tipine çevrilmesiY. Selametİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüCıva kadmiyum tellürid (Hg 1-xCd xTe) en önemli kızılötesi foton detektörmalzemelerinden birisidir. Bu yarıiletken ile üretilen dedektörler bir çok savunmasilahlarında ve gece görüş uygulamaları için kullanılmaktadır. Moleküler demetepitaksisi (MBE) ile ve özellikle Si alttaşları üzerine büyütülen HgCdTe malzemesi2048x2048 formatındaki odaksal düzlem dizilerinde (FPA), çok renkli/spektrumludetektörlerde de kullanılmaktadır. Ancak MBE ile büyütülen HgCdTe malzemelerinin p-tipi katkılama sorunları bu malzemenin daha ileri, karmaşık detektör yapılarındakullanımını sınırlamaktadır. Bu karmaşık tasarımlı detektörlerin çalışma sıcaklığınınyükseltilmesi için çok önemlidir.HgCdTe grup-I ve grup-V elementleri ile p-tipi katkılanabilir. Ancak grup-Ielementlerinin HgCdTe içinde hızlı difüze oldukları, grup-V elementlerinin de amfoterikkarakter gösterdikleri gözlemlenmiştir. Grup-V elementleri ile katkılanan HgCdTe,genellikle n-tipi davranış göstermekte, p-tipine çevrilebilmesi için yüksek sıcaklıkta(425-450 o C) tavlanması gerekmektedir. Bu tavlama, MBE’nin düşük sıcaklık ile üretimavantajlarını azaltmaktadır. HgCdTe malzemelerinin düşük sıcaklıkta p-tipinedönüştürme yolları ile bu malzemenin ve bunlar üzerine yapılan detektörlerin sondurumu incelenecektir.31

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAS18: Derinlik Duyarlı Mikroçentik (DDM) Tekniği İle YBCOSüperiletkenlerinin Mekanik Karakterizasyonu İçin Yeni Bir Yöntem:Enerji YaklaşımıO. Uzun 1 , U. Kölemen 1 , N. Güçlü 1 , O. Şahin 2 ve Z. Akdoğan 31Gaziosmanpaşa Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 60240,TOKAT2Süleyman Demirel Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 32260,İSPARTA3Gaziosmanpaşa Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Matematik Bölümü, 60240,TOKATSon yıllarda kullanılmaya başlanan derinlik duyarlı mikroçentik (DDM) tekniği,geleneksel yöntemlere kıyasla, aletsel ve gözleyiciden kaynaklanan hataları en azaindirmektedir. Bu avantajının yanı sıra, uygulanan yük ve çentik derinliğinin bilgisayarkontrollü olarak sürekli ve hassas bir şekilde ölçülebilmesi, çentme (deformasyon)işleminin enerji karakteristiklerinin belirlenmesine de izin verir. Bu sebeple, DDMtekniği malzemelerin mekaniksel karakterizasyon çalışmalarında en yaygın kullanılanyöntemlerden birisi haline gelmiştir [1-4]. Çalışmamızda, saf ve ağırlıkça %1 ZnO katkılıYBCO seramik süperiletkenlerinin mekaniksel özellikleri, DDM tekniği ile incelendi.Elde edilen veriler, literatürde yaygın olarak kullanılan yöntemlerden farklı olarak“çentme işleminde yapılan iş (veya kısaca enerji) yaklaşımı” ile irdelendi. Bu bağlamda,DDM tekniği ile elde edilen yük (P; N)-çentik derinliği (h; m) grafiklerinde, eğrilerinaltında kalan alanlara karşılık gelen bazı temel enerjiler önerildi. Alanların yenidenbölümlendirilmesi ile oluşturulabilecek mümkün bütün enerjiler düşünülerek, her biralana eşlik edecek altı temel enerji (Mutlak enerji;W M, Toplam enerji;W T, Plastikenerji;W P, Elastik enerji;W E, W 1 ve W 2 enerjileri) öngörüldü. Yapılan hesaplamalarsonucunda, bu enerji terimleri arasında lineer bir ilişki olduğu gözlendi. Ayrıca,literatürde sertlik ve elastiklik sabiti hesaplamalarında kullanılan çentik derinliğinin,hacminin veya alanının belirlenmesine gerek kalmaksızın, sadece enerji yaklaşımıkullanılarak YBCO malzemelerinin sertlik ve elastiklik sabitleri hesaplandı. Yine enerjiyaklaşımının bir sonucu olarak, YBCO süperiletken seramik malzemelerinin mekanikselkarakterizasyonun da kullanılabilecek bazı sabitler önerildi.Referanslar[1] A. E. Giannakopoulos, S. Suresh, Scripta Materialia, 40 10 (1999) 1191-1198.[2] A. A. Elmustafa, D. S. Stone, Acta Materialia, 50 (2002) 3641-3650.[3] E. Atar, H. Çimenoğlu, E. S. Kayalı, Surface and Coating Tech., 162 (2003) 167-173.[4] O. Uzun, U. Kölemen, S. Çelebi, N. Güçlü, Journal of the Euro. Ceramic Soc. (2004)(Baskıda).Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2003K120510) teşekkürederiz.32

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAS19: D(H)-Kaplanmış Cu(111) Yüzeyi ile H(D) AtomlarınınReaksiyonlarında İzotop ve Sıcaklığın EtkisiC. D. Vurdu, S. Özçelik* ve Z. B. Güvenç**Gazi Üniversitesi, Kastamonu, Türkiye, canvurdu@gazi.edu.tr*Gazi Üniversitesi, Ankara, Türkiye, sozcelik@gazi.edu.tr**Çankaya Üniversitesi, Ankara, Türkiye, guvenc@cankaya.edu.trBu çalışmada, Cu(111) yüzeyi üzerine tutunmuş D(veya H) atomlarıyla gaz-fazlı H(veyaD) atomlarının reaksiyon dinamiğinin bir yarı-klasik moleküler dinamik çalışmasıyapıldı. 30 K ve 94 K yüzey sıcaklıklarında H(D) --> D(H) + Cu(111) sistemininsimülasyonunu yapmak için; yüzeyde tutunan D(veya H) atomları 15%, 25% ve 50%kaplama oluşturacak biçimde Cu(111) yüzeyi üzerinde gelişigüzel yerleştirildi. Busistemin etkileşmesi, bir LEPS fonksiyonu ile hesaplandı. LEPS parametreleri, GGA veDFT metodu ile bir ve iki hidrojen atomunun Cu(111) yüzeyi üzerinde farklı yerleşimleriiçin hesaplanmış enerji değerleri kullanılarak bulundu. Sıcak-atom ve Eley-Ridealmekanizması yolu ile oluşan H 2, D 2, ve HD ürünleri, bu sıcaklıklarda ve kaplamaoranlarında gösterildi. Ürünlere ait dönme, titreşim, toplam ve öteleme enerji dağılımlarıiçin olasılıklar hesaplandı. Ayrıca, yüzeyde tuzaklanma, gelen atomun inelastik saçılmasıve yüzeyde tutunan atomun veya gelen atomun tabakanın içine girmesi gibi çeşitlioluşumlar analiz edildi. Bu sistemin izotopik yer değiştirme ve yüzey sıcaklığına bağlılığıincelendi ve sıcak-atom yolunun ürün oluşumundaki önemli katkıları gösterildi.Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkürederiz.İlgili Referanslar:1. Ziya B. Guvenc, Xianwei Sha, and Bret Jackson, J. Chem. Phys. 115, (2001) 1-10.2. Bret Jackson, Xianwei Sha and Ziya B. Guvenc, J. Chem. Phys. 116, (2002) 1-10.3. Ziya B. Guvenc, Xianwei Sha, and Bret Jackson, J. Phys. Chem. B 106 (2002) 8342-8348.33

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAPoster Sunumlar34

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP01: Hazırlanan Al-Ti 10W 90-nSi Schottky diyotların elektro fizikselparametrelerinin incelenmesiI.M.Afandiyeva , Sh.S.Aslanov*, L.K.Abdullayeva ve *Ş. AltındalBakü Devlet Üniversitesi Fizik Bölümü, 370145, Bakü, AZERBAYCAN*Gazi Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü , 06500, Teknikokullar,Ankara,TÜRKİYESchottky diyotların (SD) elektriksel karakteristikleri metal-yarıiletken ara yüzeyindekidurumlara oldukça duyarlıdır. Metal bir TiW alaşım film Si yarıiletken üzerinemagnetron püskürtme yöntemiyle oluşturuldu. Sistemlerin mikro yapısı X-ışınlarıylaincelendi. Al-Ti 10W 90-nSi sandviç yapı homojen gaz karışımı ortamında sıcaklığa maruzbırakıldı. Hazırlanan diyot matrisi, alanları 1 х10 -6 cm 2 - 14 х10 -6 cm 2 arasında değişen 14diyot içermektedir. Yapıların akım-voltaj (I-V) karakteristikleri 300-450 K sıcaklıkaralığında incelendi. Doğru belsem ve ters belsem için akım ifadeleri sırasıyla, I f=I sexp V ve I r=I sexp *V olup katsayıları =(30.6 -4.1)V -1 ve *=(1.79-0.62)V -1 dır.I-V karakteristiklerinin analizi akım iletiminde yüzey durumlarının etkin olduğunugösterdi. Diyotların direnci sıcaklığa bağlı olarak incelendi.Anahtar Kelimeler:Ti10W90-nSi Schottky diyotları, elektro fiziksel parametreler, sıcaklığa bağımlılık35

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP02: (Al-TiW+PtSi)-nSi Schottky diyotlarının hazırlanması ve akımiletim mekanizmalarının incelenmesiI.M.Afandiyeva, Sh.S.Aslanov , Ş. Altındal*Bakü Devlet Üniversitesi Fizik Bölümü, 370145, Bakü, AZERBAYCAN*Gazi Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü , 06500, Teknikokullar,Ankara,TÜRKİYEBu çalışmada hazırlanan (Al-TiW+PtSi)–nSi Schottky diyotların teknolojikincelenmesinin ve onların elektriksel karakteristiklerinin sonuçları rapor edildi.Diyotların temel parametreleri akım-voltaj karakteristikleri V>3kT/q için 300-450 Ksıcaklık aralığında hesaplandı. Deneysel sonuçlar, tünel akımının 298-373 K sıcaklıkaralığında ve termiyonik emisyonun ise 373-458 K sıcaklık aralığında etkin olduğugözlendi. Tünel akımı parametresi E oo ve etkin sıcaklık T* değerleri hesaplandı. Engelinhomojen olduğu sonucuna varıldı. Elde edilen deneysel sonuçlar akım iletiminde ilavetaşıyıcı yüklerin olduğu gösterdi. Onların büyüklüğü nanometre mertebesindedir. Metalyarıiletkenara yüzeyinde homojen olmayan yüzey durumları mevcuttur.Anahtar Kelimeler:Akım iletim mekanizması, (Al-TiW+PtSi)–nSi Schottky diyotları, sıcaklığa bağımlılık.36

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP03: SnO 2-Bi 4Ti 3O 12-Au yapıların elektriksel karakteristiklerininincelenmesiA.A.Agasıyev, I.M.Afandıyeva , Ş. Altındal*, M.Z.MamedovBakü Devlet Üniversitesi Fizik Bölümü, 370145, Bakü, AZERBAYCAN*Gazi Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü , 06500, Teknikokullar,Ankara,TÜRKİYEBi 4Ti 3O 12 ince filmlerin yüksek kademeli sıcaklık ve geniş kapasiteli özelliklerindendolayı araştırmalara temel teşkil etmektedir. Bu çalışmada SnO 2-Bi 4Ti 3O 12-Au ince filmyapılarının magnetron püskürtme metoduyla elde edilen elektriksel özelliklerininsonuçları sunuldu. Statik akım-voltaj(I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) özellikleri dirençbağımlılığı dikkate alınarak hem doğru hem de ters ön gerilim altında incelendi. I-Vkarakteristiği 0-0.7 V aralığında lineer ve 0.7-1.4 V aralığında ise üstel bir davranışgösterdi. Doğru ve ters ön gerilim altındaki dinamik özelliklerde incelendi. Hazırlananbu yapıların ileri yönde iki engel yüksekliğine sahip olduğu gözlendi. 50 kHz deki C -2 -Veğrisinin eğiminden katkı atomlarının sayısı (N d) 1.36x10 15 cm -3 elde edildi. Potansiyelengel yüksekliği ve ideal olmama katsayısı elde edildi. Dielektrik sabiti( `), dielektrikkayıp( ``) ve kayıp açı(tan ) değerleri geniş bir frekans aralığında elde edildi.Anahtar Kelimeler:Bi4Ti3O12 ince filmler, dielektrik sabiti, dielektrik kayıp, SnO2-Bi4Ti3O12-Au incefilm37

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP04: Karbon oranı ve güç yoğunluğunun PECVD sistemindebüyütülen a-Si 1-x:C x:H ince filmlerdeki düzensizliklere etkileriB. Akaoğlu, A. Gülses*, İ. Atılgan ve B. KatırcıoğluFizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Ankara 06531, Türkiye* Poster sunucusu.Geniş alan elektronikte (düz ekran gösterim gibi) geniş yüzeyli tabanlar üzerinebüyütülmüş çok eklemli iletken, yarıiletken ve yalıtkan ince film yapılara gereksinimvardır. Plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PECVD) sistemleri bu tür genişalanda (20-100 cm çaplı), düşük sıcaklıkta, ucuz maliyetli tabanlar üzerine filmlerinbüyütülmesinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Büyütme parametreleri gerektiği gibiayarlanmazsa, geniş tabanlar üzerine büyütülen filmlerde düzensizlikler gözlemlenmesikaçınılmazdır. Hatta, bu doğrultuda plazma sisteminin mimarisini yeniden oluşturmakgerekebilir. Bu çalışmada, laboratuar ölçekli (24 cm çaplı) bir PECVD sisteminintopraklanmış alt elektrotunda cam tabanlar üzerine, hidrojenle seyreltilmiş çeşitli etilen(C 2H 4) gaz oranlarında, 30 mW/cm 2 ve 90 mW/cm 2 güç yoğunluklarında, 8 tür filmdenoluşan hidrojenlenmiş amorf silisyum karbon alaşımı (a-Si 1-xC x:H) film takımıbüyütülmüştür. Filmlerin büyüme hızı, kırılma indisi ve optik yasak enerji aralığıüzerinde etilen gaz oranının ve güç yoğunluğunun etkileri alt elektrotun çapı boyuncaincelenmiştir. 90 mW/cm 2 gücünde büyütülen filmler, 30 mW/cm 2 gücünde büyütülenleregöre daha hızlı büyütülse bile, alt elektrotun çapı boyunca büyüme hızında önemlidüzensizliklere yol açmaktadır. Öte yandan, 30 mW/cm 2 güç yoğunluğunda üretilenfilmlerin hem biriktirme hızları hem de kırılma indisi ve optik yasak enerji aralıklarıbakımından daha düzenli filmler olduğu tespit edilmiştir. Bu film sabitlerinin alt elektrotboyunca dağılımı karbon ve hidrojenin büyümedeki etkinliği açısından irdelenmiş veyorumlanmıştır.38

