Tentamen ETE115 Ellära och elektronik för F och N, 2009- 06-02 1 2
Tentamen ETE115 Ellära och elektronik för F och N, 2009- 06-02 1 2
Tentamen ETE115 Ellära och elektronik för F och N, 2009- 06-02 1 2
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
<strong>Tentamen</strong> <strong>ETE115</strong> <strong>Ellära</strong> <strong>och</strong> <strong>elektronik</strong> <strong>för</strong> F <strong>och</strong> N, <strong>2009</strong>-<br />
<strong>06</strong>-<strong>02</strong><br />
Till˚atna hjälpmedel: formelsamling i kretsteori <strong>och</strong> <strong>elektronik</strong>. Observera att uppgifterna inte är<br />
ordnade i sv˚arighetsordning. Alla lösningar skall ges tydliga motiveringar.<br />
1<br />
Johan har fyra halvd˚aliga 1.5 V batterier <strong>och</strong> skall till dessa koppla in en glödlampa som enligt<br />
beskrivning <strong>för</strong>brukar 3 W vid 1.5 V spänning. Genom att använda en voltmeter <strong>och</strong> en resistans<br />
av 5 Ω lyckas Johan mäta upp att samtliga batterier har en inre resistans av 0.75 Ω <strong>och</strong><br />
tomg˚angsspänningen 1.5 V.<br />
a) Beskriv hur Johan kan mäta upp den inre resistansen <strong>och</strong> tomg˚angsspänningen. Rita enkla<br />
kretsscheman. Voltmetern kan representeras av en kvadrat med en plus- <strong>och</strong> minuspol.<br />
b) Genom att koppla in batterierna p˚a rätt sätt kan Johan f˚a lampan att lysa med full effekt,<br />
dvs s˚a att den <strong>för</strong>brukar 3 W. Beskriv hur Johan har kopplat batterierna <strong>och</strong> lampan <strong>och</strong> rita ett<br />
kretsschema <strong>för</strong> kopplingen.<br />
Ledning: Alla siffervärden är valda s˚a att man inte behöver kalkylator <strong>för</strong> att lösa uppgiften.<br />
2<br />
Omr˚adet mellan inner- <strong>och</strong> ytterledaren i en koaxialkabel är fyllt med ett material vars konduktivitet<br />
är σ. Koaxialkabelns innerledare har ytterradien a <strong>och</strong> dess ytterledare har innerradien b.<br />
Kabelns längd L är mycket större än b.<br />
Antag att vi driver en ström I fr˚an innerledaren till ytterledaren.<br />
a) Rita en figur över koaxialkabelns tvärsnitt <strong>och</strong> rita ut strömtäthetens riktning i n˚agra olika<br />
punkter mellan inner- <strong>och</strong> ytterledaren.<br />
b) Bestäm strömtätheten J(r) i alla punkter mellan inner- <strong>och</strong> ytterledare.<br />
c) Bestäm spänningen V (a) − V (b) mellan inner- <strong>och</strong> ytterledare.<br />
d) Bestäm resistansen R mellan inner- <strong>och</strong> ytterledaren.<br />
1
3<br />
v(t)<br />
+<br />
-<br />
i(t)<br />
Spänningskällan ger en fyrkantpuls med spänningen<br />
⎧<br />
⎪⎨ 0 t < 0<br />
v(t) = V0 0 ≤ t ≤ T<br />
⎪⎩<br />
0 t > T<br />
där V0 > 0 <strong>och</strong> pulslängden T är mycket större än RC.<br />
a) Bestäm i(t) <strong>för</strong> 0 ≤ t ≤ T .<br />
b) Bestäm i(t) <strong>för</strong> t ≥ T .<br />
C<br />
R<br />
2<br />
C<br />
R
4<br />
a<br />
Zab<br />
b<br />
Z 0<br />
`<br />
Z L<br />
200 Zab<br />
150<br />
100<br />
50<br />
f /<br />
Re<br />
0<br />
0<br />
-50<br />
Im<br />
