13.07.2015 Views

1971 г. Ноябрь Том 105, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК М ...

1971 г. Ноябрь Том 105, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК М ...

1971 г. Ноябрь Том 105, вып. 3 УСПЕХИ ФИЗИЧЕСКИХ НАУК М ...

SHOW MORE
SHOW LESS
  • No tags were found...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

ЛАЗЕРЫ НА КРАСИТЕЛЯХТеория <strong>г</strong>енерации красителей и анализ спектральных и временныхсвойств и мощностей накачки были рассмотрены рядом авторов 2 > 3 - 32 >34-43, 106 о н и Пр О в е л ирасчеты заселенности уровней до и после началастимулированно<strong>г</strong>о излучения, поля фотонов, частотной зависимости усиленияи влияния триплетных потерь на контур усиления. Ниже приводитсяобычное рассмотрение характеристик красителя при оптическойнакачке. Сначала рассчитывается зависимость усиления от частоты,а затем изменение этой зависимости в течение импульса накачки. Использованныйметод является распространением метода, развито<strong>г</strong>о <strong>М</strong>ак-Камбером 44для рассмотрения широких спектров по<strong>г</strong>лощения и излучения,связанных с твердотельными лазерами, у которых нижний рабочийуровень является фононным. Результаты расчета показывают характеризменения усиления вдоль широко<strong>г</strong>о спектра люминесценции при изменениичастоты и времени. Подробная экспериментальная проверка теориидается далее в <strong>г</strong>л. IV и V.А. Зависимость от частотыУровни энер<strong>г</strong>ии и переходы, существенные для понимания процесса<strong>г</strong>енерации излучения в красителях, приведены на рис. 2. При оптическойнакачке дости<strong>г</strong>ается возбуждение в состояние Si или в более высокорасположенные син<strong>г</strong>летные состояния с последующим быстрым затуханиемна Si. Предпола<strong>г</strong>ается, что молекулярная заселенность внутринабора колебательно-вращательных уровней данно<strong>г</strong>о электронно<strong>г</strong>о состояниядости<strong>г</strong>ает больцмановско<strong>г</strong>о равновесно<strong>г</strong>о распределения, характеризующе<strong>г</strong>осятемпературой среды, в течение времени, коротко<strong>г</strong>о по сравнениюсо скоростью оптической накачки и затухания излучения с уровняSi (хотя, как уже отмечалось, это может не иметь места для S o). Усилениена единицу длины для фотонов у<strong>г</strong>ловой частоты ω выражается как

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!