<strong>Aka<strong>de</strong>mos</strong>REZONATOARE LASERÎN NANOSTRUCTURIDE ZnO CU MODURIDE EMISIE CONTROLATEDE MORFOLOGIEDr. Veaceslav URSACHI 1)Dr. Emil RUSU 2)Dr. Victor ZALAMAI 1)Alexandru BURLACU 2)M. cor. Ion TIGHINEANU 2,31Institutul <strong>de</strong> Fizică Aplicată, AŞM2Institutul <strong>de</strong> Inginerie Electronică şi Nanotehnologii„D. Ghiţu”, AŞM3Centrul Naţional <strong>de</strong> Studiu şi Testare a Materialelor,Universitatea Tehnică a MoldoveiLASER RESONATORS IN ZNO NANO-STRUCTURES WITH MORPHOLOGY CON-TROLLED EMISSION MODESThe paper gives an overview of technologicalelaborations performed at the Institute of AppliedPhysics and the Institute of Electronic Engineeringand Nanotechnologies “D. Giţu” of the Aca<strong>de</strong>myof Sciences of Moldova for the production of ZnObased nanostructures ensuring as high optical qualityof the produced nanostructures as to act as gainmedium for stimulated emission in the ultravioletspectral region and as relevant geometrical formsand morphologies as to act as high quality factorlaser resonators. It is <strong>de</strong>monstrated that, due to thepossibility of multiple and switchable growth directionsof the wurtzite structure and the high ionicity ofits polar surfaces, ZnO provi<strong>de</strong>s conditions for theformation of a variety of micro/nanostructures whichact as laser resonators sustaining gui<strong>de</strong>d mo<strong>de</strong>s,Fabry–Perot mo<strong>de</strong>s, whispering gallery mo<strong>de</strong>s, randomlasing and a combination of them. The producedstructures are expected to fi nd many applications inintegrated nanoscale optoelectronics, photonics, andsensor technologies.1. IntroducereDatorită parametrilor avantajoşi, cum ar fi bandainterzisă largă <strong>de</strong> 3.36 eV la temperatura camereişi energia <strong>de</strong> legătură mare a excitonilor <strong>de</strong> 60 meV,oxidul <strong>de</strong> zinc este unul dintre cele mai promiţătoaremateriale <strong>pentru</strong> dispozitivele optice cu funcţionareîn regiunea un<strong>de</strong>lor albastre şi ultraviolete, inclusiv<strong>pentru</strong> microlasere [1]. Printre alte proprietăţifavorabile trebuie <strong>de</strong> menţionat legăturile puternice(energia coezivă <strong>de</strong> 1.89 eV), stabilitatea mecanicăînaltă (temperatura <strong>de</strong> topire <strong>de</strong> 2200 K) şi posibilitatea<strong>de</strong> schimbare multiplă a direcţiilor <strong>de</strong> creştereîn structura <strong>de</strong> tip wurtzită, care în combinaţie cucaracterul ionic pronunţat al suprafeţelor polare asigurăformarea unei diversităţi imense <strong>de</strong> microstructuri/nanostructuri[2,3]. Parametrii optici avantajoşiai cristalelor <strong>de</strong> ZnO asigură posibilitatea emisieistimulate la temperatura camerei datorită mai multormecanisme, cum ar fi recombinarea excitonilorliberi, interacţiunea exciton-exciton, formarea plasmeielectron-gol etc. [4,5]. Din altă perspectivă, posibilitateaproducerii microstructurilor şi nanostructurilor<strong>de</strong> ZnO cu o varietate <strong>de</strong> morfologii asigurăoportunitatea <strong>de</strong> a crea diferite rezonatoare laser şi<strong>de</strong> a dirija structura modurilor <strong>de</strong> emisie stimulată.Nanolaserele în bază <strong>de</strong> ZnO au o largă implementareîn circuitele optoelectronice şi fotonice integrate,tehnologiile senzorilor, păstrarea şi procesareainformaţiei, microanaliză etc. [6].