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP05: Al/SiO 2/p-Si Schottky engel diyotlarındaki engel yüksekliğininhomojensizliğiŞ. Altındal, H. Kanbur, A. TataroğluGazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 06500, Ankara, TürkiyeYaklaşık 30 Å kalınlığında bir yalıtkan tabakaya sahip Al/SiO 2/p-Si diyotların akımvoltaj(I-V) ve kapasitans–voltaj (C-V) karakteristikleri incelendi. Farklı sıcaklıklar içinincelenen I-V verilerinden idealite faktörü 2-1.82 ve engel yüksekliği 0.76-0.85 eVaralığında bulundu. İdealite faktörünün yüksek değerleri MIS diyotlardaki ara yüzeydurum yoğunluklarının daha yüksek olduğuna atfedildi. I-V verilerindeki değişimsıcaklık artışı ile sıfır besleme altındaki engel yüksekliğinin artışını ( BO) ve kalitefaktöründeki (n) azalmayı açıklar. Ln(Io/T 2 ) - 1/T eğrisi lineer değildir ama Ln(Io/T 2 ) -1/nT eğrisi lineerdir. Sıcaklık ile etkin engel yüksekliğinin değişimini açıklayan bu sonuçn V’ den elde edildi. V-1/T eğrisi de engel yüksekliklerinin Gaussiandağılımlarını açıklamak için çizildi. V-1/T eğrisinden engel yüksekliğininortalama değeri( ) ve sıfır belsem altındaki standart sapma ( Bso ) sırasıyla 0.775 eVve 0.0975 eV olarak bulundu.Anahtar Kelimeler :Sıcaklık bağımlılığı; Engel yüksekliğinin homojensizliği; Gaussian dağılımı; Standardsapma.Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkürederiz.39

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP06: Bi 4Ti 3O 12 Amorf Filmlerin Akım-voltaj ve Kapasitans-VoltajKarakteristikleriŞ. Altındal 1 , A. Tataroğlu 1 , A. Agasiev 21Gazi Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü , 06500, Teknikokullar,Ankara,TÜRKİYE2Bakü Devlet Üniversitesi Fizik Bölümü, 370145, Bakü, AZERBAYCANAkım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G-V) karakteristiklerioda sıcaklığında ölçüldü ve elde edilen deneysel sonuçlar Bi 4Ti 3O 12 filmler için ölçülenliteratürdeki diğer ölçümlerle de detaylıca karşılaştırıldı. Kapasitans da simetrik bir yapıgözlenmesine karşın akım-voltaj (I-V) ölçümleri doğrultucu davranış gösterdi. Busonuçlar, yapısal bozukluklar, BTO kapasitörler deki ara yüzey durumları vepolarizasyonun varlığına atfedildi. Ara yüzey durumların karakteristik parametreleri odasıcaklığında E c-E ss’nin bir fonksiyonu olarak I-V ölçümlerinden elde edildi. Ara yüzeydurum yoğunluğu N ss ortalama 2x10 11 eV -1 cm -2 tahmin edildi. İdealite faktörü n doğrubesleme I-V ölçümlerinden 1.5 bulundu. Buna ilaveten, seri direnç R s oda sıcaklığındakuvvetli yığılma bölgesindeki kondüktans ölçümlerinden 350 bulundu.Anahtar Kelimeler:Bi 4Ti 3O 12 amorf filmler, idealite faktörü, ara yüzey durum yoğunluğu, seri direnç.Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkürederiz.40

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP07: Fenilpridin İzomerlerinin Yapısal Parametreleri İle ElektronikÖzelliklerinin Teorik HesabıH. Alyar, M. Bahat, E. Kasap ve Z. Kantarcı and G. UğurluGazi Üniversitesi Fizik Bölümü, Ankara, TürkiyeGaz fazında 2- ,3- ,4-fenil pridin moleküllerinin yapısal parametreleri ile elektroniközellikleri Hartree-Fock (HF) metodu ve Yoğunluk Fonksiyonu Teorisi (DFT/B3LYP)hibrit yaklaşımı ile 6-31++G** Temel Seti kullanılarak hesaplandı.Yaptığımızhesaplamalarda bu moleküllerin yapısal parametreleri olan bağ uzunlukları, bağ açıları,dihedral açıları ve elektronik özelliklerinden moleküler orbital enerjileri ile dipolemomentlerinin dihedral açıya bağlı değişimleri GAUSSIAN 98W paket programıylayapıldı. Her iki metodla yapılan bağ uzunlukları ile ilgili hesaplamalarda iki metotarasındaki fark çok küçük ve yaklaşık 0.01A° ile 0.02A° aralığındadır. Bağ açılarında isefark 1 ° yi geçmez. Açılar için en büyük sapma yaklaşık 7 ° -10 ° halkalar arasındaki dihedralaçılar için elde edildi. Hesaplamalardan elde edilen sonuçlar literatürdeki mevcutdeneysel ve teorik sonuçlarla karşılaştırılması sunuldu.41

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP08: MgAuSn Bileşiğinin Fonon DispersiyonuN. Arıkan 1 , G. Uğur 2 ve H. M. Tütüncü 31Gazi Üniversitesi, Kırşehir Eğitim Fakültesi, Kırşehir, Türkiye2Gazi Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Teknikokullar, Ankara, Türkiye3Sakarya Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Adapazarı , TürkiyeBu çalışmada, MgAuSn bileşiği için lineer tepki yaklaşımında pseudo potansiyel metotve yerel yoğunluk yaklaşımı kullanılarak, yapısal ve dinamik özelliklerin hesaplanmasıyapılmıştır. Bileşiğin önce örgü sabiti hesaplanmış ve daha önce yapılan teorik vedeneysel sonuçlarla karşılaştırılmıştır. Hesaplanan örgü sabiti ve yoğunluk fonksiyonpertürbasyon teorisi kullanılarak MgAuSn için fonon dispersiyon eğrisi çizilmiştir.42

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP09: 1,2,4,5-Tetrakis(2-tersiyer-bütil-4-metilfenoksimetil)benzenYapısının Kristal ve Moleküler YapısıN. B. Arslan, C. Kazak, N. Akdemir * , C. Kantar * , E. Ağar*Ondokuz Mayıs Üniversitesi,Fen-Ed. Fakültesi, Fizik Bölümü, Samsun*Ondokuz Mayıs Üniversitesi,Fen-Ed. Fakültesi, Kimya Bölümü, Samsunİncelemiş olduğumuz bu yapı genellikle polisitrin polimerlerinin sentezinde kullanılırlar.Bu polimerler önemli uygulamaları ve nadir bulunan özellikleri nedeniyle son yıllardailgi çekmişlerdir.C 54H 70O 4 ‘ün kırınım verileri, Stoe IPDSII difraktometre sisteminde, MoK radyasyonukullanılarak tarama modunda oda sıcaklığında toplandı. Bileşik monoklinik kristalsistemi ve P2 1/n uzay grubunda kristallenmiştir. Birim hücre parametreleri a = 10.1833(9)A o , b = 21.5350(16)A o , c =11.5029(11)A o , = 90.00, = 107.725(7), = 90.00, V= 2402.8(4)(A o ) 3 Z = 2. Molekül düzlemsel yapıda oluşmadı. Kristal yapı direkt yöntemile Shelxs97 programı kullanılarak çözüldü ve en küçük kareler yöntemi ile Shelxl97programı kullanılarak arıtıldı. Arıtım sonucunda R = 0.0721 S = 1.040 olarak elde edildi.43

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP10: Düzlemsel İkibantlı Süperiletkenler İçin Üst Kritik ManyetikAlanın Anizotropisiİ.N.Askerzade, H. Şahin*Fizik bölümü, Fen Fakültesi, Ankara Üniversitesi, Beşevler,06100, Ankara*Cumhuriyet Üniversitesi, Fen Fakültesi,Fizik Bölümü 58140 Kampüs / Sivas2001 yılında keşfedilen süperiletken magnezyum diborürün ( MgB 2 ) kristal yapısınındüzlemsel karaktere sahip olduğu ve bu süperiletkenin iki-bantlı olduğu kabulgörmektedir. Genelleştirilmiş anizotropik iki bantlı Ginzburg-Landau teorisiHc2kullanılarak üst kritik magnetik alanın anizotropi parametresinin sıcaklığaHbağımlılığı hesaplanmıştır. Tek-bantlı Ginzburg-Landau teorisinden farklı olaraksıcaklık azaldıkça anizotropi parametresi -nın arttığı tespit edilmiştir. Elde edilensonuçların literatürdeki deneysel verilerle (Lyard et. al. Phys .Rev. Lett., 2004)uygunluğu gösterilmiştir.IIc244

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP11: CdS ve Cd 0.99Zn 0.1S ince filmlerinin optik özellikleriA. Ateş, B. Gürbulak, M. Kundakçı, E. Gür, A. Yıldırım Ve M. YıldırımAtatürk Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü 25240 ErzurumSpray Pyrolysis methodu kullanılarak CdS ve Cd 0.99Zn 0.1S ince filmleri büyütüldü.Büyütülen filmlerin sıcaklığa bağlı olarak optik özellikleri incelendi. Yasak enerji aralığı,Steepness parametresi ve Urbach enerjisinin sıcaklığa bağlı olarak değişimiaraştırıldı.Yapılan ölçümlerden, yapıya katkılanan Zn’un yasak enerji aralığında veSteepness parametresinde bir artışa, Urbach enerjisinde ise bir azalmaya sebep olduğugörüldü. 10K ve 320K sıcaklıklarında, CdS için yasak enerji aralıkları 2.52 ve 2,44 eVolarak, Cd 0.99 Zn 0.1S içinse 2,55 ve 2,48 eV olarak hesaplandı.45

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP12: Dönmeyen Pd n, n=4-6 Topaklarının Çarpışmasız Buharlaşması:A Moleküler Dinamik İncelemeH. Avcı 1 , M. Çivi 1 , Z. B. Güvenç 21Gazi Üniversitesi Fizik Bölümü, Beşevler, 06500 Ankara, Türkiye2Çankaya Üniversitesi,Elektronik ve İletişim Mühendisliği Bölümü, Balgat, 06530Ankara, TürkiyePd n, n=4-6 Topaklarının çarpışmasız buharlaşması mikrokanonik moleküler dinamikbilgisayar simülasyonu ile incelendi. Topaklar embedded-atom potansiyel yüzeyi ilemodellendi. Global buharlaşma hız sabitleri topak büyüklüğü ve iç enerjinin fonksiyonuolarak analiz ve hesap edildi. Buharlaşma dinamiği kopan parçaların kütle-merkezleriarasındaki uzaklık ve iç enerji gibi parametrelere göre zamanın fonksiyonu olarakirdelendi.46

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP13: Üç Kuyulu Moleküler Potansiyel ModeliS. Aydın* , M. Şimşek**Gazi Ü. Fen-Ed. Fakültesi Fizik Bölümü,06500-Ankara/TÜRKİYE,**msimsek@gazi.edu.tr, *sezginaydin@gazi.edu.trGenel bir sistem için lineer olmayan hareket denklemi23 5x(t) w0 x(t) gx( t) ax ( t)0ile verilmiş ise, sistemin potansiyel enerji fonksiyonu,1 2 1 4 1 6V ( x) x gx agx2 4 6uygun parametre aralığında üç kuyulu davranışa sahiptir. Klasik yaklaşımla, söz konusukuyulardaki bir parçacığın periyodu eliptik integraller kullanılarak analitik olarakbulunabilir. Bu çalışmada , potansiyelin üç kuyu davranışı için elde edilen a, gçiftlerigöz önüne alınarak , iki atomlu bir molekülün denge mesafeleri, kuyu durumlarınakarşılık gelen yay sabitleri, dönü-titreşim sabitleri gibi moleküler etkileşme sabitleri eldeedilmiştir.Ayrıca, dönü durumları üç-kuyulu potansiyel davranışına sahip olan CH 3 CHO(acetaldehyde), H 3CCCl3, H 3CNO 2 gibi çok atomlu moleküler sistemlere, Duffing+5gax dinamik sistemi yardımı ile yeni bir potansiyel modeli oluşturulabileceğitartışılmıştır.47

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP14: GaAs Üzerinde Oluşturulan Doğal Oksit Tabakalı MIS YapılardaSıcaklığa Bağlı Seri Direnç ve Diğer Bazı Parametreler*Y.Baş 1 , M.Özer 21Gazi Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, ANKARA2Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, ANKARABu çalışmada 400 m kalınlıklı, (100) yönelimli n-GaAs kimyasal yöntemle temizlenerekohmik kontak oluşturulduktan sonra 4 gün süre ile temiz bir ortamda bekletildi ve doğaloksit büyümesine izin verildi.Oksit üzerine metal (Au %88, Ge %12) buharlaştırılarakSchottky engeli oluşturuldu. Bu MIS yapıların 150-375 K sıcaklık aralığında akımgerilimve sığa-gerilim ölçümleri yapılarak bazı parametreleri belirlendi.Engelyüksekliği, idealite faktörü ve seri direncin sıcaklığa bağlı olarak değiştiği görüldü.Anahtar Kelimeler:GaAs, MIS yapılar, Schottky engeli, seri direnç* Bu çalışma Gazi Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri(FEF.05/2003-32) tarafındandesteklenmiştir.48

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP15: Fe 71Cr 7Si 9B 13 Amorf Ferromagnetik Tellerin Manyetik veMagnetoelastik ÖzellikleriN. Bayri*, F. E. Atalay, V.S. Kolat ve S. Atalay*İnönü Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü MalatyaAmorf ve ısıl işlem görmüş Fe 71Cr 7Si 9B 13 tellerin magnetizasyon eğrileri (M-H),coercivity (H c), anizotropi sabiti, E etki (Young elastik katsayısının magnetik alanladeğişimi), magnetoempedans (MI) ve stres empedans (SI) etkilerindeki değişimlerincelendi. Yarıçapları yaklaşık 125 m olan amorf Fe 71Cr 7Si 9B 13 tellerin kristalleşmesıcaklıkları DTA sistemi kullanılarak 565 C olarak ölçüldü. Numunelerde üretimesnasının bir sonucu olarak var olan iç streslerin azaltılması amacıyla, numuneler 0.3 ile300 dakika arasında değişen zaman aralıklarında ve kristalleşme sıcaklığının altında olan460 C’ lik sıcaklık değerinde ısıl işleme tabi tutuldu. Numunelerin coercivity değerleridc M-H eğrilerinden hesaplandı. Numunelere farklı sürelerde ısıl işlem uygulanmasıylacoercivity değerlerinin değiştiği belirlendi. 460 C’ de 60 dakikalık ısıl işlem sonucunda,numunenin coercivity değerinin 1 A/m’ lik minimum bir değere düştüğü ve bu süreninüzerindeki ısıl işlem zamanlarında coercivity değerinin yüzey kristalleşmesinden dolayıbelirgin bir şekilde arttığı gözlendi. Amorf ve ısıl işlem uygulanmış numunelerin E etkiölçümleri, vibrating reed metodu kullanılarak yapıldı ve kısmen yüzey kristalleşmesineuğramış numune için Young modülündeki maksimum değişim yaklaşık %75 olarakölçüldü. Mabnetoempedans ve stres empedans ölçümleri, bilgisayar kontrollü HP 4294Aempedans analizörü ve HP 42941A empedans probu kullanılarak ölçüldü. Isıl işlemsonucunda iç streslerin büyük ölçüde azaltıldığı numunelerde MI etkinin değişimi 1MHz’ lik frekans değerinde %200 olarak gözlendi. Ayrıca empedans, uygulanan tork veboyuna gerilme streslerinin fonksiyonu olarak da ölçüldü ve tork ile % 150, gerilmestresi ile % 255 oranında empedans değerlerinde değişim gözlendi.49

