09.07.2015 Views

NICOLAE TITULESCU - Akademos - Academia de Ştiinţe a Moldovei

NICOLAE TITULESCU - Akademos - Academia de Ştiinţe a Moldovei

NICOLAE TITULESCU - Akademos - Academia de Ştiinţe a Moldovei

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

Tribuna tânărului savantINGINERIA FONONICĂŞI CONDUCTIBILITATEATERMICĂ DE REŢEAÎN NANOSTRUCTURILEMULTISTRATIFICATEŞI ÎN GRAFENDr. conf. cerc. Denis NICAPHONON ENGINERING AND LATTICETHERMAL CONDUCTIVITY IN PLANARMULTILAYERED NANOSTRUCTURES ANDGRAPHENEPhonons, i.e. quanta of lattice vibrations,manifest themselves in all electrical, thermal,and optical phenomena in semiconductors andother material systems. Reduction of the size ofelectronic <strong>de</strong>vices below the acoustic phononmean free path creates a new situation for thephonons propagation and interaction. Fromone si<strong>de</strong>, it may complicate heat removal fromthe downscaled <strong>de</strong>vices. From the other si<strong>de</strong>,it opens up an opportunity for engineeringphonon spectrum in nanostructured materials,and achieving enhanced operation of nanoscale<strong>de</strong>vices. In the paper the author presents brief<strong>de</strong>scription of the theoretical <strong>de</strong>velopment ofthe nanoscale phonon engineering concept formultilayered nanostructures i.e. concept of thetuning the phonon spectrum in the acousticallymismatched nano- and heterostructures inor<strong>de</strong>r to change the ability of semiconductors toconduct heat or electric current. He also reviewsthe theoretical and experimental results of heatconduction in monolayer and few-layer graphene,obtained for the fi rst time by the physists fromUniversity of California – Riversi<strong>de</strong> and MoldovaState University.Miniaturizarea impetuoasă a dispozitivelorelectronice în domeniul nanometric (cu dimensiunispaţiale caracteristice <strong>de</strong> ordinul milionimilor <strong>de</strong>milimetru), majorarea <strong>de</strong>nsităţii chip-urilor microşinanoelectronice, precum şi a vitezei lor <strong>de</strong>funcţionare, fac prioritară problema dirijării eficientea fluxurilor <strong>de</strong> căldură în dispozitivele respective.Pentru a asigura evacuarea căldurii <strong>de</strong> la punctelefierbinţi ale chip-urilor electronice mo<strong>de</strong>rne trebuieutilizate materiale cu o conductibilitate termicăînaltă, adică materiale cu o capacitate înaltă <strong>de</strong>transmitere a căldurii. Pe <strong>de</strong> altă parte, elementeletermoelectrice şi izolaţia termică necesită materialecu conductibilitate termică redusă.Principalii purtători <strong>de</strong> căldură la temperaturacamerei în materiale dielectrice, precum şimateriale semiconductoare aliate mediu (ca siliciulori germaniul) sunt fononii [1-3]. S-a stabilitfaptul, că proprietăţile fononice ale structurilornanodimensionale se <strong>de</strong>osebesc mult <strong>de</strong> cele alematerialelor volumetrice corespunzătoare [4-6].Limitarea spaţială a fononilor în nanostructuri(confinement-ul fononic) condiţionează cuantificareaspectrului fononic (apariţia unui număr mare <strong>de</strong>ramuri ale energiei fononice), modifică <strong>de</strong>nsitateastărilor fononice şi micşorează viteza medie <strong>de</strong> grupa fononilor [4-6].Aceşti factori, împreună cu difuzia fononilor pefrontierele structurii (care nu este prezentă în cazulvolumetric), provoacă micşorarea conductibilităţiitermice <strong>de</strong> reţea în nanostructurile semiconductoareîn comparaţie cu materialul volumetric corespunzător[6-13]. După cum se arată în lucrările respective[9-10], conductibilitatea termică a nanofirelor dinsiliciu cu diametrul ~ 20 nm şi a nanostraturilor dinsiliciu cu grosimea ~ 20 nm este <strong>de</strong> aproximativ10 ori mai mică <strong>de</strong>cât conductibilitatea termică asiliciului volumetric la temperatura camerei [9-10].Modificarea mai puternică a spectrelor energeticeale fononilor poate fi realizată în nanostructurilemultistratificate, formate din straturi cu diferiteproprietăţi <strong>de</strong> rigiditate [6,14-16]. În astfel <strong>de</strong>structuri apar tipuri noi <strong>de</strong> mo<strong>de</strong> fononice, care potfi distribuite în toată structura sau sunt concentrateîn straturi separate. Modificând cu anumit scopproprietăţile fononice ale acestor nanostructuri prinmodificarea parametrilor materiali şi geometriciai straturilor ei, putem „dirija” conductibilitateatermică <strong>de</strong> reţea. Conceptul dirijării proprietăţilorfononice ale nanostructurilor pentru îmbunătăţireaproprietăţilor <strong>de</strong> conductibilitate electrică şi termicăa primit <strong>de</strong>numirea <strong>de</strong> „inginerie fononică” [4,6,17].Dezvoltarea consecventă a acestui concept pentruheterostructuri şi heterofire a fost efectuată <strong>de</strong> cătrefizicienii <strong>de</strong> la Universitatea <strong>de</strong> Stat din Moldovaîn colaborare cu partenerii <strong>de</strong> la Universitatea dinCalifornia, Riversi<strong>de</strong> (SUA) [14-16,18-22].1. Ingineria fononică în structurilemultistratificate planePentru ilustrarea posibilităţilor inginerieifononice în structurile multistratificate plane(heterostructuri), se vor cerceta nanostraturile subţiridin siliciu acoperite cu armături din material careposedă o viteză mai mare sau mai mică a sunetului<strong>de</strong>cât în siliciu. Armăturile din diamant reprezintăun exemplu <strong>de</strong> material cu viteza sunetului mainr. 2(21), iunie 2011 - 105

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!