În această lucrare sunt prezentate elaborărilecolaboratorilor Aca<strong>de</strong>miei <strong>de</strong> Ştiinţe a Moldovei îndomeniul tehnologiilor <strong>de</strong> creştere a nanostructurilor<strong>de</strong> ZnO şi implementarea acestor tehnologii încrearea rezonatoarelor laser cu structura modurilor<strong>de</strong> emisie dirijată.2. Tehnologii <strong>de</strong> producere a structurilor<strong>de</strong> ZnOUna dintre tehnologiile care asigură o calitateoptică înaltă a materialului produs este <strong>de</strong>punereachimică din vapori cu folosirea precursorilormetalo-organici (MOCVD). Procesul <strong>de</strong> creştereMOCVD la presiunea atmosferică este efectuat întrunsistem orizontal dublu care constă dintr-o sobă sursăşi o sobă principală, după cum este ilustrat în Figura1a. Acetilacetonatul monohidrat <strong>de</strong> zinc (Aldrich),încărcat într-o luntriţă <strong>de</strong> cuarţ, serveşte ca materialsursă introdus în soba sursă. Vaporii sunt transportaţicătre soba principală <strong>de</strong> către un flux <strong>de</strong> Ar, careeste mixat cu un alt flux <strong>de</strong> Ar şi O 2la intrarea însoba principală. Materialul sursă este menţinut latemperatura <strong>de</strong> 130 o C, iar temperatura suportuluidin soba principală este setată la 500 o C. Procesul<strong>de</strong> creştere durează o oră. În acest proces <strong>de</strong> creşteremorfologia structurilor produse este <strong>de</strong>terminată <strong>de</strong>raportul componentelor din fluxurile <strong>de</strong> gaze.Cum tehnologia <strong>de</strong> creştere MOCVD este costisitoare,au fost elaborate diferite proce<strong>de</strong>e <strong>de</strong> <strong>de</strong>punerea structurilor <strong>de</strong> ZnO printr-o metodă maisimplă şi mai efectivă <strong>de</strong> evaporare carbotermală.Într-o variantă a acestei tehnologii <strong>de</strong> <strong>de</strong>punere chimicădin vapori, procesul <strong>de</strong> evaporare şi con<strong>de</strong>nsarese produce într-o sobă orizontală cu un flux <strong>de</strong>argon/oxigen, după cum este ilustrat în Figura 1b.Un amestec <strong>de</strong> pulbere <strong>de</strong> ZnO (99.999 %) şi grafit96 - nr. 3(22), septembrie <strong>2011</strong>
Nanotehnologiicu raportul molar <strong>de</strong> 1:1 este plasat într-un tub <strong>de</strong>cuarţ interior cu un suport plasat aval sau amonte.În sobă este setat un profil <strong>de</strong> temperatură cu maximul<strong>de</strong> 1050 o C în locul <strong>de</strong> plasare a sursei şi <strong>de</strong>1000 o C la suport. Durata procesului, ca şi în cazulcreşterii MOCVD, este <strong>de</strong> o oră. Într-o altă modificarea acestei tehnologii, creşterea structurilor <strong>de</strong>ZnO se produce într-o sobă verticală, ilustrată schematicîn Figura 1c. Acelaşi amestec <strong>de</strong> ZnO şi grafitîn calitate <strong>de</strong> material sursă este plasat la capătul sudatal unui reactor <strong>de</strong> cuarţ. Sistemul este încălzit cuo viteză <strong>de</strong> 40 o C·min -1 până la atingerea temperaturii<strong>de</strong> 1000 o C a materialului sursă. Materialul sursăevaporat este ulterior transportat prin faza <strong>de</strong> vaporicătre suportul plasat <strong>de</strong>asupra unui cilindru interior<strong>de</strong> cuarţ, un<strong>de</strong> el este oxidat. Temperatura suportuluieste controlată <strong>de</strong> către regimurile <strong>de</strong> temperaturidin sobă şi <strong>de</strong> către înălţimea cilindrului <strong>de</strong> cuarţinterior. Temperatura la suport este cu 60 o C maijoasă <strong>de</strong>cât temperatura sursei datorită gradientului<strong>de</strong> temperaturi din sobă. Vaporii <strong>de</strong> Zn sunt iniţialgeneraţi prin reacţia <strong>de</strong> reducere carbotermală a pulberii<strong>de</strong> ZnO în zona <strong>de</strong> temperatură înaltă a sobei.Ulterior, ei sunt transportaţi prin difuziune termicăcătre zona <strong>de</strong> temperatură mai joasă şi sunt <strong>de</strong>puşipe suprafaţa suportului, un<strong>de</strong> zincul este oxidat prinreacţia cu CO/CO 2şi oxigenul din aerul ambiant dincamera <strong>de</strong> creştere.