1 2 3<br />
En last ZL är kopplad till en transmissionsledning med karakteristisk impedans Z0 <strong>och</strong> längd ℓ. Man<br />
mäter impedansen Zab mellan nodparet ab <strong>för</strong> att bestämma ZL, Z0, <strong>och</strong> ℓ. Figuren visar real- <strong>och</strong><br />
imaginärdelen av den uppmätta impedansen Zab (enhet Ω) som funktion av v˚agtalet β = 2πf/v<br />
(enhet m −1 ), där f betecknar frekvensen <strong>och</strong> v fashastigheten i transmissionsledningen.<br />
3<br />
¯/m<br />
-1
a) Bestäm lastens impedans ZL.<br />
b) Bestäm längden ℓ.<br />
c) Bestäm den karakteristisk impedansen Z0.<br />
Motivera resultaten.<br />
Transmissionsledningen kan anses vara <strong>för</strong>lustfri.<br />
5<br />
Figuren visar en ’common drain’ <strong>för</strong>stärkare med<br />
en NMOS-transistor. Likspänningskällan VDD <strong>och</strong><br />
motst˚anden R1, R2, RS är valda s˚a att transistorn är<br />
i mättnadsomr˚adet. Insignalen vin(t) = Vin cos(ωt) är<br />
vald s˚a att |Vin| ≪ VDD <strong>och</strong> s˚a att kopplingskapacitansernas<br />
impedanser kan <strong>för</strong>summas. Tröskelspänningen<br />
Vt ≪ VDD <strong>och</strong> konstanten K <strong>för</strong> transistorn är kända.<br />
+ - vin<br />
a) Rita kretsschemat <strong>för</strong> likspänningen VDD (storsignalschemat).<br />
b) Bestäm ekvationerna <strong>för</strong> de tv˚a kurvor i {VGS, ID}-planet vars skärningspunkt ger arbetspunkten,<br />
dvs VGSQ <strong>och</strong> IDQ.<br />
c) Skissa de tv˚a kurvor i {VGS, ID}-planet vars skärningspunkt ger arbetspunkten, dvs VGSQ <strong>och</strong><br />
IDQ.<br />
d) Vilken effekt utvecklas i motst˚anden R1, R2, Rs, likspänningskällan <strong>och</strong> transistorn. Alla resistanser,<br />
spänningen VDD <strong>och</strong> arbetspunkten (VGSQ, IDQ) antas kända.<br />
6<br />
V 1<br />
+<br />
¡<br />
I<br />
b<br />
a<br />
1<br />
sC<br />
1<br />
-<br />
2<br />
+<br />
R t<br />
-<br />
R1<br />
C<br />
R2<br />
+<br />
G<br />
RS<br />
1 4<br />
sC<br />
R R<br />
Figuren visar en krets med tv˚a operations<strong>för</strong>stärkare. Impedansen Zab kan bestämmas med nodanalys<br />
i tre noder.<br />
a) Ange de tre noder där KCL skall användas, motivera?<br />
4<br />
3<br />
5<br />
D<br />
S<br />
R<br />
C<br />
+<br />
RL<br />
vut<br />
-<br />
+<br />
VDD -
) Ange nodanalysekvationerna <strong>för</strong> de tre noderna.<br />
c) Bestäm impedansen Zab = V1/I.<br />
Noderna är numrerade 1 till 5 med tillhörande nodpotentialer Vn, n = 1, ..., 5. Operations<strong>för</strong>stärkarna<br />
kan anses vara ideala <strong>och</strong> resistansen R <strong>och</strong> kapacitansen C är kända. Spänningskällan ges av<br />
v1(t) = Re{V1e jωt }.<br />
5
Lösnings<strong>för</strong>slag<br />
1<br />
a) Johan mäter <strong>för</strong>st upp tomg˚angsspänningarna genom att koppla in voltmetern direkt p˚a ett<br />
batteri i taget. Därefter bestämmer Johan de inre resistanserna. Detta gör han genom att koppla<br />
in 5 Ω motst˚andet till vardera batteri <strong>och</strong> mäta spänningen över motst˚andet. Spänningsdelning ger<br />
