güç elektroniÄi ı
güç elektroniÄi ı güç elektroniÄi ı
GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI BODUR UJT’li Bir Osilatör Devresi U P ≅ η.U d T ≅ RC . ln U d U d −U R B1 ≤ 100 Ω 100 Ω ≤ R B2 ≤ 1 kΩ P = RC . ln 1 1− η R B1 : Çıkış sinyali almayı sağlar. R B2 : İletim durumunda akımı sınırlar. U d Kesim durumunda, B 2 ’den B 1 ’e doğru, I B1B2 = kadar bir sızıntı akımı geçer. Bu akım, RB 1 + RBB + RB2 U 0 = R B1 . I B1B2 kadar bir kaçak gerilim oluşturur. Bu gerilim tetiklemeye yetmemelidir. PUT (Programmable Unijunction Transistor) Anot tarafından kapı ucu çıkarılmış özel bir tristördür. Sembol PUT’lu Bir Osilatör Devresi U P = U R1 + U D R1 = U d + U D R1 + R 2 U P = η.U d + U D U D ≅ 0.6 V
GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI BODUR SUS (Silicon Unilateral Switch) Tek yönde devrilen basit bir entegre devredir. Bir pnp ve bir npn transistör ile bir zener diyodu ve bir dirençten ibarettir. Eşdeğer Devre Normalde G ucunun kullanılmasına gerek yoktur. G ucu dış devre ile devrilme geriliminin düşürülmesini sağlar. Sembol U P1 = U Z1 + U D ( Kapı ucu kullanılmaz ise) U P2 = U Z2 + U D < U P1 U P3 = 4 U D < U P1 Seri diyotlar, gerilim düşümü oluşturarak sabit gerilim sağlamak amacıyla kullanılır. SBS (Silicon Bilateral Switch) Sembol u-i karakteristiği Ters paralel bağlı iki adet SUS’ a eşdeğerdir. Yalnız bir kapı vardır. Üç uçlu ve iki yönlü devrilen bir elemandır. 41
- Page 1 and 2: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 3 and 4: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 5 and 6: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 7 and 8: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 9 and 10: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 11 and 12: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 13 and 14: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 15 and 16: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 17 and 18: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 19 and 20: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 21 and 22: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 23 and 24: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 25 and 26: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 27 and 28: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 29 and 30: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 31 and 32: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 33 and 34: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 35 and 36: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 37 and 38: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 39: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 43 and 44: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 45 and 46: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 47 and 48: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 49 and 50: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 51 and 52: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 53 and 54: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 55 and 56: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 57 and 58: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 59 and 60: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 61 and 62: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 63 and 64: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 65 and 66: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 67 and 68: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 69 and 70: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
- Page 71 and 72: GÜÇ ELEKTRONİĞİ I PROF.DR.HACI
GÜÇ ELEKTRONİĞİ I<br />
PROF.DR.HACI BODUR<br />
UJT’li Bir Osilatör Devresi<br />
U P ≅ η.U d<br />
T ≅ RC . ln<br />
U<br />
d<br />
U<br />
d<br />
−U<br />
R B1 ≤ 100 Ω<br />
100 Ω ≤ R B2 ≤ 1 kΩ<br />
P<br />
= RC . ln<br />
1<br />
1− η<br />
R B1 : Çıkış sinyali almayı sağlar.<br />
R B2 : İletim durumunda akımı sınırlar.<br />
U<br />
d<br />
Kesim durumunda, B 2 ’den B 1 ’e doğru, I B1B2 =<br />
kadar bir sızıntı akımı geçer. Bu akım,<br />
RB<br />
1<br />
+ RBB<br />
+ RB2<br />
U 0 = R B1 . I B1B2 kadar bir kaçak gerilim oluşturur. Bu gerilim tetiklemeye yetmemelidir.<br />
PUT (Programmable Unijunction Transistor)<br />
Anot tarafından kapı ucu çıkarılmış özel bir tristördür.<br />
Sembol<br />
PUT’lu Bir Osilatör Devresi<br />
U P = U R1 + U D<br />
R1<br />
= U d + U D<br />
R1<br />
+ R 2<br />
U P = η.U d + U D<br />
U D ≅ 0.6 V