n - Çukurova Üniversitesi
n - Çukurova Üniversitesi
n - Çukurova Üniversitesi
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
6. SbSI Harun AKKUŞ<br />
Şekil 6.35. SbSI’ın ferroelektrik fazında hesaplanmış valans elektronlarının etkin<br />
sayısı Neff ve etkin optik dielektrik sabiti εeff<br />
Etkin dielektrik sabiti εeff, her iki fazda da yaklaşık olarak 7.0 eV foton-enerji<br />
değerinde doyuma ulaşmaktadır. Paraelektrik ve ferroelektrik fazlarda foton<br />
enerjisine bağlı olarak elde edilen εeff eğrileri iki bölgeye ayrılabilir. İlk bölge hızlı<br />
bir yükselişle karakterize edilebilir ve 5.0 eV foton-enerji aralığına kadar uzanır.<br />
İkinci bölge ise 5.0-7.0 eV foton-enerji aralığıdır ve bu bögede εeff daha yavaş ve<br />
düzgün değişmektedir. E > E0 foton-enerji değerlerinde optik geçişlerin statik<br />
dielektrik fonksiyonuna yaptığı katkı, εeff’in maksimum değeri ile şeffaf bölgede<br />
ölçülen kırılma indisinin karesi n 2 ile belirlenebilir. δε = n − ε ’in sıfırdan farklı<br />
2<br />
olması (paraelektrik SbSI için<br />
δε ≈1.<br />
8)<br />
şunu gösterir: valans bandındaki<br />
elektronların kutuplanabilirliklerinin statik dielektrik sabitine katkısından başka,<br />
valans elektronlarının altında, enerjileri E > E0 olan elektronların da katkısı göz<br />
önünde bulundurulmalıdır. Paraelektrik SbSI kristali için δε ≈1.<br />
8,<br />
enerjileri E > E0<br />
olan bu geçişlerin katkısını gösterir.<br />
Paraelektrik SbSI kristali için ikinci mertebeden duygunluk tensörünün (rankı<br />
3 olan 27 bileşenli bir tensör) tüm elemanları kristal simetrisinden dolayı<br />
98<br />
eff
Change language