Därmed ges den inre resistansen av<br />
Vuppmätt =<br />
5<br />
1.5 V<br />
Ri + 5<br />
� �<br />
1.5<br />
Ri = 5<br />
− 1<br />
Vuppmätt<br />
b) Glödlampan ger 3 W vid 1.5 V spänning. Det gäller allts˚a att f˚a 1.5 V över lampan. Lampan<br />
ger effekten P = 3 W vid 1.5 V vilket ger lampans resistans<br />
Man kan d˚a koppla enligt figuren.<br />
R i<br />
1.5V<br />
R i<br />
1.5V<br />
Rlampa =<br />
+<br />
-<br />
+<br />
-<br />
2Ri<br />
3V<br />
+<br />
-<br />
Ri<br />
3V<br />
R i<br />
1.5V<br />
R i<br />
1.5V<br />
2Ri<br />
3V<br />
+<br />
-<br />
+<br />
-<br />
V 2<br />
P<br />
+<br />
-<br />
+<br />
-<br />
= 1.52<br />
3<br />
Rlampa<br />
Rlampa<br />
Rlampa<br />
= 0.75 Ω<br />
Eftersom Ri = Rlampa f˚ar vi spänningen 1.5 V över glödlampan <strong>och</strong> därmed <strong>för</strong>brukar den 3 W.<br />
6
2<br />
a) Strömtätheten är riktad radiellt ut fr˚an symmetriaxeln.<br />
b) J(rc) = I<br />
2πrcL ˆrc där ˆrc är enhetsvektorn som pekar i radiell led.<br />
c) Det elektriska fältet ges av E(rc) = σ −1 J(rc) =<br />
Spänningen ges av<br />
d) R =<br />
3<br />
V (b) − V (a)<br />
I<br />
� b<br />
V (a) − V (b) =<br />
= 1<br />
2πσL ln(b/a)<br />
a<br />
I<br />
2πσrcL ˆrc.<br />
E(rc) · ˆrc drc = I<br />
2πσL ln(b/a)<br />
a) För 0 < t < T är dioden framspänd <strong>och</strong> kan ersättas med en kortslutning. Kretsen blir d˚a<br />
en vanlig RC-krets som laddas upp av en spänning V0. Detta ger spänningen över den undre<br />
kondensatorn<br />
� �<br />
−t/τ<br />
vc(t) = V0 1 − e , 0 < t < T<br />
där τ = RC. Strömmen ges av<br />
i(t) = C dvc(t)<br />
dt<br />
= V0<br />
R e−t/τ , 0 < t < T<br />
b) Vi antar nu att T ≫ τ. Det gör att den undre kondensatorn är uppladdad till spänningen V0<br />
vid tiden t = T . För t > T är dioden backspänd <strong>och</strong> vi f˚ar den övre kretsen i figuren. Man kan<br />
bestämma strömmen med Laplacetransformering eller direkt i tidsplanet. In<strong>för</strong> <strong>för</strong>st tiden ˜t = t−T<br />
<strong>och</strong> bestäm vc(t) <strong>för</strong> ˜t > 0.<br />
Lösning med Laplacetransformering<br />
Eftersom vc = V0 <strong>för</strong> ˜t = 0 kan vi ersätta den under kondensatorn med en kondensator i serie med<br />
en spänningskälla vilket leder till den undre kretsen i figuren.<br />
7
Ur denna f˚ar vi strömmen<br />
i(t)<br />
I(s)<br />
C<br />
R<br />
+ -<br />
v<br />
c<br />
(t)<br />
R<br />
1<br />
sC<br />
- +<br />
V0<br />
s<br />
V0<br />
V0C<br />
I(s) = −<br />
= −<br />
s(2R + 2/(sC)) 2(1 + sCR)<br />
Motsvarande tidsberoende ström är (se formelsamling)<br />
där τ = RC. Detta ger<br />
Om ˜t ersätts med t − T f˚as<br />
Lösning i tidsplanet<br />
C<br />
R<br />
1<br />
sC<br />
i(t) = − V0<br />
2R e−˜t/τ , 0 < t < T<br />
i(t) = − V0<br />
2R e−˜t/τ<br />
i(t) = − V0<br />
2R e−(t−T )/RC , t > T<br />
För t > T kan vi seriekoppla de b˚ada motst˚anden till en resistans 2R <strong>och</strong> de b˚ada kondensatorerna<br />
till en kapacitansen C/2. Begynnelsvillkoret vid t = T är att kapacitansen C/2 är uppladdad till<br />