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP16: Farklı Sınır Şartlarına Sahip Çoklu Ferroelektrik p-n EklemYapısıM. S. Bozgeyik 1 Ve A. M. Mamedov 1,21Çukurova Üniversitesi Fizik Bölümü, Adana, TÜRKİYE2Çukurova Üniversitesi Fizik Bölümü, Şanlıurfa, TÜRKİYEAynı polarizasyona sahip olmayan eklem ara yüzeylerindeki farklı sınırların tesirleriniaçıklamak için çoklu pn eklem yapısının bazı özellikleri teorik olarak çalışılmıştır. Farklıeklemlerin sızma bölgelerinde Poisson denklemi çözülerek toplam polarizasyon, elektrikpotansiyeli ve kapasitans ferroelektrik ve paraelektrik fazda hesaplanmıştır. Spontanpolarizasyon yönünün ve oluklu olarak modellenmiş ara yüzey etkilerinin izlerihesaplarda gözlenmiştir. Bu model özellikle yarıiletken ferroelektrikleri ele almıştır.50

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP17: In 1-x-yGa xAl yAs/InP(001) Yarıiletken İnce Filmlerde LO FononModlarının Bileşim Oranlarına Göre İncelenmesiM.M. Bülbül 1 , E.Güç 1 , SPR Smith 21Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 06500, Ankara.2Department of Physics, Üniversity of Essex, Colchester, CO4 3SQ, U.K.Bu çalışmada, MBE yöntemiyle InP(001) alttaşlar üzerine büyültülmüş In 1-x-yGa xAl yAs( x y 47 %) yarıiletken ince filmlerin birinci dereceden boyuna optik (LO) fononmodlarının kompozisyonlarına karşılık çizgi genişliği özellikleri çalışıldı. LO modlarınıngenişliği ve asimetrikliği bir bağlaşım Gausyen fonksiyonu olan ‘uzaysal bağlaşım’modeli kullanılarak açıklandı.Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkürederiz.51

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP18: Contribution of the Meissner Current to the Magnetostrictionin a High T c SuperconductorS. Çelebi * , F. İnanır b ve M.A.R. LeBlanc caDepartment of Physics, Faculty of Science and Arts, Karadeniz TechnicalUniversity, 61080 Trabzon, TürkiyebDepartment of Physics, Rize Faculty of Science and Arts, Karadeniz TechnicalUniversity, Rize, TürkiyecDepartment of Physics, University of Ottawa, Ottawa, Ontario, Canada K1N6N5* Corresponding author.e-mail, celebi@ktu.edu.tr fax. 90-462-3253195We show that the magnetostriction hysteresis curves, measured at different temperaturesby Chabanenko et al [Supercond. Sci. Technol. 11 (1998) 1181] in a La 1.85Sr 0.15CuO 4single crystal, can be well reproduced by exploiting the critical state framework proposedby Ikuta et al [Phys.Rev.Lett.70, (1993) 2116] to describe this phenomenon in high T csuperconductors, provided that the role of the Meissner current circulating at the surfaceof the crystals is taken into account.Keywords:Magnetostriction, Meissner current, reversible Abrikosov diamagnetism, critical current,flux pinning, surface barrier, surface sheath.52

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP19: PbTe Kristalindeki İç Sürtünme ve Kesme ModülüÖzelliklerinin AraştırılmasıO.I.Davarashvili 1 , M.I.Enukashvili 1 , N.P.Kekelidze 1 , G.Sh.DArsavelidze 2 ,L.L.Gabrichidze 2 , E.R.Kutelia 2 , V.P.Zlomanov 3 , O.I.Tamanaeva 3 ,T.S.Mamedov 4 , N.D.Ahmedzade 5 , A.Bengi 4 , L.H.Tecer 61Tiflis Devlet Üniversitesi,2Tiflis Metalurji ve Malzeme Enstitüsü,3M.V.Lomonosov adına Moskova Devlet Üniversitesi ,4Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü,5Azerbaycan Milli Bilimler Akademisi Fizik Enstitüsü,6Zonguldak Karaelmas ÜniversitesiCr ile katkılı ve katkısız PbTe kristalinde iç sürtünme ve kesme modülü 650 ºC ye kadar,düşük frekanslarda ölçülme yöntemi ile incelenmiştir.Katkılı PbTe kristali katkısız ilekarşılaştırıldığında oda sıcaklığındaki kesme modülünün 2.5 kat ve elastikiyet sınırının5-6 kat daha büyük olduğu ilk defa saptandı.53

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP20: CdS, CdSe, CdTe Bileşiklerinin, ab initio Yöntemi ile BazıYapısal ve Elektronik Özelliklerinin İncelenmesiE. Deligöz, K. ÇolakoğluGazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi Fizik BölümüBu çalışmada II – VI yarıiletkenlerinden CdS, CdSe ve CdTe bileşiklerinin (Zinc blendeyapı) bazı yapısal ve elektronik özellikleri SIESTA (ab initio /LDA ) program paketikullanılarak hesaplanmıştır. İlk adımda enerji-hacim, örgü sabiti, basınç-hacim, basınçentalpideğişimleri, bulk modülü ve bulk modülünün basınç türevi (dB/dp ) hesaplamalarıyapılmış, daha sonra durumlar yoğunluğu (density of state ) ve elektronik band yapılarınaait eğriler elde edilerek bulunan sonuçlar deneysel ve başka teorik değerlerlerlekarşılaştırılmıştır.54

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP21: Fe-Mn-Si Esaslı Bazı Şekil Hatırlamalı Alaşımlara Eşlik EdenMartensite Dönüşüm Sıcaklıklarının BelirlenmesiAli Doğan, Tahsin ÖzerKSÜ, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Avşar Kampusu, 46100,Kahramanmaraş.Bu çalışmada çoklu lineer regresyon metodu kullanılarak, bazı demir esaslı şekilhatırlamalı alaşımların kompozisyon yüzdelerine ilişkin datalar yardımıyla, martensite,austenite başlama sıcaklıkları ve sıcaklık hysteresislerinin kompozisyonel bağımlılıklarıiçin yeni ampirik “A s = 516 - 5.27 Mn + 6.4 Si - 2.60 Cr - 12.4 Ni + 160 Ce - 108 Ti -220 N M s = 245 - 5.78 Mn + 38.7 Si - 6.09 Cr - 5.07 Ni + 139 Ce - 145 Ti - 395 N A s-M s = 271 + 0.51 Mn - 32.3 Si + 3.49 Cr - 7.35 Ni + 21.4 Ce + 37.7 Ti + 175 N”bağıntıları elde edilmiştir. Demir esaslı bazı şekil hatırlamalı alaşımlar için elde edilendeğerler deneysel sonuçlarla karşılaştırılmış ve deneysel değerlerle uyum içerisindeolduğu görülmüştür.55

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP22: Döteryum Molekülü İle Ni 55 Atom Topağının Reaktif OlmayanKanalP. Durmuş*, S.Özçelik*, Z. Güvenç***Gazi Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06500 Teknikokullar-Ankara**Çankaya Üniversitesi, Bilgisayar Mühendisliği Bölümü, 06530 Balgat-AnkaraNi 55+D 2(v i=0,j i=0) çarpışma sisteminin yarı klasik simülasyon sonuçları detaylı birşekilde sunulmuştur. Atom topağının yapıları embedded-atom potansiyeli tarafından,, D 2ve Ni n arasındaki etkileşim LEPS (London-Eyring-Polanyi-Sato) fonksiyonu tarafındanelde edildi. Bu analiz D 2’nin rölatif öteleme enerjisini ve etki parametresinin fonksiyonuolarak bozunmadan saçılmaya uğrayanların olasılıklarını içerir. Ni 55 ile D 2’nin reaktifolmayan etkileşmesinde ilginç özellikler bulmayı bekleriz.Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkürederiz.56

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP23: Ag 2O Katkılı Bi-(Pb)-Sr-Ca-Cu-O Süperiletkenlerin ManyetikTepkisi Ve Bazı Süperiletkenlik Parametrelerinin Belirlenmesiİ.Düzgün 1 , A.Öztürk 2 , İ. Karaca 3 , S. Çelebi 21Karadeniz Teknik Üniversitesi, Rize Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü,53100, Rize2Karadeniz Teknik Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü,61080,Trabzon3Niğde Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 51200, NiğdeBi-(Pb)-Sr-Ca-Cu-O yüksek sıcaklık süperiletken malzemenin elektriksel ve magnetiközelliklerine Ag 2O ilavesinin etkisi araştırıldı. AC alınganlık ölçümleri çeşitli alangenliklerinde çeşitli frekanslarda sıcaklığın fonksiyonu olarak gerçekleştirildi. Ag 2Omiktarının artması ile taneler arası kritik akım yoğunluğunun J cm azaldığıgözlendi.Tanelerin etkin hacimsel kesri f g bulunduktan sonra Kritik Hal Modelleri ileyapılan hesaplamalar ve deneysel verilerin karşılaştırılması sonucunda, taneler arasındadolaşan kritik akım yoğunluğunun alan ve sıcaklık bağlılığı belirlendi. Tanelerinhacimsel kesrinin çalışılan üç süperiletken malzemede, uygulanan alana göre değişimi veAg 2O miktarına göre değişimi araştırıldı. Her bir numunenin AC alınganlık verilerininfrekans bağlılığından aktivasyon enerjisi tahmin edildi.57

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP24: Bazı Elementlerin ( Ni ,Pt ) Termoelastik ÖzelliklerininMoleküler Dinamik (MD) Simülasyon Tekniği ile İncelenmesiG. Ferah , K. ÇolakoğluGazi Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik BölümüBu çalışmada, Modifiye Morse potansiyeline dayalı klasik Embedded–Atom Metod(EAMD) simülasyon tekniği ile Ni ve Pt elementlerinin sıcaklık, basınç, E top, örgüsabiti, vs’nin MD adım sayısı ile değişimleri, P –V davranışı, ergime sıcaklığı vestatik/dinamik elastik sabiti hesaplamaları yapılmış, elde edilen sonuçlar mevcut deneyselve teorik değerlerle kıyaslanmıştır.58

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP25: Ti-Eklenmiş MgB 2/Cu Süperiletken Tellerin Düşük AlanlardakiKarakterizasyonuA. Gencer 1,* , A.Kılıç 1 , N.Güçlü 2 , S.Okur 3 , L.Özyüzer 3 , İ.Belenli 41Fizik Bölümü, Ankara Üniversitesi2Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Tokat3Fizik Bölümü, İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü, İzmir4Fizik Bölümü, Abant Izzet Baysal Üniversitesi, BoluBu çalışmada, powder-in-tube (PIT) tekniği kullanılarak Cu tüplerinin içerisine tozMgB2 ile birlikte 0-20 % oranında Ti eklenmiş süperiletken MgB2/Cu tellerinin üretimive düşük alanlardaki magnetik özellikleri incelenmiştir. Farklı Ti oranlarındakinumunelerin düşük alan karakterizasyonu AC alınganlık ölçümleri ile gerçekleştirilmiştir.Bu ölçümlerden, katkılandırılmamış MgB2/Cu telinin diamagnetik geçiş sıcaklığı 37.8 Kolarak bulunmuş ve ölçülen temel harmonik alınganlık ve AC kayıplar Bean modelisonuçları ile karşılaştırılmış ve nitel olarak uyumlu olduğu tespit edilmiştir. Ti katkısınınkritik akım yoğunluğu (Jc) üzerine etkisi alınganlık sonuçlarından yararlanılarakaçıklanmıştır.59

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP26: Au/SnO 2/n-Si (MIS) Yapıların Elektriksel KarakteristiklerineFrekans ve Radyasyonun EtkisiM. Gökçen, A. Tataroğlu, Ş. AltındalGazi Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü , 06500, Teknikokullar,Ankara,TÜRKİYEİnce bir yalıtkan tabakaya sahip (17 Å) metal-yalıtkan-yarıiletken (MIS) yapılar, bir 60 Coradyasyon kaynağıyla radyasyona tabi tutuldu ve elektriksel özellikleri radyasyondanönce ve sonrası için incelendi. MIS yapı 0 V gerilim altında 0-5x10 5 Gy doz aralığında γradyasyonuna maruz bırakıldı. Seçilen örnek MIS1 numunesinin ara yüzey durumyoğunluğu düşük frekans-yüksek frekans metoduyla hesaplandı. Kapasitans vekondüktans ölçümleri 200 Hz-2 MHz frekans aralığında yapıldı. MIS yapının seridirencinin voltaj, frekans ve radyasyon dozuna bağlı olarak değiştiği gözlendi. C(f)-V veG(f)-V eğrileri, etkin radyasyon tarafından üretilen kusurlardan dolayı oldukçaetkilenmekte olduğu gözlendi. Seri direnç artan radyasyon dozuyla artmaktadır. Sonuçlartetikleme voltaj kaymasının radyasyon doz hızına ve frekansa kuvvetlice bağlı olduğunugöstermektedir. Buna ilave olarak ara yüzey durumlarının (Nss) azalan frekansla arttığıgözlendi.Anahtar kelimeler: -ışını, elektriksel karakteristikler, MIS yapı, radyasyon etkileri, seri direnç.Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkürederiz.60

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP27: YBCO ve YBCO+ZnO Polikristal Süperiletkenlerinin Sertlik veElastik Modulünün Sıcaklık BağımlılığıN. Güçlü 1 , U. Kölemen 1 , O. Uzun 1 , Y. Yoshino 2 ve S. Çelebi 31Gaziosmanpaşa Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü,60240,Tokat2Iwate Üniversitesi Japon Society for the Promotion of Science, 4–3–5 Moroika020–8551, Japonya3Karadeniz Teknik Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü,61080,TrabzonMalzemelerin mikromekanik özellikleri analitik modeller veya deneysel olarak, derinlikduyarlı mikroçentik (DDM) ölçümü ile belirlenebilir [1, 2]. Bu çalışmada, YBCO veYBCO+1%ZnO polikristal süperiletkenleri için, maksimum 4,9 N’ luk kuvvet altında ve40 ile 243 K sıcaklığı arasında Vickers mikrosertlik testi yapıldı. Sertlik ve elastikmodülünün belirlenmesinde, uygulanan yük (P) ile yer değiştirme (h) eğrilerindenhesaplanan enerjiler (toplam, plastik ve elastik enerji) kullanıldı. Sıcaklık azaldıkçasertlik ve elastik modülünün arttığı gözlendi. Bununla birlikte, malzemenin özelliklerinikarakterize edebilecek bazı özel sabitler, toplam enerji sabiti (ν T), plastik enerji sabiti(ν P), elastik enerji sabiti (ν E) ve toplam, plastik elastik enerjiler arasındaki sabitler (ν PT,ν ET, ν EP) önerildi.Referanslar[1] U. Kölemen, S. Çelebi, Y.Yoshino, A .Öztürk Physica C 406 (2004) 20-26.[2] O. Uzun, U. Kölemen, S. Çelebi, N. Güçlü, Journal of the Euro. Ceramic Soc. (2004)(Baskıda)Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2003 K 120510) teşekkürederiz.61

