12.07.2015 Views

Academos 3 2011 pentru PDF - Akademos - Academia de Ştiinţe a ...

Academos 3 2011 pentru PDF - Akademos - Academia de Ştiinţe a ...

Academos 3 2011 pentru PDF - Akademos - Academia de Ştiinţe a ...

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

Nanotehnologiiun<strong>de</strong> m este numărul faţetelor, D este diametrulpoligonului, iar R este coeficientul <strong>de</strong> reflecţie <strong>de</strong>la faţete. În acest caz, atât modurile WGM, cât şiq-WGM pot asigura un factor <strong>de</strong> calitate <strong>de</strong> 640, darpier<strong>de</strong>rile <strong>de</strong> radiaţie în cazul modurilor q-WGMsunt mai mari <strong>de</strong>cât în cazul modurilor WGM.Rezonatoare laser combinate au fost realizateîn structuri emisferice <strong>de</strong> tipul celor ilustrate înmijlocul Figurii 2. Spectrul <strong>de</strong> emisie <strong>de</strong> la aceastăstructură <strong>de</strong>pin<strong>de</strong> <strong>de</strong> aria excitată din microstructură.Spectrul <strong>de</strong> emisie <strong>de</strong> la partea centrală a microstructurii,excitată cu un fascicul <strong>de</strong> diametrul60 μm la <strong>de</strong>nsităţi <strong>de</strong> excitare mai mari <strong>de</strong>cât pragullaser, constă din câteva linii <strong>de</strong> emisie care nu seschimbă <strong>de</strong> la un impuls <strong>de</strong> excitare la altul, dupăcum se ve<strong>de</strong> din Figura 6a. Aceste moduri <strong>de</strong> emisiesunt <strong>de</strong> tipul WGM, formate în prisma hexagonalăilustrată în imaginea <strong>de</strong> jos a Figurii 5c.La excitarea integrală a structurii emisferice cuun fascicul <strong>de</strong> lumină mai larg, în spectrul <strong>de</strong> emisieapar nişte linii noi marcate cu steluţe în Figura 6b înplus la liniile observate în Figura 6a. Din Figura 6bputem observa că liniile marcate cu steluţe diferă <strong>de</strong>la un impuls <strong>de</strong> excitare la altul, ceea ce este caracteristic<strong>pentru</strong> efectul laser aleatoriu. Efectul laseraleatoriu este realizat în această structură datorităîmprăştierii puternice a luminii în stratul <strong>de</strong> la bazastructurii emisferice.Rezonatoare <strong>de</strong> tipul laserului aleatoriu se formeazăşi în structuri produse prin metoda MOCVDcu morfologia ilustrată în rândul <strong>de</strong> jos al Figurii 2[9]. Emisia laser din aceste structuri a fost observatăsub forma multiplelor linii foarte înguste careapar în spectrul <strong>de</strong> emisie la excitare cu <strong>de</strong>nsităţimai mari <strong>de</strong>cât pragul laser, iar numărul şi poziţiaspectrală a lor diferă <strong>de</strong> la un impuls <strong>de</strong> excitarela altul. Pragul <strong>de</strong> emisie laser în aceste structuri,<strong>de</strong>terminat din schimbarea pantei din <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>nţailustrată în Figura 6c, este <strong>de</strong> 1.5 W/cm 2 . Formareamodurilor <strong>de</strong> tipul Fabry–Perot sau WGM nu esteposibilă în aceste structuri din cauza formei neregulatea nanostructurilor, a pier<strong>de</strong>rilor optice marişi a amplificării insuficiente în nanostructuri individuale.Pe <strong>de</strong> altă parte, efectul laser aleatoriu nunecesită cavităţi regulate, dar <strong>de</strong>pin<strong>de</strong> în schimb <strong>de</strong>puterea <strong>de</strong> împrăştiere a luminii în material. Efectullaser aleatoriu este <strong>de</strong>monstrat şi <strong>de</strong> analiza <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>nţeipragului <strong>de</strong> emisie laser în raport cu ariasuprafeţei excitate A p. În cazul