Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
GÜÇ ELEKTRONİĞİ I<br />
PROF.DR.HACI BODUR<br />
Çözüm<br />
1. bölge için,<br />
u 1 =<br />
⎛ 250 − 2 ⎞<br />
− ⎜<br />
−6<br />
⎟ t + 250 = 250 – 62.10 6 t V<br />
⎝ 4.10 ⎠<br />
⎛ 50<br />
i 1 = ⎜<br />
⎝ 5.10<br />
−6<br />
⎞<br />
⎟ t = 10. 10 6 t A<br />
⎠<br />
4µ<br />
s<br />
−6<br />
W 1 = ∫ ( − 62.10 t)<br />
0<br />
...<br />
P T = 206,13 W<br />
250 .10.10 tdt = 6,6773 mj<br />
6<br />
İZOLE KAPILI ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR (IGFET, MOSFET)<br />
İletim Karakteristiği<br />
Sembol<br />
Genel Özellikler<br />
• MOSFET daima doyumda kullanılmalıdır.<br />
• Giriş olduğu sürece çıkış vardır.<br />
• Giriş gerilim, çıkış akımdır.<br />
• Kazanç sonsuz kabul edilir.<br />
• En hızlı yarı iletken elemandır. İletime giriş 50-60 ns ve iletimden çıkış 150-200 ns civarındadır.<br />
• İletim gerilim düşümü (iletim güç kaybı) en yüksek olan elemandır.<br />
• Tek dezavantajı, sıcaklıkla artan yüksek değerli bir iç dirence sahip olmasıdır.<br />
• Düşük güç ve yüksek frekanslarda kullanılır.<br />
• Giriş akımı nanoamperler mertebesindedir. Ancak, gerilim sinyali ilk verildiğinde yüksek<br />
değerli bir şarj akımı çeker. Bu akımın karşılanmasına dikkat edilmelidir. Aksi halde hız düşer.<br />
• Kapı dayanma gerilimi ± 20 V’tur. Gerçekte, uygulanan gerilim ± 18 V’u geçmemelidir.<br />
Örnek bir MOSFET Sürme Devresi<br />
25
Change language