În calitate <strong>de</strong> suport pot fi folosite plachete <strong>de</strong>Si sau cuarţ.Tehnologiile <strong>de</strong> creştere carbotermale sunt maipuţin costisitoare, <strong>de</strong>oarece nu sunt necesare substanţeprecursoare scumpe, fiind folosite doar pulbere<strong>de</strong> ZnO şi grafit. Deosebit <strong>de</strong> eficiente suntmeto<strong>de</strong>le cu sobă verticală care nu necesită sisteme<strong>de</strong> vidare şi nici fluxuri <strong>de</strong> gaze. Morfologia structurilorproduse este controlată atât <strong>de</strong> parametriitehnologici, cât şi <strong>de</strong> cantitatea <strong>de</strong> material sursăintrodus în sobă, care se epuizează la diferite etape<strong>de</strong> creştere a structurilor, producând nanostructuri şimicrostructuri <strong>de</strong> diferite forme geometrice.3. Morfologii ale structurilor <strong>de</strong> ZnOPrin variaţia condiţiilor tehnologice în procesul<strong>de</strong> creştere carbotermală pot fi obţinute nanostructuri<strong>de</strong> ZnO <strong>de</strong> diferite forme geometrice aşa ca nanoprisme,nanotuburi, nanotetrapoduri sau structurimai complexe cum ar fi microtorţe etc., după cumeste arătat în rândul <strong>de</strong> sus al Figurii 2. Structuriîn formă <strong>de</strong> microtorţe (arătate în imaginea <strong>de</strong> lamijlocul rândului <strong>de</strong> sus din Figura 2), <strong>de</strong> exemplu,se produc într-o sobă verticală, procesul <strong>de</strong> creşterefiind constituit din câteva etape.Figura 1. Prezentarea schematică a instalaţieiMOCVD (a), a sobei orizontale (b) şi verticale (c)<strong>de</strong> creştere a structurilor <strong>de</strong> ZnO prin evaporareacarbotermală. În (a) 1 – soba sursă, 2 – luntriţă <strong>de</strong>cuarţ, 3 – soba principală, 4 – cilindru<strong>de</strong> protecţie din cuarţ, 5 – cilindru din cuarţ <strong>pentru</strong><strong>de</strong>punere, 6 – suport <strong>de</strong> Si sau cuarţ. În (b) 1 – sobăorizontală, 2 – reactor din cuarţ, 3 – cilindru dincuarţ, 4 – material sursă, 5 – suport. În (c) 1 – sobăverticală, 2 – tub ceramic din Al 2O 3, 3 – încălzitor,4 – reactor din cuarţ, 5 – material sursă, 6 – suport,7 – cilindru din cuarţFigura 2. Nanostructuri şi microstructuri <strong>de</strong>ZnO produse prin tehnologia MOCVD sau prinevaporarea carbotermalăÎn prima etapă, pe suport are loc <strong>de</strong>punerea unuifilm subţire <strong>de</strong> nucleaţie. În faza a doua, care coinci<strong>de</strong>cu faza <strong>de</strong> creştere a temperaturii în sobă, are loccreşterea bazei microtorţei. Datorită creşterii treptatea temperaturii în această fază, are loc creştereadiametrului bazei <strong>de</strong>-a lungul direcţiei <strong>de</strong> creşterea torţei. Faza a treia <strong>de</strong> creştere constă în formareaplatformei hexagonale, <strong>de</strong> pe care ulterior începecreşterea nanofirelor în ultima fază <strong>de</strong> creştere, careformează „flacăra” torţei. Platforma hexagonală seproduce în condiţiile <strong>de</strong> temperatură constantă se-3(22), septembrie <strong>2011</strong> - 97
- Page 1 and 2:
akademosRevistă de Ştiinţă,Inov
- Page 3 and 4:
EvenimentCONFERINŢAŞTIINŢIFICĂ
- Page 5 and 6:
EvenimentDEMOCRAŢIA,O LUNGĂ BĂT
- Page 7 and 8:
EvenimentÎn contextul contribuţie
- Page 11:
IstorieMarilor Adunări Naţionale
- Page 16 and 17:
Akademosriului. În acelaşi timp,
- Page 18 and 19:
AkademosLIMBA ROMÂNĂ,„CASĂ A F
- Page 20 and 21:
AkademosCei mai mulţi nu înţeleg
- Page 22 and 23:
AkademosColibaba, cel care a ţinut
- Page 24 and 25:
Akademoscompensare a şomajului (T)
- Page 26 and 27:
AkademosEmisie monetar i/sauTaxe co
- Page 28 and 29:
AkademosBNM este bazată pe princip
- Page 30 and 31:
Akademosteresele diferitelor struct
- Page 32 and 33:
AkademosAstfel, sistemul de informa
- Page 34 and 35:
AkademosINFLUENŢAINSTITUŢIILORASU
- Page 36 and 37:
36 - nr. 3(22), septembrie 2011Akad
- Page 38 and 39:
AkademosTabelul 4Indicele Dezvoltă
- Page 40 and 41:
Akademosrelansarea afacerilor; stim
- Page 42 and 43:
Akademosprea complex, iar nivelul
- Page 44 and 45:
Akademoste au fost estimate să cre
- Page 46 and 47: Akademosindustriale prin intermediu
- Page 48 and 49: Akademos11. Miller, T & Holmes, K.