rezonatoarelor <strong>de</strong>tipul Fabry–Perot, WGM, sau a modurilor ghidate,pragul <strong>de</strong> emisie laser nu <strong>de</strong>pin<strong>de</strong> <strong>de</strong> aria suprafeţeiexcitate, spre <strong>de</strong>osebire <strong>de</strong> rezonatoarele laser aleatoriu.O analiză cantitativă a efectului laser aleatoriuîn polimeri dopaţi cu molecule <strong>de</strong> coloranţi, dar şi înstraturi policristaline <strong>de</strong> ZnO, a arătat că performanţalaserului aleatoriu <strong>de</strong>pin<strong>de</strong> în mod critic <strong>de</strong> ariasuprafeţei excitate, precum şi <strong>de</strong> dimensionalitateamediului laser aleatoriu [15,16]. S-a <strong>de</strong>monstratcă pragul <strong>de</strong> emisie laser este proporţional cu A p-0.5în cazul unui mediu laser aleatoriu bi-dimensional(2D) şi este proporţional cu A p-0.75în cazul unui mediutri-dimensional (3D).Analiza <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>nţei pragului <strong>de</strong> emisie laserîn funcţie <strong>de</strong> aria suprafeţei excitate în structuriproduse prin metoda MOCVD cu morfologiailustrată în imaginea <strong>de</strong> mijloc din rândul <strong>de</strong> josal Figurii 2 <strong>de</strong>monstrează o <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>nţă I th= (3.5± 0.4)A p-(0.53 ± 0.03), care este în bună concordanţăcu mediul laser aleatoriu 2D. Aceste structuri potfi, într-a<strong>de</strong>văr, consi<strong>de</strong>rate bi-dimensionale, <strong>de</strong>oarecelumina este împrăştiată în planul stratului<strong>de</strong> ZnO, iar confinarea optică în direcţia perpendicularăstratului se produce prin reflexie internătotală datorită diferenţei indicilor <strong>de</strong> refracţie astratului <strong>de</strong> ZnO şi a suportului <strong>de</strong> cuarţ, pe <strong>de</strong> oparte, şi a mediului ambiant, pe <strong>de</strong> altă parte.5. ConcluziiAcest studiu confirmă posibilitatea <strong>de</strong> producerecu ajutorul tehnologiilor cost-efective a materialuluiZnO cu proprietăţi optice necesare <strong>pentru</strong>amplificarea radiaţiei optice în domeniul ultravioletal spectrului care, <strong>de</strong> rând cu varietatea <strong>de</strong> nanostructurişi microstructuri cu proprietăţi excelente<strong>de</strong> rezonatoare laser, poziţionează oxidul <strong>de</strong> zincca un material cu o perspectivă largă <strong>de</strong> aplicare înnanolasere şi microlasere <strong>pentru</strong> circuitele optoelectroniceşi fotonice integrate.Rezultatele expuse în această lucrare au fost obţinuteîn colaborare cu colegii <strong>de</strong> la Institutul <strong>de</strong> FizicăAplicată al Universităţii Karlsruhe (TH), Germania;Laboratorul <strong>de</strong> Fizică H H Wills al UniversităţiiBristol, Marea Britanie, Laboratorul <strong>de</strong> Cristalizaredin Soluţii la Temperaturi Înalte a Institutului<strong>de</strong> Fizică a Corpului Solid, Chernogolovka, Rusia şialte centre <strong>de</strong> cercetare şi au fost publicate în peste20 <strong>de</strong> lucrări în reviste <strong>de</strong> circulaţie internaţionalăcu înalt factor <strong>de</strong> impact. Elaborările principale aufost prezentate la expoziţii şi saloane naţionale şiinternaţionale, iar prioritatea lor este protejată <strong>de</strong> 5brevete <strong>de</strong> invenţii.Lucrarea a fost efectuată cu suportul CentruluiŞtiinţifico-Tehnologic din Ucraina (STCU) (proiectul# 4034). Dr. Victor Zalamai apreciază suportulfinanciar al Fundaţiei Alexan<strong>de</strong>r von Humboldt şiDFG KC 354/23.3(22), septembrie <strong>2011</strong> - 101

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!