n - Çukurova Üniversitesi

6. SbSI Harun AKKUŞ
Çizelge 6.7. SbSI kristalinin her iki fazı için kristal eksenleri yönlerinde hesaplanmış
optik iletkenlik fonksiyonlarının maksimumlarına karşılık gelen foton-
dalgaboyları
para ferro
yön x y z x y z
λ max (mikron) 0.34 0.36 0.40 0.37 0.36 0.42
Denk. 6.11 ve Denk. 6.12 ile verilen toplam kuralları kullanılarak Neff ve εeff
belirlenebilir. Neff birim hücre başına düşen valans elektronlarının etkin sayısıdır. εeff
ise etkin optik dielektrik sabitidir ve sıfır ile E0 enerji aralığındaki bantlararası
geçişlerin optik fonksiyonlara yaptığı katkıyı belirler. SbSI kristalinin paraelektrik
fazı için hesaplanmış Neff ve εeff Şekil 6.34’de, ferroelektrik fazı için Şekil 6.35’de
gösterilmiştir. Bu şekillerden görüldüğü gibi birim hücre başına valans
elektronlarının etkin sayısı Neff, her iki fazda da yaklaşık olarak 9.0 eV foton-enerji
değerinde doyuma ulaşmaktadır. Bunun anlamı şudur: dip seviyelerdeki valans
orbitalleri bantlararası geçişlere katkıda bulunmamaktadır. Her iki fazdaki Neff
eğrilerinin doyuma ulaştıkları enerji değeri ile Şekil 6.4 ve Şekil 6.6’daki elektronik
bant yapıları karşılaştırıldığında bu kolaylıkla görülebilir.
Şekil 6.34. SbSI’ın paraelektrik fazında hesaplanmış valans elektronlarının etkin
sayısı Neff ve etkin optik dielektrik sabiti εeff
97