Ðа пÑÐ°Ð²Ð°Ñ ÑÑкопиÑи
Ðа пÑÐ°Ð²Ð°Ñ ÑÑкопиÑи
Ðа пÑÐ°Ð²Ð°Ñ ÑÑкопиÑи
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
мировании атомных и связевых вкладов (инкременты Паскаля) [366], а также<br />
схемы, учитывающие связевые взаимодействия [367]. Описаны также квантовохимические<br />
подходы, как относительно простые [368], так и метод DFT [369].<br />
Поскольку QSAR/QSPR метод успешно применялся для моделирования<br />
большого числа физико-химических свойств, то было бы также интересно использовать<br />
его для расчета магнитной восприимчивости. В литературе имеются<br />
данные по расчету магнитной восприимчивости с помощью основанного на<br />
теории графов подхода [367, 370], спектральных моментов топологической<br />
матрицы связей [268], а также для элементоорганических галоидопроизводных<br />
элементов четвертой группы на основе топологических индексов [370].<br />
В данной работе мы исследовали применение фрагментных дескрипторов,<br />
генерируемых блоком FRAGMENT (см. раздел 8.3), для прогнозирования<br />
магнитной восприимчивости диамагнетиков.<br />
Составление баз данных. В качестве модельной базы экспериментальных<br />
данных по магнитной восприимчивости (База 1) были выбраны данные<br />
работы [268]. Они включают обучающую выборку из 233 алифатических и 85<br />
ароматических соединений и контрольную выборку из 20 алифатических и 20<br />
ароматических соединений (всего 358 структур). Хотя часть данных по ароматическим<br />
структурам (28 соединений) в работе [268] была вынесена в отдельную<br />
таблицу, мы решили использовать эти данные совместно с данными Базы 1<br />
и включили их в выборку, в результате чего была сформирована База 2, которая<br />
после исключения дубликатов составила 378 структур. Далее мы сформировали<br />
Базу 3 за счет дополнения Базы 2 некоторыми литературными данными по магнитной<br />
восприимчивости. Во-первых, мы использовали данные работы [370] по<br />
магнитной восприимчивости органических галогенпроизводных с целью увеличения<br />
набора уже имеющихся в базе структур такого типа. Именно эти соединения<br />
не очень хорошо моделировались в работе [268]. Во-вторых, мы дополнили<br />
базу данными по гетероциклическим соединениям, взятыми из источников<br />
[371-373]. Наконец, в базу были добавлены два примера циклопропановых<br />
структур, чтобы убедиться в способности модели работать с напряженными<br />
структурами.<br />
164
Change language