n - Çukurova Üniversitesi
n - Çukurova Üniversitesi
n - Çukurova Üniversitesi
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
6. SbSI Harun AKKUŞ<br />
Çizelge 6.7. SbSI kristalinin her iki fazı için kristal eksenleri yönlerinde hesaplanmış<br />
optik iletkenlik fonksiyonlarının maksimumlarına karşılık gelen foton-<br />
dalgaboyları<br />
para ferro<br />
yön x y z x y z<br />
λ max (mikron) 0.34 0.36 0.40 0.37 0.36 0.42<br />
Denk. 6.11 ve Denk. 6.12 ile verilen toplam kuralları kullanılarak Neff ve εeff<br />
belirlenebilir. Neff birim hücre başına düşen valans elektronlarının etkin sayısıdır. εeff<br />
ise etkin optik dielektrik sabitidir ve sıfır ile E0 enerji aralığındaki bantlararası<br />
geçişlerin optik fonksiyonlara yaptığı katkıyı belirler. SbSI kristalinin paraelektrik<br />
fazı için hesaplanmış Neff ve εeff Şekil 6.34’de, ferroelektrik fazı için Şekil 6.35’de<br />
gösterilmiştir. Bu şekillerden görüldüğü gibi birim hücre başına valans<br />
elektronlarının etkin sayısı Neff, her iki fazda da yaklaşık olarak 9.0 eV foton-enerji<br />
değerinde doyuma ulaşmaktadır. Bunun anlamı şudur: dip seviyelerdeki valans<br />
orbitalleri bantlararası geçişlere katkıda bulunmamaktadır. Her iki fazdaki Neff<br />
eğrilerinin doyuma ulaştıkları enerji değeri ile Şekil 6.4 ve Şekil 6.6’daki elektronik<br />
bant yapıları karşılaştırıldığında bu kolaylıkla görülebilir.<br />
Şekil 6.34. SbSI’ın paraelektrik fazında hesaplanmış valans elektronlarının etkin<br />
sayısı Neff ve etkin optik dielektrik sabiti εeff<br />
97