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP28: Alttaş Sıcaklığının Kimyasal Püskürtme Yöntemi ile HazırlananZnO İnce Filmlerin Elektriksel ve Optiksel Özellikleri Üzerine EtkisiT. Güngör, N. KavasoğluHacettepe Üniversitesi Fizik Mühendisliği Bölümü, Beytepe Ankara-06800.Bu çalışmada Kimyasal Püskürtme (KP) tekniği ile saydam alttaşlar üzerine hazırlananZnO saydam iletken oksit ince filmlerin elektriksel ve optiksel özelliklerinin alttaşsıcaklığına (250-400C) bağlı değişimlerinin incelenmesi amaçlanmıştır. Elde edilendeneysel veriler ve X-ışını kırınım desenlerinden yararlanılarak KP tekniği ile ZnO incefilm üretimi için en uygun alttaş sıcaklığı belirlenecektir.62

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP29: İnce Filmlerin Optik Sabitlerinin Belirlenmesinde GenetikAlgoritmanın Optik Geçirgenlik Spektrumuna UygulanmasıT. Güngör, B. Saka*Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi , Beytepe-Ankara 06800*Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe-Ankara 06800Bu çalışmada Genetik algoritma (GA) ile görünür ve yakın infrared bölgesindeki optikgeçirgenlik spektrumu kullanılarak saydam alttaşlar üzerine biriktirilmiş ince filmlerinoptik sabitlerinin hesaplanması amaçlanmıştır. Bu metot, optik geçirgenlik spektrumunukullanan diğer iteratif yöntemlere göre global minimum bulma yaklaşımınıkullanmaktadır. Yöntemin geçerliliği teorik ve deneysel olarak elde edilmiş optikgeçirgenlik spektrumları kullanılarak test edilmiştir.63

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP30: Diiyodobis(3-piridin karboksiamit)çinko(II) and trans-diakuabis(piridin-2-karboksiamit)çinko(II)diyot bileşiklerinin kristalyapılarının incelenmesiS. Güven, H. Paşaoğlu ve O. BüyükgüngörOndokuzmayıs Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi FizikBölümü,Samsun,TürkiyeÇinko metali biyolojik organizmalarda oldukça bol bulunan ve enzimatik reaksiyonlardaönemli rol oynayan bir elementtir. Nikotinamit ilaç endüstrisinde farmakolojik önemesahip olan bir bileşiktir.Çinko merkezli kompleksler pikolinamit(pa; piridin-2-karboksiamit) ve nikotinamit(na;3-piridin karboksiamit) ligandları kullanılarak hazırlandı. Kristal yapıları x-ışını kırınımtekniğiyle belirlendi. Yapı analizleri çinko metal iyonunun [Zn(pa) 2(H 2O) 2]I 2kompleksinde oktahedral çevreye sahipken, ZnI 2(na) 2 kompleksinde bozunmuştetrahedral çevreye sahip olduğunu göstermektedir. Pikolinamit ligantı piridinin N vekarbonil grubunun O atomlarıyla ,nikotinamit ligantı ise piridinin N,karbonil grubunun Ove amid grubunun N atomlarıyla koordinasyona katılmaktadır. ZnI 2(na) 2 kompleksindeiyot atomu Zn metaline bağlanarak koordinasyona katılırken, [Zn(pa) 2(H 2O) 2]I 2kompleksinde serbest iyon halinde bulunmaktadır.Kristal paketlenmeden sorumlu etkileşimler, [Zn(pa) 2(H 2O) 2]I 2 kompleksi için zayıfhidrojen bağları ve … etkileşmeleri iken, [Zn(pa) 2(H 2O) 2]I 2 kompleksi için isehidrojen bağları ve Pi-ring etkileşmeleridir.(a)(b)ŞEKİL: (a) ZnI 2(na) 2 kompleksinin, (b) [Zn(pa) 2(H 2O) 2]I 2 kompleksiningösterimiORTEPIII64

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP31: LEC tekniği ile büyütülen GaSb yarıiletkeninde ‘nicel mobilitespektrum analiz’ tekniğinin uygulamasıB. Y. Işık, A. Yıldız, S. Acar ve M. KasapGazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500Ankara, Türkiye.LEC tekniği ile büyütülen n-tipi Te katkılı GaSb numunesinde, manyetik alan bağımlıözdirenç ve Hall etkisi ölçümleri 14- 350K sıcaklık aralığında yapıldı. Ölçüm sonuçlarınicel mobilite spektrum analiz tekniği ile analiz edildi. Sıcaklık bağımlı bireysel bantparametreleri (µ Г, µ L µ hh, µ lh, n Г, n L, ,n hh and n lh) ve Г ve L vadileri arasındaki enerji farkıhesaplandı.Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkürederiz.65

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP32: Aynı şartlarda hazırlanan ve doğal olarak oksitlenmiş arayüzeyyalıtkan tabakaya (SiO 2) sahip Al/p-Si Schottky diyotlarının engelyüksekliğinin homojensizliğiH. Kanbur, A. Tataroğlu, Ş. AltındalGazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 06500, Ankara, Türkiyeİncelenen Al/p-Si Schottky diyotlar (33 adet) aynı çeyrek ince silikon yarıiletkenüzerinde hazırlandı. Bu diyotların deneysel olarak ileri öngerilimde akım-gerilim (I-V)ve 1 MHz frekans ile ters öngerilim uygulanarak elde edilen kapasitans-gerilim (C-V),iletkenlik-gerilim (G-V) karakteristiklerinden etkin Schottky engel yüksekliği ( B),idealite faktörü (n), ara yüzey durumlarının yoğunluğu (Nss) ve seri direnç (Rs)hesaplandı. B, n, Nss ve Rs için hesaplanan değerler sırası ile 0.66 - 0.74 eV, 1.74 -2.87, 0.565x10 13 - 1.17x10 13 eV -1 cm -2 ve 623 - 4900 arasında değişmektedir. C-Vkarakteristiklerinden elde edilen B, 0.656 - 1.118 eV arasında değişmektedir. İdealitefaktörlerindeki bu yüksek değerler, ara yüzey durum yoğunluğunun ve metal ileyarıiletken arasındaki yalıtkan tabaka kalınlığının yüksek olduğunu göstermektedir. Arayüzeydeki yalıtkan tabaka kalınlığının artırılması ile etkin Schottky engel yüksekliği veara yüzey durumları azalırken idealite faktörünün artığı bulundu. Artan frekans ile ilavekapasitansın azaldığı gözlendi. Bu gözlem Schottky engel yüksekliğindekihomojensizliğin, içerisinden akım geçirilen metal-yarıiletken kontak (MS) yapılarda daoldukça etkili olabileceğini gösterdi.Anahtar Kelimeler :Schottky engel homojensizliği; idealite faktörü; ara yüzey durumları; Yalıtkan tabaka;seri direnç.Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkürederiz.66

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP33: Al/SiO x/p-Si Schottky diyotlarda ilave kapasitans, seri direnç vearayüzey durumların etkisiH. Kanbur, A. Tataroğlu, Ş. AltındalGazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 06500, Teknikokullar,Ankara, TürkiyeAl/SiO x/p-Si Schottky diyotların oda sıcaklığında akım-gerilim karakteristikleriincelendi. Ayrıca kapasitans-gerilim ve iletkenlik–gerilim (C-V ve G-V) ölçümleri genişbir frekans aralığında (100 Hz -1 MHz ) çalışıldı. Ara yüzey durumların enerji dağılımı(Nss) ileri öngerilim altında I-V ölçümlerinden Nss 10 13 cm -2 eV -1 elde edildi. Nss içinbu yüksek değerler ideal olmayan I-V ve C-V karakteristiklerinden kaynaklanmaktadır.C-V ve G-V ait frekans dağılımları ara yüzey durumlarına bağlı olarak açıklanabilir.Özellikle düşük frekanslarda , Nss a.c sinyali ve ilave kapasitansı takip edebilir.Anahtar Kelimeler:İlave kapasite; ara yüzey durumları; Seri direnç; gerilim bağımlılığı; frekans bağımlılığı.Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkürederiz.67

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP34: LEC Tekniği ile Büyütülen S katkılı InAs Yarıiletkeninin SıcaklıkBağımlı Magneto ve Elektron İletim Özellikleriİ. Kara, S. B. Lişesivdin, S. Acar ve M. KasapGazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar,06500Ankara, Türkiye.LEC tekniği ile büyütülen n-tipi S katkılı InAs yarıiletkeninde özdirenç, magnetoözdirenç ve Hall etkisi ölçümleri sıcaklığın (14 K – 350 K) ve manyetik alanın (0 – 13.5kG) fonksiyonu olarak ölçüldü. Sıcaklık bağımlı özdirenç ölçümleri lineer ve kuvvetmodelleri kullanılarak analiz edildi. LEC tekniğinin doğasından ve S katkılamadankaynaklanan safsızlık seviyeleri sıcaklık bağımlı magneto özdirenç katsayısında 30 K ve180 K civarlarında belirgin iki minimum oluştuğu gözlendi. Düşük sıcaklık bölgesindekiminimum, S katkısından ve orta sıcaklık bölgesindeki minimum, LEC tekniğindeki C veZn safsızlıklarından kaynaklanan bu iki tip safsızlık seviyesinden gelen elektronsaçılmalarıyla ilişkilidir.Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkürederiz.68

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP35: Nematik Sıvı Kristallerin Optiksel YönelimiR. Karapınar 1 , M. O’Neill 2 ve S. M. Kelly 31Fizik Bölümü, Yüzüncü Yıl Üniversitesi, 65080 Van, Türkiye2Department of Physics, University of Hull, Hull HU6 7RX, UK3Department of Chemistry, University of Hull, Hull HU6 7RX, UKSıvı kristal (SK) göstergelerin üretiminde ilk olarak moleküler düzeyde düzgün yönelimliince filmlerin elde edilmesi gereklidir. Bu amaç için genel olarak sürtme yöntemikullanılmaktadır. Ancak, sürtme işlemi levha yüzeylerinde toz ve elektrostatik yükoluşumuna neden olmakta ve bu durum göstergelerdeki ince film transistor elemanlarınazarar vermektedir. Yine oluşan SK yönelimin eş-eksenli özelliği nedeniyle, bu türgöstergelerde sınırlı bir görüş açısı sorunu ortaya çıkmaktadır. Böylece düzgün yönelimliince SK filmlerin oluşumuna yönelik olarak çeşitli yeni yöntemlerin geliştirilmesi sonzamanlarda gittikçe artan bir ilgiye neden olmaktadır. Bu çalışmada, SK moleküllerinince fotopolimer yüzeyler üzerindeki yönelimi inceleme konusu edilmektedir. Üzerlerineçizgisel kutuplanmış mor ötesi lazer ışığı gönderilen fotopolimer filmlerde bir optikselanizotropinin ortaya çıktığı gözlenmiş ve bu optiksel anizotropi lazer ışığının ışımasüresine bağlı olarak incelenmiştir. Bu tür fotopolimer filmlerle kaplı iletken levhayüzeylerinde SK moleküllerin belirli bir optik eksen boyunca yöneldikleri deneyselolarak belirlenmiş ve moleküllerin levha yüzeyindeki bağlanma enerjisi hesaplanmıştır.Bu yöntem kullanılarak büklümlü nematik SK göstergenin yapımı gerçekleştirilmiştir.69

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP36: Polimerik yapılı -siyano-disiyanonikelat(II)- -siyano-transbis[N-(hidroksietil) etilendiamin] kadmiyum(II)G. Kaştaş a , H. Paşaoğlu a A. Karadağ b ve O. Büyükgüngör aaOndokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 55139,Kurupelit, SamsunbGaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen Fakültesi, Kimya Bölümü,60250, TokatSiyano grubunun merkez konumundaki bir çok atomu bağlama yeteneği, çeşitli molekülgruplarının yada süper moleküllerin hazırlanmasında yaygın olarak kullanılmaktadır.Siyano kompleksler, iyon değiştirici, moleküler elek yada gaz depolayıcı maddeler olarakkullanıldığı gibi gazların ayrılmasında, seyreltik çözeltilerden gümüş iyonununtoplanmasında ve radyoaktif atık sulardan radyoaktif sezyum atomunun soğurulmasındada kullanılmaktadır. Özellikle kadmiyum ve nikel ile hazırlanan siyano-köprülü bileşiklerörgü boşluklarında küçük organik molekülleri hapsederek ev-sahibi misafir sistemlerioluşturabilmektedir. Diğer taraftan hetero-nükleer bir boyutlu siyano bileşikler, spindinamiği çalışmaları için oldukça uygundur. Paramagnetik merkez atom içeren ve çeşitliboyutlara sahip siyano komplekslerin magnetik çalışmaları da yapılabilmektedir. Buözellikleri nedeniyle siyano kompleksler son yıllarda bir çok çalışmaya konu olmuştur.Bu çalışmada, catena-poli[[-siyano-1:2 2 C:N-disiyano-1 2 C-trans-bis[N-(2-hidroksietil)etan-1,2-diamin-2 2 -N,N]kadmiyum(II)nikel(II)]--siyano-1:2 2 2C:N],[CdNi-(CN) 4(C 4H 12N 2O) 2], bileşiği sentezlenerek yapısı kırmızı-altı spektroskopisi ve x-ışını kırınım tekniği ile aydınlatıldı. 2,2-CT tipi zincir yapıya (bir boyutlu zig-zag) sahipolan polimerik kompleks, kare-düzlem geometrili Ni(CN) 4 anyonu ile Cd(hidet-en) 2(hidet-en = hidroksietiletilendiamin) katyonundan oluşmaktadır. Kadmiyum atomu, ikikatlı eksen üzerinde bozunmuş bir oktahedral çevreye sahipken, kare düzlem geometriliNi atomu molekülün inversiyon merkezinde bulunmaktadır.Şekil : [CdNi-(CN) 4(C 4H 12N 2O) 2] bileşiğinin ORTEP(III) gösterimi70

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP37: PrMn 2-xNi xGe 2 Bileşiklerinin XRD, AC susceptibility ve DSCçalışmasıS. Kervan a , A. Kılıç b , A. Gencer baMalzeme Bölümü ANAEM, TAEKbFizik Bölümü, Ankara ÜniversitesiBu çalışmada, PrMn 2-xNi xGe 2 (0.0≤x≤1.0) örneğinin yapısal ve magnetikkarakterizasyonu XRD (X-ray diffraction ), DSC (differential scanning calorimetry), ACalınganlık ölçümleri ile yapıldı. Bütün bu bileşikler hacim merkezli tetragonal ThCr 2Si 2tipi yapıda kristallenir ve uzay grubu I4/mmm’dir. Mn yerine Ni atomlarının gelmesi,birim hücre parametresi c ve birim hücre hacminin lineer azalmasına sebep olurken x’inküçük değerlerinde ferromagnetik davranıştan antiferromagnetik davranışa geçmesinesebep olur. x =0.8 ve x =1.0 numunelerinde Néel sıcaklıkları sırasıyla 33 K ve 35 Kolarak tespit edilmiştir. Mn’nın yerine magnetik olmayan Ni atomunun yerleşmesiMoleküler alan kuvvetini azaltarak Curie sıcaklığının azalmasına neden olur. Sonuçolarak magnetik faz geçiş sıcaklıklarından yararlanılarak x-T magnetik faz diyagramı eldeedildi.71

