n - Çukurova Üniversitesi
n - Çukurova Üniversitesi
n - Çukurova Üniversitesi
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
6. SbSI Harun AKKUŞ<br />
yapısını ve sadece paraelektrik faz için toplam durum yoğunluğunu (DOS)<br />
hesaplamışlardır. Nakao ve Balkanski (1973)’ye göre SbSI kristali her iki fazda da<br />
dolaylı yasak enerji aralığına sahiptir. Onlara göre, paraelektrik fazda yasak bant<br />
aralığının büyüklüğü 1,41 eV, ferroelektrik fazda ise bant aralığının büyüklüğü 1,43<br />
eV’dur.<br />
Şekil 6.2. Paraelektrik fazdan ferroelektrik faza geçişte atomik yerdeğiştirmeler;<br />
oklar atomların kayma yönlerini göstermektedir<br />
Bercha ve arkadaşları (2002) yoğunluk fonksiyoneli yöntemlerini kullanarak,<br />
yerel yoğunluk yaklaşımı altında SbSI’ın elektronik bant yapısını sadece paraelektrik<br />
fazda hesaplamışlardır. Bu çalışmada paraelektrik fazda hesaplanan bant yapısına<br />
göre elde edilen dolaylı yasak bant aralığının büyüklüğü 1,5 eV’dur.<br />
Audzijonis ve arkadaşları (1998) deneysel pseudo-potansiyel yöntemini<br />
kullanarak paraelektrik ve ferroelektrik fazda SbSI’ın elektronik bant yapısını ve<br />
toplam durum yoğunluklarını hesaplamışlardır. Yapılan bu hesaplamalarda SbSI<br />
kristali her iki fazda da dolaylı yasak enerji aralığına sahiptir. Paraelektrik fazda bu<br />
aralığın büyüklüğü 1,42 eV, ferroelektrik fazda 1,36 eV’dur.<br />
6.2.1. SbSI Kristalinin Paraelektrik ve Ferroelektrik Fazlarında Hesaplanan<br />
Elektronik Bant Yapıları ve Toplam Durum Yoğunlukları<br />
Nakao ve Balkanski (1973) ve Audzijonis ve ark (1998) SbSI’ın elektronik<br />
özelliklerini, deneysel pseudo-potansiyel yöntemiyle incelemişlerdir. Bercha ve ark<br />
64
Change language