Эллипсометрия - Institute of Physics

НАНО
статьи
Рисунок 16 | Расчетная кривая показывает изменение эллипсометрических
параметров при прогреве гетероструктуры ZnTe/GaAs.
Цифры возле кривой – температура в градусах Цельсия. Группы
символов – результаты измерения этого образца в вакуумной камере
при различных температурах подложки
Рисунок 17 | Топограмма распределения толщины пленки SiO 2
по площади
образца. На участке с адсорбированной пленкой альбумина
наблюдается сдвиг толщин в среднем на 2 нм
из существенных преимуществ такого оптического
метода измерения температуры – это его безынерционность,
в отличие, например, от термопарного, для которого
время релаксации может составлять несколько
секунд.
В медицине, в биологических исследованиях в основе
ряда иммунологических тестов лежит адсорбционная
способность специально приготовленных поверхностей
к соединениям определенного сорта. В этом
направлении ведутся работы по созданию биочипов
для диагностики различных заболеваний [42, 62-65].
На рис. 17 приведен пример изображения, полученного
картированием на эллипсометре МИКРОСКАН
образца Si-SiO 2
, частично покрытого адсорбированной
пленкой альбумина. На топограмме изображено
распределение толщины по площади образца. В левой
его части, покрытой адсорбированной пленкой, шкала
цветов сдвинута в сторону большей толщины на 2 нм.
Особенно наглядно изменение толщины проявляется
на трехмерном изображении.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Развитие нанотехнологий в настоящее время неразрывно
связано с использованием прецизионных измерительных
средств, предназначенных для эффективной
диагностики и контроля создаваемых перспективных
материалов и структур. К таким средствам по праву
относятся эллипсометры, обладающие рядом весомых
достоинств в области контроля тонкопленочных наноструктур,
что определяет высокую эффективность их
использования как при проведении научных исследований,
так и непосредственно в технологическом контроле.
Широкая область применения эллипсометрии
от наноэлектроники до биотехнологий, а также наличие
на рынке современной эллипсометрической аппаратуры,
делает метод оптической эллипсометрии чрезвычайно
привлекательным и доступным для многих
направлений тонкопленочных нанотехнологий.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Асеев А.Л. // Российские нанотехнологии, 2006. Т. 1. № 1, 2. С. 97.
2. Ржанов А.В., Свиташев К.К., Семененко А.И., Семененко Л.В.,Соколов
В.К. Основы эллипсометрии. Новосибирск, Наука, 1979. 424 с.
3. Азам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, 1981.
583 с.
4. Drude P. // Ann. Physik, 1887. B. 32. S. 584.
5. Drude P. // Ann. Physik, 1889. B. 34. S. 489.
6. Drude P. // Ann. Physik, 1889. B. 36. S. 532.
7. Aspnes D.E., Studna A.A. // Appl. Optics, 1975. V. 14. № 1. P. 220.
8. Hauge P.S. // Surf. sci. 1980. V. 96. P. 108.
9. Oshige T., Yamada T., Kazama A. Measuring method for ellipsometric parameters
and ellipsometer. US Patent № 5311285.
10. Collins R.W., Ilsin An, Fujiwara H, et al. // Thin Sol. Films, 1998. V. 313-314.
P. 18.
12. Aspnes D.E., Studna A.A. // Phys. Rev. B, 1983. V. 27. № 2. P. 985.
13. Vina L., Cardona M. // Phys.Rev. B, 1986. V. 34. № 4. P. 2586.
14. De Sande J.C.G., Afonso C.N., Escudero J.L. et al. // Appl. Optics, 1992. V.
31. № 28. P. 6133.
15. Aspnes D.E., Studna A.A., Kinsbron E. // Phys. Rev. B, 1984. V. 29. № 2. P.
768.
16. Suto K., Adachi S. // J. Appl. Phys., 1993. V. 73. № 2. P. 926.
17. Aspnes D.E., Kelso S.M., Logan R.A., Bhat R. // J. Appl. Phys., 1986. V. 60.
№ 2. P. 754.
18. Adachi S., Kimura T., Suzuki N. // J. Appl. Phys., 1983. V. 74. № 5. P. 3435.
19. O. Castaing, R.Granger, J.T.Benhlal, R.Triboulet. // J. Phys.: Condens. Matter,
1996. V. 8. P. 5757.
WWW.NANORU.RU | ТОМ 4 | №3–4 2009 | РОССИЙСКИЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ | СТАТЬИ
83