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP38: LaMn 2-xCo xGe 2 Bileşiklerinin Düşük Magnetik AlanKarakterizasyonuA. Kılıç a , S. Kervan b , A. Gencer aaFizik Bölümü, Ankara ÜniversitesibMalzeme Bölümü ANAEM, TAEKBu çalışmada, LaMn 2-xCo xGe 2 (0.0≤x≤1.0) örneğinin yapısal ve düşük alan magnetikkarakterizasyonu XRD (X-ray diffraction ), DSC (differential scanning calorimetry), ACalınganlık ölçümleri ile yapıldı. Bütün bu bileşikler hacim merkezli tetragonal ThCr 2Si 2tipi yapıda kristallenir ve uzay grubu I4/mm’dir. Mn yerine Co atomlarının gelmesi,birim hücre parametreleri ve birim hücre hacminin lineer azalmasına sebep olurkendüşük Co konsantrasyonlarında numuneler ferromagnetik davranış gösterirler. Sonuçolarak magnetik faz geçiş sıcaklıklarından yararlanılarak x-T magnetik faz diyagramı eldeedildi.72

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP39: Gümüş Kılıflı ve Kılıfsız Yığın Bi-2223 Süperiletken ÜzerineSoğuma Hızlarının EtkisiA. Kılıç 1 , C. Terzioğlu 2 , Ö. Öztürk 2 , İ. Belenli 2 ve A. Gencer 11Ankara Üniversitesi, Fizik Bölümü Ankara2Abant İzzet Baysal Üniversitesi,, Fizik Bölümü BoluBu çalışmada, aynı koşullarda Gümüş kılıflı ve kılıfsız olarak hazırlanan Bi-2223süperiletken malzemeleri aynı sıcaklıkta tavlandıktan sonra sırasıyla 10 o C/h, 25 o C/h, 50oC/h, 75 o C/h ve 100 o C/h gibi soğuma hızlarına tabi tutularak hazırlanmıştır. Bumalzemelerin süperiletken özellikleri elektriksel direnç ve AC alınganlık ölçümleriylearaştırıldı. Elde edilen sonuçlarla soğuma hızlarının gümüş kılıflı ve kılıfsız Bi-2223numuneleri üzerindeki etkileri incelendi ve bu iki tür numune arasında süperiletkenliközelliklerine göre karşılaştırma gerçekleştirilmiştir.73

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP40: IV-VI Gurubuna ait Pb (1-x) Sn xTe/BaF 2’ nin elektrikselözelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesiA. İ. Kılıç, S. Acar M. Kasap ve S. ÖzçelikGazi Üniversitesi, Fen –Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 06500 Teknikokullar,Ankara, TürkiyeBu çalışmada IV-VI yarıiletken gurubundan, İndisleri x=0,2 ve 0,22 olan çok küçük bantaralığına sahip Pb (1-x) Sn xTe/BaF 2 yarıiletkeninin elektriksel özellikleri incelenmiş ve Pb (1-x) Sn xTe/BaF 2 malzemesinin sıcaklığa bağımlı olarak özdirenç, ‘mobilite’ ve taşıyıcıyoğunluklarının analizleri yapılmıştır.Sıcaklığa bağımlı özdirenç hesaplamalarında‘gruneissen-block’ denkleminden faydalanılmış ,Yine sıcaklığa bağımlı mobilitehesaplamalarında yüksek sıcaklıklarda akustik fononlar tarafından saçılmamekanizmasının =A.T - bağıntısıyla baskınlığı gözlenmiştir.Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkürederiz.74

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP41: La 0.62Bi 0.05Ca 0.33MnO 3 Numunelerde Magnetokalorik EtkiV.S. Kolat, S. Atalay, H. Gencer ve H.İ. Adıgüzelİnönü Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü MalatyaLa 0.67Ca 0.33MnO 3 ve La 0.62Bi 0.05Ca 0.33MnO 3 kompozisyonlarına sahip polikristalnumuneler, standart katıhal reaksiyon yöntemiyle yüksek saflıkta La 2O 3 , CaCO 3 , MnOve Bi 2O 3 çıkış bileşikleri kullanılarak üretildi. LaCaMnO yapısına Bi katkılanarakoluşturulan perovskite yapının magnetik ve magnetokalorik davranışlarındakideğişiklikler incelendi. Üretilen perovskite yapıdaki numunelerin yapısalkarakterizasyonu X-ışınları toz kırınımmetresiyle incelenerek örgü sabitleri 3.863 A ve3.8586 A olarak hesaplandı. Böylece La yerine Bi katkılanmasının yapının genelkarakterizasyonu üzerinde önemli bir değişikliğe neden olmadığı belirlenerek, Bikatkılamanın sadece yapının örgü sabitinde bir miktar azalmaya neden olduğu sonucunaulaşıldı. Numunelerin grain büyüklükleri taramalı LEO-EVO-40 elektron mikroskobu(SEM) kullanılarak ölçüldü. Buna göre 1200 C lik ısıl işlem altında üretilenLa 0.62Bi 0.05Ca 0.33MnO 3 polikristal numunesinin grain büyüklüklerinin 4 m ile 10 marasında olduğu, La 0.67Ca 0.33MnO 3 poli kristal numunesi için ise aynı grain büyüklüklerineancak 1400C lik ısıl işlemle ulaşılabildiği belirlendi. Böylece LaCaMnO perovskiteyapıya Bi katkılamanın, yapının oluşturulması için gerekli olan ısıl işlem sıcaklığıüzerinde olumlu bir etkiye sahip olduğu bulunmuş ve küçük konsantrasyon oranında(x=0.05) katkılanan Bizmutun ısıl işlem sıcaklığını yaklaşık olarak 200C düşürdüğübelirlenmiştir. Numunelerin magnetik ve magnetokalorik davranışları, Crygenic, Q3398vibrating sample magnetometre (VSM) kullanılarak incelendi. Magnetizasyonunsıcaklığa bağlılığı (M-T) eğrileri kullanılarak La 0.67Ca 0.33MnO 3 ve La 0.62Bi 0.05Ca 0.33MnO 3polikristal numunelerin Curie sıcaklıkları (T c) sırasıyla yaklaşık 269K ve 248K olarakölçüldü ve Bi katkılamanın Curie sıcaklığını bir miktar düşürdüğü belirlendi. M-Heğrileri kullanılarak numunelerin magnetik entropi değişimleri farklı magnetik alandeğerleri için hesaplandı. Curie sıcaklığı civarında ve 1 Teslalık magnetik alan değişimialtında Bi katkılanmış numunenin maksimum magnetik entropi değişimi S M=3.5J/kg.K olarak hesaplandı ve sonuç olarak perovskite yapıya Bi katkılamanınmagnetokalorik özellikler açısından olumlu bir etki yaptığı gözlendi.75

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP42: Al xGa 1-xAs/GaAs Kuantum Kuyu Yapısının Büyütülmesi ve X-ışınları Difraksiyonu ÖlçümleriS. Korçak, H. Gümüş, M.K. Öztürk, H. Altuntaş, A.İ. Kılıç, A. Bengi, T.S.Mamadov, S. ÖzçelikGazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü T.Okullar-AnkaraYüksek kalitede Al xGa 1-xAs/GaAs kuantum kuyulu (QW) yapı SEMICON VG80H modelMBE makinesinde büyütüldü. Bu yapıda Zn ile katkılanmış (100) yönelimli p-tipi GaAsalttaş üzerine 0,5 m kalınlığında GaAs tampon tabaka, x=60 için 1 m kalınlığındaBe katkılı p-tipi Al 0.6Ga 0.4As tabaka, 0,15 m kalınlığında x=60’dan 20’ye monotonolarak değişen Al xGa 1-xAs tabaka, 50Å kalınlığında katkılanmamamış GaAs kuantumkuyusu ,0,15 m kalınlığında x=20’den 60’a değişen AlxGa 1-xAs tabaka, x=60 için 1 m kalınlığında Si katkılı n-tipi Al 0.6Ga 0.4As tabaka ve 0,25 m kalınlığında Si katkılı n-tipi GaAs tabakası büyütülerek tekli kuantum kuyulu (QW) lazer diyot yapısıoluşturuldu. Sonuçların testi için tabaka kalınlıkları X-ışınları difraksiyonu ve LEPTOSsimülasyon programı ile analiz edildi.Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2003K120470-15)teşekkür ederiz.76

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP43: Polipirol/P-Si/Al Diyotunda, Yaşlanmanın Etkisiyle KaydedilenI-V Ölçümlerinin DeğerlendirilmesiD.Korucu, M.Sağlam Ve A. Turut Gazi Üni., Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara, Türkiye,dkorucu@yahoo.com*Atatürk Üni., Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Erzurum, Türkiye,msaglam@atauni.edu.tr*Atatürk Üni., Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Erzurum,Türkiye,aturut@atauni.edu.trBu çalışmada, kendi araştırma laboratuarında ürettiğimiz polipirol/p-Si/Al diyotununidealite faktörü, engel yüksekliği, seri direnci gibi karakteristik parametrelerindeyaşlanmanın etkisiyle görülen değişimlerin bir değerlendirilmesiyapılmaktadır.Polipirol/p-Si/Al diyotunun I-V eğrileri 7,15,30,60 ve 90 gün sonrakaydedilerek karakteristik parametrelerin geçen zaman sürecindeki değişimi farklı birbakış açısıyla araştırılmaya çalışılmıştır.Ayrıca bu çalışmada diyotun doğru belsem I-Vverileri kullanılıp Cheung fonksiyonları yardımıyla dVd lnI I grafiğinden eldeedilen numunenin idealite faktörü ve seri direnç değerleri ile H I I grafiğindenbulunan seri direnç değerlerinin birbiriyle uyum gösterdiği görülmüştür. Benzer şekildedoğru besleme I-V grafiğinden elde edilen engel yüksekliği değerleri ile Cheungfonksiyonları metoduyla bulunan engel yüksekliği değerlerinin de birbirine yakındeğerler olduğu görülmüştür. Ancak doğru belsem I-V grafiğinden elde edilen idealitefaktörü değerlerinin Cheung fonksiyonları metoduyla hesaplanan idealite faktörüdeğerlerinden küçük olduğu görülmüş ve bunun nedenleri incelenmeye çalışılmıştır.Diyotumuzda yaşlanmanın etkisiyle I-V karakteristiklerinin zamanla iyileştiğigözlenmiştir. Bu durum, kimyasal olarak hazırlanan yarıiletken üzerindeki ince oksittabakasının varlığıyla açıklanmaktadır. Yarıiletken ile polimer arasındaki dipol ortadankaybolduğu zaman kararlı değerlere ulaşmak mümkündür.77

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP44: MgB 2 Süperiletken Numunesinin Derinlik Duyarlı MikroçentikDeneylerindeki Yük-Derinlik Verilerinin AnaliziU. Kölemen 1 , O. Uzun 1 , M. Aksan 2 , O. Şahin 3 ve N. Güçlü 11Gaziosmanpaşa Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü,60240, Tokat2İnönü Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 44069, Malatya3Süleyman Demirel Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, 32260,IspartaBu çalışmada, MgB 2 süperiletken numunesinin mekaniksel özelliklerini karakterizeetmek için dinamik ultra-mikroçentik deney tekniği kullanıldı. Numunenin yük-yerdeğiştirme eğrileri farklı maksimum yük değerleri için elde edildi. Bu eğrilerin uygulananyükün kaldırılmasına (unloading) karşılık gelen kısımları, Oliver-Pharr metodukullanılarak analiz edildi. Yapılan hesaplamalar sonucunda, hem sertlik (H ), hem deetkin (reduced) modülün (E r) uygulanan yüke bağlı olarak değiştiği (çentik boyut etkisi;ISE) gözlendi. Diğer bir yandan MgB 2 süperiletkeninin çentik deformasyonu davranışınıbelirlemek için h f/h max değerleri kullanıldı. Her bir ölçüm için bulunan ortalama h f/h maxdeneysel değerlerinin literatürde belirtilen kritik değer (0,7)’ den daha düşük olduğugözlendi. Bu sonuç ise, MgB 2 süperiletken numunesinin işlem sertleşmesi davranışıgösterdiğini ortaya koydu.Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2003K120510)teşekkürederiz.78

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP45: 3-Boyutlu Blume-Capel Modelde Soğutma Hızının EtkisiB. Kutlu, A. Özkan * , N. Seferoğlu **Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, Ankara, Türkiye, bkutlu@gazi.edu.tr*Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, Ankara, Türkiye,aozkan_1@mynet.com**Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, Ankara,Türkiye,nurgul2004@hotmail.comBu çalışmada 3-boyutlu Blume-Capel modelin basit kübik örgüdeki üçlü kritik davranışıCreutz algoritmasını[1] temel alan Cellular Automaton algoritması[2] ile incelendi.Bugüne kadar yaklaşık metotlar ve simülasyon teknikleri kullanılarak yapılan çalışmalar,Blume- Capel modelin 2 ve 3-boyutta üçlü-kritik noktaya sahip olduğunu göstermiştir [3-6]. Bu çalışmalardan, faz geçişinin ikinci dereceden birinci dereceye dönüştüğü, üçlükritiknoktanın tespitinin oldukça güç olduğu ve bu noktanın belirlenmesinde yarı kararlıdurumların ortaya çıkarılmasının önemli bir etkiye sahip olduğu görülmektedir. Üçlükritik noktanın belirlenmesinde, “soğutma” işlemi yaygın olarak kullanılmaktadır [7-10].Bu çalışmada, soğutma hızının yarı kararlı durumların oluşumu üzerindeki etkisiincelendi. Bu amaçla, modelin D/J –kT/J faz uzayında üçlü kritik nokta civarındaki D/J =2.8, 2.84, 2.9 parametreleri için L=20 örgüsünde kritik davranışı farklı soğutma hızlarıkullanılarak incelendi. Modelin ikinci derece faz geçiş bölgesindeki D/J = 2.8parametresinin kritik davranışı üzerinde soğutma hızının herhangi bir etkiye sahipolmadığı, üçlü-kritik bölgede yer alan D/J = 2.84 parametresinde, soğutma hızına bağlıolarak kritik davranışın, ikinci derece faz geçişinden birinci derece faz geçişinedönüştüğü görülmektedir. Birinci derece faz geçiş bölgesindeki D/J = 2.9 parametredeğerinde ise, soğutma hızı artarken, düşük sıcaklık bölgesinde görülen düzenin “++”dan “00”a dönüştüğü tespit edilmiştir. Bu durum, üçlü-kritik nokta civarında soğutmahızının kritik davranış üzerinde büyük etkiye sahip olduğunu göstermektedir.Referanslar[1] M. Creutz,Ann. Phys. 167,62(1986)[2] B. Kutlu, Int. J. of Mod. Phys. C12,1401(2001)[3] M. Deserno, Phys. Rev. E56, 5204(1997)[4] T.W. Burkhardt, H.J.F. Knops, Phys. Rev. B15,1602(1977)[5] A. F. Siqueira, I. P. Fittipaldi, Physica A138,592(1986)[6] S. Grollan, E. Kierlik, M. L. Rosinberg, G. Tarjus, Phys. Rev. E63,041111(2001)[7] S. B. Ota, S. Ota, J of Cond. Matt.,12,2233(2000)[8] C. Chatelain, B. Berche, W. Janke, P. E. Berche, Phys. Rev. E64,036120(2001)[9] A. Falicov, A. N. Berker, Phys. Rev. Lett.,76,4380(1996)[10] I. Puha, H. T. Diep, J. of Mag. Matt.,224,85(2001)79