spänningen −V0, se figur (man inser detta om man använder Theveninekvivalenten <strong>för</strong> kondensatorerna.)<br />
Standardmetoden <strong>för</strong> att behandla urladdning av kondensatorer ger att spänningen över<br />
kapacitansen C/2 blir<br />
Strömmen ges av<br />
−(t−T )/RC<br />
vc(t) = −V0e<br />
i(t) = − C dvc(t) V0<br />
= −<br />
2 dt 2R e−(t−T )/RC , t > T<br />
8<br />
R
4<br />
Impedansen ges av<br />
a) För β = 0 f˚ar vi Zab = ZL = 50 Ω.<br />
ZL cos(βℓ) + jZ0 sin(βℓ)<br />
Zab = Zin = Z0<br />
Z0 cos(βℓ) + jZL sin(βℓ)<br />
b) Zab är periodisk, dvs Zab(β) = Zab(β + 1 m −1 ). Enligt impedanstransformeringen är därmed<br />
2ℓ = 2π m, <strong>och</strong> ℓ = π m.<br />
c) Det enklaste är att använda kvartv˚agstransformatorn (2βℓ = π eller β = 0.5 m −1 ) där 200 Ω =<br />
Zab = Z 2 0/ZL som ger Z0 = 100 Ω.<br />
5<br />
R<br />
R<br />
1<br />
2<br />
0<br />
I 1<br />
G<br />
+<br />
VGS -<br />
D<br />
S<br />
I D<br />
R<br />
a) Kretsschemat visas i figuren.<br />
S<br />
I DD<br />
+<br />
VDD -<br />
20<br />
G<br />
S<br />
V<br />
R<br />
10<br />
I DQ<br />
I [mA]<br />
D<br />
0<br />
GS<br />
0 2 4 V 5<br />
G [V]<br />
b) Arbetspunkten, Q, <strong>för</strong> transistorn kan bestämmas med belastningslinjen. KVL längs slingan i<br />
figuren ger<br />
VG − VGS − IDRS = 0<br />
där<br />
R2<br />
VG = VDD<br />
R1 + R2<br />
är potentialen i G. Sambandet i mättnadsomr˚adet är<br />
ID = K(VGS − Vt) 2<br />
Lösningen av ekvationssystemet ger arbetspunkten IDQ, VGSQ.<br />
c) Se figur.<br />
Vt<br />
Q<br />
V GSQ<br />
d) Strömmen genom R1<strong>och</strong>R2 är I1 = VDD/(R1 + R2) vilket ger effektutvecklingen<br />
p1 = R1I 2 V<br />
1 = R1<br />
2 DD<br />
(R1 + R2) 2 <strong>och</strong> p2 = R2I 2 1 = R2<br />
Strömmen genom Rs är IDQ vilket ger<br />
ps = RsI 2 DQ<br />
9<br />
V 2 DD<br />
(R1 + R2) 2<br />
V<br />
(1)
Strömmen genom spänningskällan ges av IDD = −I1 − IDQ som ger<br />
pDD = VDDIDD = − V 2 DD<br />
− VDDIDQ<br />
R1 + R2<br />
Slutligen genom energikonservering (eller eftersom IG = 0)<br />
pNMOS = VDSQIDQ<br />
Observera att transistorn <strong>för</strong>brukar energi pNMOS > 0.<br />
6<br />
De ideala operations<strong>för</strong>stärkarna ger <strong>för</strong>st att V1 = V3 = V5.<br />
a) Nodanalys i noderna 1, 3, 5. Noderna 2 <strong>och</strong> 4 m˚aste undvikas eftersom vi inte vet strömmarna<br />
som g˚ar ut fr˚an operations<strong>för</strong>stärkarna. Anledningen till att de inte behövs är att de ersätts<br />
med villkoren att spänningen över ing˚angen p˚a vardera OP är noll <strong>och</strong> att strömmen in i<br />
de inverterande <strong>och</strong> icke-inverterande ing˚angarna är noll.<br />
b) nod 1.<br />
nod 3<br />
nod 5<br />
−I + V1 − V2<br />
1/sC<br />
V1 − V2<br />
R<br />
+ V1 − V4<br />
1/sC<br />
= 0<br />
= 0<br />
V1 − 0<br />
R + V1 − V4<br />
= 0<br />
R<br />
c) Lös ekvationssystemet ovan. Nod 5 ger V4 = 2V1. Detta sätts in i nod 3<br />
<strong>och</strong> slutligen i nod 1<br />
som ger impedansen<br />
(1 + sRC)V1 − V2 − sRCV4 = (1 − sRC)V1 − V2 = 0<br />
I = sC(V1 − V2) = s 2 RC 2 V1<br />
Zab = V1/I =<br />
10<br />
1<br />
s 2 RC 2