n - Çukurova Üniversitesi
n - Çukurova Üniversitesi
n - Çukurova Üniversitesi
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
6. SbSI Harun AKKUŞ<br />
(2002) ise temel ilkelerden elde edilen pseudo-potansiyeller kullanarak elektronik<br />
yapı hesabı yapmışlardır.<br />
Sunulan bu tez çalışmasında ise yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayanarak<br />
elde edilen pseudo-potansiyeller (5. Bölümde elde edilen Troullier-Martins tipi<br />
pseudo-potansiyeller) kullanılarak, SbSI’ın elektronik özellikleri hem paraelektrik<br />
hem de ferroelektrik fazda incelenmiştir. Yapılan bu çalışma ile bir önceki kesimde<br />
verilen çalışmalar arasındaki farklar aşağıdaki gibidir.<br />
Nakao ve Balkanski (1973), paraelektrik ve ferroelektrik fazlarda bant<br />
yapısını hesaplamışlar fakat sadece paraelektrik fazda toplam durum yoğunluğuna<br />
bakmışlar ve deneysel pseudo-potansiyeller kullanmışlardır. Audzijonis ve ark<br />
(1998), paraelektrik ve ferroelektrik fazlarda hem bant yapısını hem de toplam<br />
durum yoğunluğunu vermişlerdir. Ama onlar da deneysel pseudo-potansiyeller<br />
kullanmışlardır. Bercha ve ark (2002) ise sadece paraelektrik fazda bant yapısını<br />
hesaplamışlar ve yoğunluk fonksiyoneli yöntemleriyle hesaplanan pseudo-<br />
potansiyeller kullanmışlardır.<br />
Bu tezde yapılan çalışmada ise yoğunluk fonksiyoneli yöntemleri kullanılarak<br />
SbSI kristali için hem paraelektrik hem de ferroelektrik fazlarda elektronik bant<br />
yapısı ve toplam durum yoğunlukları (DOS), yerel yoğunluk yaklaşımı altında<br />
pseudo-potansiyel yöntemle hesaplanmıştır.<br />
Elektronik bant yapıları ve toplam durum yoğunlukları (para- ve ferroelektrik<br />
fazlarda), FHI98PP yazılımı (Fuchs ve Scheffler, 1999) ile Troullier-Martins (1991)<br />
formatında üretilen öz-uyumlu norm-conserving pseudo-potansiyeller kullanılarak<br />
hesaplanmıştır. Elektronik dalga fonksiyonları için düzlem dalga baz setleri<br />
kullanılmıştır. Kohn-Sham denklemlerinin çözümleri, “conjugate gradient<br />
minimization method” (Payne ve ark., 1992) kullanılarak Abinit yazılımı (Gonze ve<br />
ark., 2002) ile yapılmıştır. Hem pseudo-potansiyellerin üretiminde hem de bant<br />
yapısı hesaplarında değişim-korelasyon etkileri, yerel yoğunluk yaklaşımı altında<br />
Perdew-Wang (PW92) (Perdew ve Wang, 1992) fonksiyonelleri kullanılarak hesaba<br />
katılmıştır. Antimon ve iyot atomları için 5s ve 5p elektronları, sülfür atomu için 3s<br />
ve 3p elektronları gerçek valans elektronları olarak alınmıştır. Hesaplamaların<br />
tamamı 12 atomlu ortorombik birim hücrede yapılmıştır. Brillouin bölgesinde özel k<br />
65
Change language