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP46: LEC tekniği ile büyütülen Te-katkılı InSb yarıiletkenindegalvanomagnetik ölçümlerS. B. Lişesivdin, Ü. Yurdugül, S. Demirezen, S. Acar ve M. KasapGazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500Ankara, Türkiye.LEC tekniği ile büyütülen, n-tipi Te katkılı InSb yarıiletkende özdirenç, magnetoözdirençve Hall etkisi ölçümleri sıcaklığın (14-350K) ve manyetik alanın (0-1.35 T) fonksiyonuolarak yapıldı. Ölçüm sonuçları geleneksel ve nicel mobilite spektrum analizi tekniklerikullanılarak analiz edildi. Analiz sonuçlarından; LEC kristal büyütme tekniğinden ve Tekatkısından kaynaklanan safsızlık seviyelerinin, magneto ve elektron iletim özelliklerineşiddetli bir etkisi olduğu bulundu. Sıcaklık bağımlı manyeto özdirenç katsayısı düşensıcaklıkla iki minimum sergileyerek bir artış göstermektedir. Bu minimumlar iki tipsafsızlıkla ilgili olduğu bulundu.Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkürederiz.80

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP47: Succinonitril - %7.5 Ağ. CBr 4 Alaşımının DoğrusalKatılaştırılması ve Büyüme Hızı ile Sıcaklık Gradyentinin MikroyapıParametrelerine Etkisinin İncelenmesiN. Maraşlı a , K. Keşlioğlu a , B. Arslan a , H. Kaya b ve E. Çadırlı baErciyes Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 38039 KayseribNiğde Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü,, 51200, NiğdeSuccinonitril- % 7.5 ağ. Karbon tetrabromür alaşımı sabit büyüme hızında (V = 33μm/s) beş farklı sıcaklık gradyenti için (G = 4.1-7.6 K/mm) ve sabit sıcaklıkgradyentinde (G = 7.6 K/mm) beş farklı büyüme hızı için (V = 7.2-116.7 μm/s) tek yönlüdoğrusal olarak katılaştırılmıştır. Katılaştırma esnasında çekilen fotoğraflardan birinci veikinci dedritik kollar arası mesafeler, dendrit uç yarıçapları ve yumuşak bölge derinlikleriölçülmüştür. Deneysel olarak ölçülen mikroyapı parametreleri teorik modellerden eldeedilen sonuçlar ile kıyaslanmıştır. Elde ettiğimiz deneysel sonuçlar ile mevcut teorikmodellerden elde edilen sonuçlar ve literatürdeki benzer deneysel çalışmalarda eldeedilen sonuçların uyum içerisinde olduğu görülmüştür.81

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP48: Fe-%18Cr-%10Mn-%16Ni ve Fe-%18Cr-%12Ni-%2MoAlaşımlarının Fonon DispersiyonuM. Özduran 1 , İ. Akgün 2 , G. Uğur 21Gazi Üniversitesi, Kırşehir Fen Edebiyat Fakültesi, 06500 Ankara, TÜRKİYE2Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, 06500 Ankara, TÜRKİYEBu çalışmada, Akgün ve Uğur tarafından tanımlanan çok-cisim etkileşmeli potansiyel(M.B.R.) kullanılarak yüzey merkezli kübik (f.c.c) yapıda Fe-%18Cr-%10Mn-%16Ni veFe-%18Cr-%12Ni-%2Mo alaşımlarının fonon frekansları incelendi. İncelenen Fe-%18Cr-%10Mn-%16Ni ve Fe-%18Cr-%12Ni-%2Mo alaşımları için MBR’yi tanımlayanparametreler Akgün ve Uğur tarafından tanımlanan metoda göre hesaplandı.Sonuç olarak Fe-%18Cr-%10Mn-%16Ni ve Fe-%18Cr-%12Ni-%2Mo alaşımlarınınfonon frekansları temel simetri yönlerinde, hesaplanan iki ve üç-cisim kuvvet sabitlerinikullanarak hesaplandı. Teorik sonuçlar deneysel dispersiyonla mukayese edildi.82

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP49: Toz Kırınımı ile Yapı Belirlenmesi ve C 23H 20N 4O 3 MolekülününKristal Yapısının Toz Kırınımı Yöntemi ile İncelenmesiÖ.Özgen, E. Kendi, S. Koyunoğlu, A. Yeşilada, P. W. StephensBu çalışmada, antibakteriyal ve antifungal gibi çeşitli biyolojik aktiviteleri olan vefarmakolojide geniş bir araştırma alanı olan 2-pirazolin türevlerinden polikristal formdaolan bir örnegin kristal yapisi toz kirinim yöntemi ile incelendi. 2 - [ 3-metoksifenil-5-(furil-2-il)-2-pirazolin-1-il ] -3-metil - 4(3H) - kinazolinon (C 23H 20N 4O 3) molekülününkristal sistemi monoklinik, uzay grubu P2 1/n ve örgü parametreleri a=16.534(2), b =9.863(1), c = 13.624(1) Å ve β = 116.609( 9)˚ , Z=4 olarak bulundu. Molekülünkimyasal diyagramı aşağıda verilmektedir.ONNNOCH 3NCH 3O83

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP50: Mn xMg 1-xTiO 3 Seyreltilmiş Antiferromagnet malzemesininYapısal ve Elektriksel ÖzellikleriB. Özkurt, Atilla Coşkun, A. Ekicibil, B. Özçelik, K. KıymaçÇukurova Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 01330, Balcalı,AdanaBu çalışmada Mn xMg 1-xTiO 3 seyreltilmiş antiferromagnet malzemesinin (0.65≤x≤0.95)değerleri için elektriksel ve magnetiksel özellikleri incelenmiştir. Bu oksitler önemli birilgi alanı oluşturmaktadır, çünkü x değerindeki herhangi değişim faz dönüşümlerineneden olmaktadır. Bu malzeme üzerinde X-ışınları kırınım desenleri, Taramalı ElektronMikroskobu çalışmaları (SEM) ve EDAX Analizi çalışmaları yapılmış ve bu analizlerışığında baskın fazın tüm x değerleri için MnTiO 3 olduğu anlaşılmıştır. Mn ve Mgatomlarının yer değiştirmesi sonucunda herhangi bir yapısal değişiklik gözlenmemiştir.Bununla beraber, x değerlerindeki azalmayla birlikte MgTiO 3 ve Mg 2TiO 4 fazlarınarastlanmıştır. Ayrıca örneğin elektriksel iletkenlik ölçümleri yapılmış ölçümlersonucunda bu değerin ~210 K’de sabitlendiği gözlenmiştir. Örneğin yarıiletken özelliğianımsatan enerji aralığı değeri 0.31 eV olarak hesaplanmıştır.84

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP51: Yüksek Sıcaklık Süperiletkenlerinde Görülen Ac KayıpVadisinin AnaliziA.Öztürk 1 , U.Kölemen 2 , F.İnanır 3 , İ.Düzgün 3 , S.Çelebi 11Karadeniz Teknik Üniv., Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 61080,Trabzon2Gaziosmanpaşa Üniv., Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 60240,Tokat3Karadeniz Teknik Üniv., Rize Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, RizeBilindiği gibi, II. tip süperiletkenlerin “pinning” özellikleri oldukça ilgi çeken araştırmaalanlarından biridir. Bu malzemelerde kritik akım yoğunluğu, magnetizasyon, tuzaklananakı, tersinmezlik çizgisi, akı sürüklenmesi, akı çizgilerinin kesişmesi ve çapraz akışı,magnetik levitasyon, AC alınganlık ve AC histeresis kayıpları bu “pinning” özelliğininbir yansımasıdır. II. tip süperiletkenlerin birçok çeşidinde AC-kayıpları, belli bir h 0genliğine sahip H a uygulanan alanı için birim hacim ve birim çevrim başına enerji kaybıW(h 0, H b, T, v), sabit bir T sıcaklığında ve sabit düşük v frekansında, h 0 ile aynıdoğrultuda olan H b statik magnetik alanın fonksiyonu olarak ölçüldüğünde bir vadigösterdiği bazı bilim adamları tarafından yayınlanmıştır. Bu özellik Clem vadisi olarakbilinir. Bu olay özellikle h 0

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP52: Aşırı soğuk Fr izotoplarının elastik saçılmasıM. K. Öztürk ve S. ÖzçelikGazi Üniversitesi, Fen-Ed. fakültesi, 06500 Teknikokullar, Ankara, TürkiyeAşırı düşük sıcaklıklarda bozonik Fr izotoplarının elastik çarpışmalarında, toplamelastik, spin yük ve ‘difüzyon’ tesir kesitlerin hesaplamaları ayrıntılı olarak incelendi. Frizotoplarının singlet ve triplet etkileşme potansiyelleri parametrik olarak inşa edildi ve‘shape’ rezonans bölgesinde Fr’mun saçılma özelliklerinin hesaplanmasında kullanıldı.Enerjinin fonksiyonu olarak toplam elastik, spin yük ve difüzyon tesir kesitleri önemli biryapı gösterir ve düşük sıcaklıklarda geniş değerlere sahip. 32 picoK- 3 K menzilisıcaklıklarda nümerik ve yarı-klasik sonuçlar ayrıntılı karşılaştırılır. Hatta bir kaç Kelvinsıcaklıklarda spin-yük ve ‘difüzyon’ tesir kesitlerinin geniş olması Fr izotoplarının‘yoğuşma’sını üretmek için etkili bir yol sağlayabilir.86

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP53: Benzothiazol-2-yl-(4-dimethylamino-benzylidene)-aminemolekülünün kristal yapısıH. Saraçoğlu 1 , N. Çalışkan 1 , C. Davran 2 , S. Soylu 1 ,H. Batı 2 Ve O.Büyükgüngör 11 Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 55139,Kurupelit, Samsun2 Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Kimya Bölümü, 55139,Kurupelit, SamsunSchiff bazı bileşikleri antibakteriyel, antikanserojen ve antitoksik özelliklere sahiptir.Özellikle kükürt içeren Schiff bazları daha da etkindir. Benzotiazol gruplar ise organikboyar madde olarak kullanıldığı gibi gram-pozitif ve gram-negatif bakterilerlemücadelede, veremin, sıtmanın tedavisinde mikrop öldürücü ve ateş düşürücü özellikleresahiptir.Bu çalışmada bir Schiff bazı olan C16 H15N3Smolekülünün sentezi yapılmıştır.Sentezlenen kristalin x-ışını verilerinden Z=8 ve uzay grubunun P 2 1/ c olduğugörülmüştür. Yapının asimetrik birimde A ve B gibi iki bağımsız moleküle sahip olduğu,C-N bağına göre de her iki molekülün birbirinin dönme izomeri olduğu tespit edilmiştir.Ayrıca A ve B moleküllerinin birbirinden farklı molekül içi bağlar sergilediği; bubağların A molekülü için C-H...N biçiminde ve B için C-H...S şeklinde gerçekleştiğigörülmektedir. Simetri merkezi etrafında yapı C-H... moleküller arası hidrojenbağlarına da sahiptir. Moleküler yığılmada C-H... ve - etkileşimleri etkin roloynamaktadır.87

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP54: In xGa 1-xAs/GaAs(x=0,15) Süperörgüsü’ nün MBE’ deBüyütülmesi ve Bazı Elektriksel, Optiksel Özelliklerinin BelirlenmesiB. Sarıkavak, H. Altuntaş, A. Bengi, T.S. Mamedov, S. ÖzçelikGazi Univ., Fizik Bölümü, Ankara, TürkiyeYüksek kaliteli In xGa 1-xAs/GaAs süperörgüsü (SLS) x=0,15 için V80H-MBE sistemi ilebüyütüldü.n-tipi GaAs (100) alttaş büyütme odasına transfer edildi. 640-680°C’ de As 2akısı altında 20-30 dak tutularak oksit temizlenmesi yapıldı. Her periyodun kalınlığı0,3µm olan 5 periyotlu InGaAs süperörgü yapısı 560°C’ de büyütüldü. Ga büyütmeoranı 1µm/saat olarak RHEED kullanılarak ayarlandı ve Ga akısı tüm büyütme süresincedeğiştirilmedi. As 4 /Ga oranı da yaklaşık 1-2 olacak şekilde As 2 akısı da tüm süreçtesabit tutuldu.Tabaka kalınlığı, X-ışınları difraksiyonu yolu ile belirlendi. Katkılınumuneler C-V profili yoluyla karakterize edildi. Diyot yapıları için ise I-V yoluylakarakterize edildi. I-V ölçümlerinden idealite faktörü (n), potansiyel engel yüksekliği (B) ve arayüzey durumları belirlendi. C-V, (G/W) –V ölçümlerinden katkı atomlarınınyoğunluğu, difüzyon potansiyeli,potansiyel engel yüksekliği ( B), seri direnç (R s), Fermienerjisi belirlendi.Anahtar Kelime:Kristal büyültme, MBE, RHEED, difüzyon potansiyeli, potansiyel engel yüksekliği, seridirençDesteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkürederiz.88

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP55: Katlı GaSe’nin Optik Anizotropisinin Fotoışıma ve FTIRspektroskopisi ile incelenmesiA. SeyhanOrtadoğu Teknik Üniversitesi, Fizik Bölümü, AnkaraBu çalışmada katlı yarıiletken GaSe’nin optik anizotropisi Fotoışıma ve FTIRspektroskopisi ile incelendi. GaSe’nin fotoışıma spektrumunda görülen, birbirine yakıniki tepe, doğrudan bant kenarlarından kaynaklı serbest ve bağlı eksitonlar olarakyorumlandı. GaSe’ nin fotoışıma ve geçirgenlik spektrumu, gönderilen ışığın dalgavektörü k’nın kristalin büyüme ekseni c’ye, dik ve parallel olmak üzere iki farklı sekildeölçüldü. Fotoışıma ve geçirgenlik spektrumunda tepe noktaları her iki durum için (k //c,k c) oldukça farklı bulundu. Gözlenen bu fark, GaSe’nin anizotropik bant yapısı veoptiksel soğurma seçme(selection rule) kuralı ile alakalıdır ki her iki ölçüm sonuçlarınınuyumlu olması da bunu doğrulamaktadır.89