- Page 50 and 51: AkademosНевозобновляе
- Page 52 and 53: Akademosего запасы буд
- Page 54 and 55: AkademosREPUBICA MOLDOVA ÎNCADRUL
- Page 56 and 57: AkademosDependenţa de import al ga
- Page 58 and 59: Akademos2. Depozite de gaz şi meca
- Page 60 and 61: Akademosţări producătoare şi de
- Page 62 and 63: Akademosvativă a solului se înţe
- Page 64 and 65: Akademosderea bruscă a conţinutul
- Page 66 and 67: Akademosturile cu capacitate diferi
- Page 68 and 69: CULTURA FLORII-SOARELUI (HELIANTHUS
- Page 70 and 71: AkademosFig. 2. Presa de ulei din s
- Page 72 and 73: Akademosconfirme extinderea „expl
- Page 74 and 75: AkademosFig. 5. Cultivarea florii-s
- Page 76 and 77: AkademosTabelul 2Recolta de floarea
- Page 78 and 79: AkademosModificarea procentuală a
- Page 80 and 81: Akademosmetabolismului glucidic şi
- Page 82 and 83: Akademosdenumiri de preparate medic
- Page 84 and 85: AkademosFederaţia RusăEstoniaRom
- Page 86 and 87: de înalte în raport cu alte unit
- Page 88 and 89: Akademoslizarea permanentă, în sp
- Page 90 and 91: Akademos2. OBIECTE ŞI METODE DE ST
- Page 92 and 93: AkademosMicroelemente (în mg/ml):
- Page 94 and 95: Akademosceilalţi fie direct, fie i
- Page 98 and 99: Akademostată la 1000 o C. Nanofire
- Page 100 and 101: Akademosformarea modurilor Fabry-Pe
- Page 102 and 103: AkademosBibliografie1. U. Ozgur, Ya
- Page 104 and 105: Akademoscaracteristicele evaluării
- Page 106 and 107: AkademosMUZEUL, SOCIETATEAŞI SALVG
- Page 108 and 109: Akademosde-a 7-a Adunare Generală
- Page 110 and 111: AkademosTEZAURUL FOLCLORICAL ROMÂN
- Page 112 and 113: Akademossunt unice. Fiecare lucrare
- Page 114 and 115: Akademospiesei au creat iniţial im
- Page 116 and 117: Akademosprincipalele probleme istor
- Page 118 and 119: Akademosgramului a fost anevoioasă
- Page 120 and 121: Akademosde viaţă al părinţilor
- Page 122 and 123: Akademosria, arătând că relaţii
- Page 124 and 125: Akademos- în primul rând, Maria C
- Page 126 and 127: AkademosBibliografie1Майков,
- Page 128 and 129: NINA ARBORE, DOAMNĂA ARTELOR FRUMO
- Page 130 and 131: Akademosrevine în ţară, unde şi
- Page 132 and 133: ULTIMA ARBOREASĂAntonina SÂRBUAka
- Page 134 and 135: SCHIMBĂRILECLIMATICEŞI IMPACTUL L
- Page 136 and 137: O MONOGRAFIE DESPRENANOELECTRONICĂ
- Page 138 and 139: Akademoscătre Andrei Madan, Ion Pe
- Page 140 and 141: MARELE POETMIHAI EMINESCUÎN SPAŢI
- Page 142 and 143: Akademospledau pentru eliberarea ţ
- Page 144 and 145: AkademosFILOLOG POLIVALENTDr. Galac
- Page 146 and 147:
Akademosurgenţă la etapa de presp
- Page 148 and 149:
Akademosţire, doritori să păstre
- Page 150 and 151:
Akademosla vârsta de 46 de ani, pl
- Page 152:
AkademosÎNTEMEIETORUL ŞCOLIISOCIO