n - Çukurova Üniversitesi
n - Çukurova Üniversitesi
n - Çukurova Üniversitesi
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
2. FERROELEKTRİKLİK Harun AKKUŞ<br />
geniş bant aralıklı bir yarıiletkendir (Fridkin, 1980). Bu nedenle BaTiO3 ilk<br />
ferroelektrik yarıiletkendir. Bu keşiften sonra perovskite yapıdaki diğer<br />
ferroelektriklerin de yarıiletken özellikleri incelenmeye başlanmıştır.<br />
1960’lı yılların başlarında A V B VI C VII tür foto-iletkenlerde ferroelektrik<br />
özellikler keşfedildi (Fatuzzo ve ark, 1962; Nitsche ve ark, 1964). Bu türe örnek<br />
yasak bant aralığı yaklaşık 2 eV olan SbSI’dır. Sonraki yıllarda çok sayıda<br />
yarıiletken bileşikte ferroelektrik özellikler keşfedildi. Bu ferroelektrik yarıiletkenler<br />
arasında lityum niobat gibi geniş bant aralıklı bileşikler, A2 V B3 VI tip bileşikler ve<br />
A IV B IV tip gibi dar bant aralıklı bileşikler vardır (Fridkin, 1980).<br />
Yarıiletkenler fiziği açısından bakıldığında ferroelektrik yarıiletkenler çok<br />
uygun malzemeler değildir. Çünkü yasak bant aralıkları genelde büyüktür ve taşıyıcı<br />
mobiliteleri düşüktür. Ancak hem yarıiletken hem de ferroelektrik özelliklere aynı<br />
anda sahip olduklarından önem taşımaktadırlar. Ferroelektrik özellik taşıdıklarından<br />
faz geçişi sergilerler. Bu malzemelerde özellikle faz geçiş sıcaklığı civarında elektron<br />
sisteminin serbest enerjisinin örgü serbest enerjisine yaptığı katkı yeni fiziksel<br />
fenomenlere yol açar (Fridkin, 1980). Bu fenomenlerden biri foto-elektrik etkisidir.<br />
Bu etkinin holografide ve optik hafıza sistemlerinde önemli uygulamaları vardır.<br />
Ferroelektrik yarıiletkenlerin araştırılması, elektro-optik ve lineer olmayan<br />
optik gibi disiplinlerin gelişimine katkı yapacağı gibi ferroelektrikliğin doğasının<br />
anlaşılmasına da katkı yapacaktır.<br />
11