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP56: CoSi 2 Bileşiğinin Elektronik ve Titreşimsel ÖzellikleriF. Soyalp 1 , G.Uğur 1 ve H.M. Tütüncü 21Gazi Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara, TÜRKİYE2Sakarya Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Adapazarı,TÜRKİYEBu çalışmada, CoSi 2 bileşiği için lineer tepki yaklaşımında pseudo potansiyel metodu vegenelleştirilmiş eğim yaklaşımı kullanılarak, elektronik ve titreşimsel özelliklerihesaplanmıştır. CoSi 2 bileşiğinin örgü sabiti ve bulk modülü hesaplanmış ve daha önceyapılan deneysel sonuçlarla karşılaştırılmıştır. Hesaplanan örgü sabiti ile yoğunlukfonksiyon pertürbasyon teorisi kullanılarak elektronik bant yapısı ve fonon frekanslarıhesaplanmıştır. Bulunan sonuçlar deneysel çalışmalarla uyum içindedir.90

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP57: Au/SiO 2/p-Si (MOS) Yapıların Elektriksel Özelliklerinin Frekansve Sıcaklık BağımlılığıAdem Tataroğlu, Şemsettin AltındalGazi Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü , 06500, Teknikokullar,Ankara,TÜRKİYEAl/SiO 2/p-Si (MOS) yapıların elektriksel özellikleri 1 MHz’de 10 kHz–10 MHz frekansve 295-400 K sıcaklık aralığında incelendi. Metal-oksit-yarıiletken (MOS) yapınınarayüzey oksit tabaka kalınlığı kuvvetli akümülasyon bölgesindeki ölçülen oksitkapasitansından hesaplandı. MOS yapının elektriksel özellikleri kapasitans-voltaj(C-V)ve iletkenlik-voltaj(G/-V) ölçümlerinden hesaplandı. Ayrıca numunenin C-Vkarakteristiklerine arayüzey durum yoğunluğu(Nss) ve seri direncin(Rs) etkileriaraştırıldı. Hem kapasitans hem de iletkenlik yüksek sıcaklıklarda ve düşük frekanslardanispeten sıcaklığa ve frekansa duyarlıdır. Nss ve Rs artan sıcaklıkla azalmaktadır. Budavranış ara yüzeyin yeniden yapılanıp düzenlenmesine atfedilir. C-V ve G/-Vkarakteristikler, Nss, Rs ve yalıtkan tabaka kalınlığının MOS yapıların elektrikselparametrelerine kuvvetlice etki eden önemli parametreler olduğunu doğrular.Anahtar kelimeler:MOS yapı, elektriksel özellikler, seri direnç, ara yüzey durum yoğunluğu.Desteklerinden dolayı Devlet Planlama Teşkilatına (Proje No: 2001K120590) teşekkürederiz.91

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP58: 3-Feniltiyofen ve 3-(3, 4, 5-Triflorofenil) Tiyofen MoleküllerininYapısal, Elektronik ve Lineer Olmayan Optik Özelliklerinin TeorikOlarak İncelenmesiG. Uğurlu, M. Bahat, E. Kasap, Z. Kantarcı ve H.AlyarFizik Bölümü,Gazi Üniversitesi,Ankara,TürkiyeTiyofen ve tiyofen türevleri, molekül ve polimer olarak teknolojide yoğun olarakkullanılmaktadır. Örneğin 3-feniltiyofen ve onun flor katkılı türevleri elektrikli aygıtlardakullanılmaktadır. Bundan dolayı bu moleküller son zamanlarda bir çok teorik ve deneyselçalışmalara konu olmuştur.Bu çalışmada, 3-feniltiyofen ve 3-(3,4,5-triflorofenil)tiyofen moleküllerinin yapısalparametreleri, elektronik özellikleri, dipol moment, ve en yüksek dolu moleküler orbital(HOMO) ve en düşük boş moleküler orbital (LUMO) enerjileri B3LYP/6-31++G (d,p)ve HF/6-31++G (d,p) modelleri ile hesaplanmıştır. Bu moleküllerin lineer olmayan optiközelliklerden polarizabilite ve hiperpolarizabilite özelliklleri HF/6-31++G (d,p) modeliile dihedral açının fonksiyonu olarak incelendi. Dihedral açı 0ºden 180º ye kadar 10ºaralıklarla artırıldı.Hesaplamalar GAUSSIAN98W paket programı kullanılarak yapıldı.Bu çalışma kısmenTBAG-AY/287(102T150) projesi çerçevesinde gerçekleştirilmiştir.92

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP59: Kristal Bant Yapılar İçin Lame Potansiyel Modeli Ve HamiltonJacobi AnaliziÖ. Yeşiltaş*, M. Şimşek**Gazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü 06500Teknikokullar/ANKARA* yesiltas@gazi.edu.tr, ** msimsek@gazi.edu.trKristallerin band yapılarını incelemek için periyodik Kronig-Penney potansiyel modeliyaygın olarak kullanılmaktadır. Bu çalışmada, periyodik potansiyellerin bir başka türüolan Lame potansiyellerinin V ( x) j ( j 1)sn2( x,m) a cn2( x,m)şeklindekiformunun da kristal yapılar için alternatif bir model olabileceği önerilmektedir.2 dİncelenen kuantum yapı için yazılabilen p i p 2 m ( E V( x))Riccatidxdenklemini sağlayan p kuantum momentum fonksiyonunun singüler yapısı, kompleks xdüzleminde residu tekniği ile incelenmiştir. Ayrıca, Schrödinger dalga denklemininLame potansiyeli için yapılan çözümlerinde, kuantum Hamilton Jacobi metodukullanılmıştır. Sonuçta farklı sistemlerin bant yapılarına uygulanabilir özdeğer veözfonksiyonları elde edilmiştir.93

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP60: Ayarlanabilir Optik Özelliklere Sahip Moleküler Kümeler:TTBC Kümelerinin Kontrol Edilebilir Oluşumu Ve EksitonikÖzellikleriH. Yıldırım 1 , B. Birkan 2 , D. Gülen 1 , S. Özçelik 31Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Ankara.2Mühendislik ve Temel Bilimler Fakültesi, Sabancı Üniversitesi, İstanbul.3Kimya Bölümü İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü, İzmir1,1’,3,3’-tetraetil-5,5’,6,6’-tetraklorobenzimidazolkarbosiyanin (TTBC) kümelerinineksiton-band yapısı ve eksiton-band gevşemesi deneysel ve kuramsal yöntemlerleincelendi. İyonik ortamda (sodyum hidroksit içeren sulu çözeltilerde) TTBC ve iyonderişiklikleri ayarlanarak sentezlenen moleküler kümelerin soğurma ve ışımaspektrumlarındaki değişiklikler oda sıcaklığında gözlemlendi. TTBC/sodyum hidroksitderişikliklerini ayarlayarak, eksitonik özellikleri kontrol edilebilen moleküler kümelerinoluşturulabileceğine ilişkin güçlü deneysel veriler sunuldu. Deneysel sonuçlar eksitonikspektral özelliklerin sayısal benzetişimler yapılarak yorumlandı. Bu yorumlamasonucunda, TTBC/sodyum hidroksit derişiklikleri üzerindeki kontrolün, birbirleriyleetkileşmeyen J-kümelerinden (1-boyutlu) birbirleriyle kuvvetli olarak etkileşen J-kümelerine (2-boyutlu) geçişi kontrol edebileceği olasılığı üzerine ayrıntılı bir tartışmasunuldu.94

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAHidrazinometil)-Benzen-1,4-DiolEtanolÇ. Yüksektepe 1 , H. Saraçoğlu 1 , S. Soylu 1 , İ. Yılmaz 2 , A. Çukurovalı 2 , N.Çalışkan 1 .1Ondokuz Mayıs Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü 55139Kurupelit/Samsun.2Fırat Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Kimya Bölümü 23119-Elazığ.P61: 2-(N’-{4-[3-Metil-3-(2,4,6-Trimetil-Fenil)-Siklobütil]-Tiazol-2-Yl}-2-(N’-{4-[3-Metil-3-(2,4,6-trimetil-fenil)-siklobütil]-tiazol-2-yl}-hidrazinometil)-benzen-1,4-dioletanol (C 24H 27N 3O 2S. C 2H 6O) molekülünün sentezi yapıldıktan sonra kristalyapısı belirlenmiştir. Molekülün etanol ile yaptığı O—H…N, N—H…O ve O—H…Ohidrojen bağları sayesinde, kristal yapının polimerik düzenleniş gösterdiği bulunmuştur.Molekülün kararlı bir kristal yapı oluşturabilmesi için π-π ve π-halka etkileşimleri debulunmaktadır. Molekül içerisinde hidrazon E düzenlenişine sahiptir (Şekil 1).Şekil 1. C24H27N3O2S. C2H6O Molekülünün ORTEP-III şekli. Termal elipsoidler %50 olasılıkta çizilmiştir.95

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP62: Saf Cu(110) Kristalinin Ultraviole Ters–FotoemisyonSpektroskopi SonuçlarıO. ZeybekBalıkesir Universitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Soma Caddesi,10100 BalıkesirUltraviole Ters-Fotoemisyon Spekroskopisi katıların yüzeylerinde işgal edilmemişelektron durumlarını incelemek için çok yararlı ve uygulanabilir bir spektroskopik metotolarak tayin edilmiştir. Saf Cu(110) kristalinin yüzeyinden elde edilen ultraviole Ters-Fotoemisyon Spektroskopi tayfı, bir çok grup tarafından alındığı gibi, 9.1 eV sabit fotonenerjisi ve farklı elektron enerji aralıklarında ölçülmüştür. Bu çalışmada ise yapılandeneylerde farklı bir yol izlenmiştir yani işgal edilmemiş yüzey durumları ultravioleTers-Fotoemisyon Spektroskopi tekniği tarafından ışınır modda kontrol edilmiştir.Yüzeyin normaline göre salınan foton için 45 ve gelen elektron demetinin normalolmayan geliş açısı için 25 ve 19 eV sabit elektron kinetik enerjisi parametreleri gözönüne alınarak, oda sıcaklığında saf Cu(110) kristalinden elde edilen ultraviole Ters-Fotoemisyon Spektroskopi tayfı Yüzey Brillouin Bölgesi’ndeki Y noktasında alınmıştır.İşgal edilmemiş kütle ve yüzey durumları, ultraviole Ters-FotoemisyonSpektroskopisinin enerji yarılması yaklaşık 0,5 eV mertebesinde tahlil edilmiştir. İşgaledilmemiş Cu(110) yüzey durumlarının deneysel bağlama enerjileri 1,8 eV, 2,0 eV ve2,5 eV’de rapor edilmiştir. Hesaplanmış değerler 2,5 eV, 4,85 eV, 5,63 eV, 6,4 eV, 6,9eV ve 7,3 eV’de rapor edilmiştir. İlk kez bu çalışmada işgal edilmemiş durumlar 2,3 eV,8,0 eV, 8,8 eV ve 9,4 eV’de ortaya çıkarılmıştır.96

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP63: Ultraviole Ters–Fotoemisyon Spektroskopi Metodu İle Cu(110)Kristali Üzerinde Na Filmlerinin İşgal Edilmemiş Bölgedeki ElektronYapısının İncelenmesiO. ZeybekBalıkesir Universitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Soma Caddesi,10100 BalıkesirUltraviole Ters-Fotoemisyon Spekroskopisi atomların, moleküllerin yada katıların işgaledilmemiş bölgedeki elektronların elektronik yapılarının incelenmesi için kullanılan birspektroskopik metodudur. Bu metot iki işgal edilmemiş durum arasındaki radyoaktiftranslasyonu ile yayılan ultraviole foton şiddetinin ölçülmesini kapsar. Alaşımlıyüzeylerin ve temiz yüzeylerin geometrik yapısı ile birlikte elektronik ve optikseldavranışlarının incelenmesi onların geniş bir biçimde endüstriyel uygulamalarınınanlaşılması için gereklidir. Bir çok yüzey fiziği ve yüzey kristallografik teknikleri içintekli kristal örnekleri gereklidir ki bu amaç doğrultusunda bu çalışmada (110) yüzeykesitli Cu kullanıldı. Yaklaşık olarak 2 eV civarında temiz Cu(110) kristalinin işgaledilmemiş durumlarının yoğunlukları, Na filmlerinin kalınlığının artmasıyla azaldığı buçalışmada bulunmuştur. Bu sonuç Yansıma Anisotropi Spektroskopi metodu ile eldeedilen sonuçlarla uyum içindedir. Ultraviole Ters-Fotoemisyon Spektroskopi metodu ileCu(110) kristali üzerinde absorbe olmuş Na filmleri üzerine oda sıcaklığında gelenelektron demetinin normal olmayan geliş açılarının ölçümleri gerçekleştirildi. Buçalışmada yüzey durumlarının enerji pozisyonları Y noktası etrafındaki 4,7 eVmertebesindeki boşluk bandı etrafında odaklanılmıştır. Ultraviole Ters-FotoemisyonSpektroskopisi deneyinde, 17 ve 19 eV enerji seviyesinde gelen elektron enerjilerinin Nafilmlerinin kalınlığının artmasıyla 7,8 eV’de Fermi seviyesine doğru bir kayma olduğu dabulunmuştur.97

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAP64: m-Phenylenediamine Köprülü İki Çekirdekli Cu 2(L-m-pda)22H 2O, [L = 2-hydroxy-3-methoxybenzaldehyde)] Bakır(II)Kompleksinin Kristal Yapısı ve Magnetik Özelliklerinin YarıdeneyselMoleküler Orbital Yöntemlerle AnaliziC. T. Zeyrek a , A. Elmalı b , Y. Elerman baAnkara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezi, 06100 Beşevler-Ankara, TürkiyebAnkara Üniv., Müh. Fak., Fizik Müh. Bölümü, 06100 Beşevler-Ankara, TürkiyeBu çalışmada, m-phenylenediamine köprülü iki çekirdekli Cu 2(L-m-pda) 22H 2O, [L =2-hydroxy-3-methoxybenzaldehyde) bakır(II) kompleksinin, kristal yapısı ve magnetiközellikleri incelenmiştir. Komplekse ait kristalografik bilgiler şu şekilde bulunmuştur:Kristal sistemi: triklinik, uzay grubu: P 1 , örgü parametreleri: a = 8.953(2) Å, b =11.264(1) Å, c = 11.318(2) Å, = 100.74(2), = 105.23(10), = 103.47(3), V =1033(1) Å 3 , Z = 1, R = 0.0445, D hesap=1.524 g.cm -3 . Her bir bakır(II) iyonu Schiff bazıligandlarının N 2O 2 grupları ile koordinasyonuyla, tetrahedron geometriye sahiptir.Molekül içi Cu Cu uzaklığı 7.401(6) Å’ dur. Kristal yapı içerisinde bakır(II) iyonları ilekoordinasyona girmemiş iki su molekülü vardır ve bu su molekülleri ile kompleksinoksijen atomları arasında hidrojen bağları bulunmaktadır {O5–Ha . . . O4 [2.37(1)], O5–Hb .. .O3 [2.42(1)], O5–Hb . . . O1 [2.77(1)], O5–Hb . . . O2 [2.19(1)], O5–Ha . . O1 [2.44(1)], O6–Hb . . . O3 [2.99(1)], O6–Hb . . . O5 [1.89(1)], and O6–Ha . . . O5 [2.12(1) Å]}Kompleksteki Cu(II) iyonlarıarasındaki magnetik süperdeğiş-tokuş etkileşmelerininbelirlenmesi amacı ile, 5K’den oda sıcaklığına kadarsıcaklığa bağlı magnetikalınganlık ölçümleriyapılmıştır. Deneysel olarakgözlenen magnetikalınganlık ile teorik olarakhesaplanan magnetikalınganlık değerleri en küçükkareler yöntemi ilekarşılaştırılarak süper değiştokuşetkileşmesine ait parametreler J = 0.4 cm -1 ve g = 2.17 bulunmuştur.Extended Hückel Moleküler Orbital (EHMO) yöntemi kullanılarak yapılan molekülerorbital hesapları ile, yapıdaki süper-değiştokuş etkileşmesi yolundaki molekülerorbitallerin, etkileşmeye katkıları açıklanmaya çalışılmıştır. Böylece HOMO’ leri ileLUMO’ ler arasındaki enerji farkı hesaplanmıştır. Kompleksin kristal yapısı ile magnetiközellikleri ve yapılan benzer çalışmalar göz önüne alınarak, gözlenen zayıfantiferromagnetik değiş-tokuş etkileşmesinin hangi faktörlere bağlı olduğu araştırılmıştır.C 1 9C 1 6C 1 5C 2 0C 1 8C 1 7C 1 2C 1 4 C 1 3C 1N 2N 1C 8C u 1C 2C 1 1O 2O 1C 7C 1 0C 9O 3C 3 C 4Cu 2(L-m-pda) 22H 2OC 6C 5C 2 2O 5O 4O 6C 2 198

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARADizinKimi özet sahiplerinin verdikleri anahtar kelimelere göre düzenlenmiştir.( -ışını · 61(Al-TiW+PtSi)–nSi Schottky diyotları · 37İlave kapasite · 68AAkım iletim mekanizması · 37ara yüzey durum yoğunluğu · 41, 92ara yüzey durumları · 67, 68BBi4Ti3O12 amorf filmler · 41Bi4Ti3O12 ince filmler · 38Ccritical current · 53Ddielektrik kayıp · 38dielektrik sabiti · 38difüzyon potansiyeli · 89Eelektriksel karakteristikler · 61elektriksel özellikler · 92elektro fiziksel parametreler · 36Engel yüksekliğinin homojensizliği · 40Fflux pinning · 53frekans bağımlılığı · 68GGaAs · 49Gaussian dağılımı · 40gerilim bağımlılığı · 68Iidealite faktörü · 41, 67KKristal büyültme · 89MMagnetostriction · 53MBE · 89Meissner current · 53MIS yapı · 61MIS yapılar · 49MOS yapı · 9299

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAPpotansiyel engel yüksekliği · 89Rradyasyon etkileri · 61reversible Abrikosov diamagnetism · 53RHEED · 89SSchottky engel homojensizliği · 67Schottky engeli · 49seri direnç · 41, 49, 61, 67, 68, 89, 92sıcaklığa bağımlılık · 36, 37Sıcaklık bağımlılığı · 40SnO2-Bi4Ti3O12-Au ince film · 38Standard sapma · 40surface barrier · 53surface sheath · 53TTi10W90-nSi Schottky diyotları · 36YYalıtkan tabaka · 67100

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAKatılımcılarSelim ACAR Gazi Üniversitesi sacar@gazi.edu.trBarış AKAOĞLU Orta Doğu Teknik Üniversitesi akaoglu@metu.edu.trArzu AKBAŞ Hacettepe Üniversitesi akbas@hacettepe.edu.trNurgül AKINCI Zonguldak Karaelmas Üniversitesi nurozdede@yahoo.comİdris AKYÜZ Osmangazi Üniversitesi iakyuz@ogu.edu.trŞemsettin ALTINDAL Gazi Üniversitesi altundal@gazi.edu.trHamit ALYAR Gazi Üniversitesi halyar@gazi.edu.trNihat ARIKAN Gazi Üniversitesi narikan@gazi.edu.trN. Burcu ARSLAN Ondokuz Mayıs Üniversitesi nbarslan@ttnet.net.trErdal ARSLAN Gazi Üniversitesi erdalarslan@gmail.comMurat ARTUÇ Hacettepe Üniversitesi martuc@hacettepe.edu.trMehmet ASLANTAŞ Hacettepe Üniversitesi aslantas@hacettepe.edu.trFerhunde ATAY Osmangazi Üniversitesi fatay@ogu.edu.trAytunç ATEŞ Atatürk Üniversitesi aytunga@atauni.edu.trİlker AY Hacettepe Üniversitesi ilkeray@hacettepe.edu.trSezgin AYDIN Gazi Üniversitesi sezginaydin@gazi.edu.trGülnur AYGÜN Orta Doğu Teknik Üniversitesi aygun@newton.physics.metu.edu.trSerdar BADOĞLU Hacettepe Üniversitesi serdarbadoglu@yahoo.comHasan BARUT Gazi ÜniversitesiYunus BAŞ Gazi Üniversitesi yunusselim@hotmail.comÜlkü Bayhan Hacettepe Üniversitesi ubayhan@hacettepe.edu.trNevzat Bayri İnönü Üniversitesi nbayri@inonu.edu.trAylin BENGİ Gazi Üniversitesi aylinbengi@yahoo.comMehmet BİBER Atatürk Üniversitesi mehbib@atauni.edu.trVildan BİLGİN Osmangazi Üniversitesi vbilgin@ogu.edu.trMehmet SaitBOZGEYİK Çukurova Üniversitesi msbozgey@cu.edu.trCeyhun BULUTAY Bilkent Üniversitesi bulutay@fen.bilkent.edu.trM. Mahir BÜLBÜL Gazi Üniversitesi mahir@gazi.edu.trMusa Mutlu CAN Hacettepe Üniversitesi mmcan@hacettepe.edu.trEmre COŞKUN G.Y.T.EÖznur ÇAKIR Ankara Üniversitesi ozcakir@eng.ankara.edu.trMehmet ÇAKMAK Gazi Üniversitesi mcakmak@gazi.edu.trNagihan ÇAYLAK Hacettepe Üniversitesi ncaylak@hacettepe.edu.trSelahattin ÇELEBİ Karadeniz Teknik Üniversitesi celebi@ktu.edu.trÖmer ÇELİK Hacettepe Üniversitesi ocelik@hacettepe.edu.trAli ÇETİNKAYA Çukurova Üniversitesi acetinkaya@student.cu.edu.trMehmet ÇİVİ Gazi Üniversitesi mcivi@gazi.edu.trEngin DELİGÖZ Gazi Üniversitesi edeligoz@gazi.edu.trEmine DÖNMEZ Balıkesir Üniversitesi edonmez2004@yahoo.com101

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAPerihan DURMUS Gazi Üniversitesi perihan@gazi.edu.trHasan EFEOĞLU Atatürk Üniversitesi hefeoglu@atauni.edu.trAhmet EKİCİBİL Çukurova Üniversitesi ahmetcan@cu.edu.trŞinasi ELLİALTIOĞLU Orta Doğu Teknik Üniversitesi sinasi@newton.physics.metu.edu.trAyhan ELMALI Ankara Üniversitesi elmali@eng.ankara.edu.trAynur ERAY Hacettepe Üniversitesi feray@hacettepe.edu.trEmre ERSİN Gazi Üniversitesi emre.ersin@gmail.comGülen FERAH Gazi Üniversitesi gulenferah2001@yahoo.comTezer FIRAT Hacettepe Üniversitesi firat@hacettepe.edu.trAli GENCER Ankara Üniversitesi gencer@science.ankara.edu.trElif GÜÇ Gazi ÜniversitesiNusret GÜÇLÜ Gaziosmanpaşa Üniversitesi guclu06@hotmail.comDemet GÜLEN Orta Doğu Teknik Üniversitesi gulen@newton.physics.metu.edu.trOğuz GÜLSEREN Bilkent Üniversitesi gulseren@fef.bilkent.edu.trAlkan GÜLSES Orta Doğu Teknik Üniversitesi Alkan001@yahoo.comHilal GÜMÜŞ Gazi Üniversitesi gumus_hilal@hotmail.comTayyar GÜNGÖR Hacettepe Üniversitesi tayyar@hacettepe.edu.trEbru GÜNGÖR Hacettepe Üniversitesi altin@hacettepe.edu.trSemra GÜVEN Ondokuzmayıs Üniversitesi ermasguven@mynet.comZiya B. GÜVENÇ Çankaya Üniversitesi guvenc@cankaya.edu.trTuğrul HAKİOĞLU Bilkent ÜniversitesiB. Yasemin IŞIK Gazi Üniversitesi sacar@gazi.edu.trSemra İDE Hacettepe Üniversitesi semraide2004@yahoo.comFedai İNANIR Karadeniz Teknik Üniversitesi fedainanir@yahoo.comHatice KANBUR Gazi Üniversitesi Hatice_kanburl@mynet.comİlker KARA Gazi Üniversitesi sacar@gazi.edu.trFaruk KARADAĞ Çukurova Üniversitesi fkaradag@cu.edu.trSerdar KARADENİZ ANAEM serdar@taek.gov.trRıdvan KARAPINAR Yüzüncü Yıl Üniversitesi rkarapinar@hotmail.comMehmet KASAP Gazi Üniversitesi mkasap@gazi.edu.trGökhan KAŞTAŞ Ondokuzmayıs Üniversitesi kastasgokhan@yahoo.comNeşe KAVASOĞLU Hacettepe Üniversitesi knese@hacettepe.edu.trM. Burak KAYNAR Hacettepe Üniversitesi bkaynar@hacettepe.edu.trCanan KAZAK Ondokuz Mayıs Üniversitesi ckazak@omu.edu.trEngin KENDİ Hacettepe Üniversitesi kendi@hacettepe.edu.trSelçuk KERVAN ANAEM (TAEK) skervan@taek.gov.trKâzım KEŞLİOĞLU Erciyes Üniversitesi kesli@erciyes.edu.trAhmet KILIÇ Ankara Üniversitesi akilic@science.ankara.edu.trAli İhsan KILIÇ Gazi ÜniversitesiV. Serkan KOLAT İnönü Üniversitesi vskolat@inonu.edu.trSabit KORÇAK Gazi ÜniversitesiDemet KORUCU Gazi Üniversitesi dkorucu@yahoo.comUğur KÖLEMEN Gaziosmanpaşa Üniversitesi ukoleman@gop.edu.trSalih KÖSE Osmangazi Üniversitesi skose@ogu.edu.tr102

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAHilal YÜCEL KURT Gazi Üniversitesi hkurt@gazi.edu.trAyşe KUZUCU Balıkesir Üniversitesi kuzucuayse@yahoo.comS. B. LİŞESİVDİN Gazi Üniversitesi sblisesivdin@yahoo.comA. M. MAMEDOV Çukurova Üniversitesi mamedov@cu.edu.trTofig S. MAMMADOV Gazi Üniversitesi mts@gazi.edu.trErsen METE Balıkesir Üniversitesi emete@balikesir.edu.trÖznur METE Ankara Üniversitesi oznur_phys@yahoo.comNazan OCAK Ondokuz Mayıs Üniversitesi nocak@omu.edu.trÖzcan ÖKTÜ Hacettepe Üniversitesi oktu@hacettepe.edu.trTolga ÖNCÜ ANTHAM (TAEK) tolgaoncu@yahoo.comŞadan ÖZCAN Hacettepe Üniversitesi sadan@hacettepe.edu.trSüleyman ÖZÇELİK Gazi Üniversitesi sozcelik@gazi.edu.trMustafa ÖZDURAN Gazi Üniversitesi mozduran@gazi.edu.trTahsin ÖZER Kahranmaraş Sütcü İmam Üniv. tahsinozer@hotmail.comMetin ÖZER Gazi Üniversitesi metinöz@gazi.edu.trAycan ÖZKAN Gazi Üniversitesi aozkan_1@mynet.comBerdan ÖZKURT Çukurova Üniversitesi berdanoz@cu.edu.trM. Kemal ÖZTÜRK Gazi Üniversitesi ozturkm@gazi.edu.trLütfi ÖZYÜZER İzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü ozyuzer@iyte.edu.trSerap SAFRAN Hacettepe Üniversitesi ssafran@hacettepe.edu.trHanife SARAÇOĞLU Ondokuz Mayıs Üniversitesi hanifesa@omu.edu.trBeyza SARIKAVAK Gazi Üniversitesi beyzasarikavak@yahoo.comNurgül SEFEROĞLU Gazi Üniversitesi nurgul2004@hotmail.comYusuf SELAMET İzmir Yuksek Teknoloji Enstitusu yusufselamet@iyte.edu.trAmir SEPEHRİANZARAyşe SEYHAN Orta Doğu Teknik Üniversitesi ayseyhan@metu.edu.trFethi SOYALP Gazi Üniversitesi fsoyalp@gazi.edu.trSerkan SOYLU Ondokuz Mayıs Üniversitesi mssoylu@omu.edu.trHasan ŞAHİN Cumhuriyet Üniversitesi hascience@yahoo.caAhmet Ümit ŞAHİN Gazi Üniversitesi ausahin@gazi.edu.trEmre TANIR Hacettepe Üniversitesi emre_ta@hacettepe.edu.trAdem TATAROĞLU Gazi Üniversitesi ademt@gazi.edu.trHüseyin TECİMER htecimer81@mynet.comAli TEKE Balıkesir Üniversitesi ateke@balikesir.edu.trAli Şimşek TEKEREK Ankara Üniversitesi simsektekerek@hotmail.comEsin UÇAR Hacettepe Üniversitesi esinucar@hacettepe.edu.trGüventürk UĞURLU Gazi Üniversitesi ugurlu@gazi.edu.trAydın UZEL Gazi Üniversitesi Aydin_uzel@mynet.com.Orhan UZUN Gaziosmanpaşa Üniversitesi ouzun@gop.edu.trCan Doğan VURDU Gazi Üniversitesi canvurdu@gazi.edu.trÖzlem YEŞİLTAŞ Gazi Üniversitesi yesiltas@gazi.edu.trHasan YILDIRIM Orta Doğu Teknik Üniversitesi hasany@newton.physics.metu.edu.trAbdullah YILDIZ Gazi Üniversitesi sacar@gazi.edu.trÜmit YURDUGÜL Gazi Üniversitesi sacar@gazi.edu.tr103

XI. Yoğun Madde Fiziği Toplantısı, 3 Aralık 2004, Gazi Üniversitesi, ANKARAH. Hilal Yücel KURT Gazi Üniversitesi hkurt@gazi.edu.trSevgi YÜRÜŞ Hacettepe Üniversitesi syurus@hacettepe.edu.trOrhan ZEYBEK Balıkesir Üniversitesi ozeybek@balikesir.edu.trC. Tuğrul ZEYREK ANAEM zeyrek@eng.ankara.edu.trFadime ZORLU Gazi Üniversitesi104