2. CIRCUITE NUMERICE Licenta 2008 - AUTOMATICA si ...
2. CIRCUITE NUMERICE Licenta 2008 - AUTOMATICA si ...
2. CIRCUITE NUMERICE Licenta 2008 - AUTOMATICA si ...
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
1. Pentru ca o familie de circuite integrate numerice să fie<br />
viabilă, nivelele logice de intrare şi respectiv ieşire trebuie:<br />
a. să fie mai mari de 1V<br />
b. să fie egale<br />
c. să fie mai mici de 5V<br />
d. să fie compatibile<br />
<strong>2.</strong> Marginile de zgomot de curent continuu, pentru o familie<br />
de circuite integrate numerice, caracterizează:<br />
a. ten<strong>si</strong>unea de prag<br />
b. consumul propriu<br />
c. imunitatea la perturbaţii<br />
d. compatibilitatea nivelelor logice<br />
3. Fan-out-ul, pentru o familie de circuite integrate<br />
numerice, exprimă:<br />
a. curentul de scurtcircuit al ieşirii<br />
b. numărul maxim de intrări care poate fi comandat<br />
de ieşire<br />
c. curentul de ieşire<br />
d. curentul de intrare<br />
4. Timpii de creştere(rise), respectiv de cădere(fall), pentru<br />
o formă de undă numerică descriu:<br />
a. viteza de variaţie a semnalului<br />
b. gradul de amortizare<br />
c. supracreşterea pozitivă<br />
d. întârzierea intrare-ieşire<br />
5. Timpul de propagare, pentru o poartă oarecare, descrie:<br />
a. imunitatea la perturbaţii<br />
b. amplitudinea maximă a semnalului de ie<strong>si</strong>re<br />
c. caracteristica statică de transfer<br />
d. întârzierea intrare-ie<strong>si</strong>re<br />
6. Pentru un circuit numeric, care din următoarele informaţii<br />
pot fi determinate pe baza caracteristicii statice de transfer:<br />
a. curentul de ieşire<br />
b. timpul de propagare<br />
c. ten<strong>si</strong>unea de prag<br />
d. curentul de intrare<br />
7. Semnul curentului de intrare, pentru o poartă TTL<br />
oarecare, este:<br />
a. negativ când intrarea este în “1” şi pozitiv când<br />
intrarea este in “0”<br />
b. pozitiv când intrarea este în “1” şi negativ când<br />
intrarea este in “0”<br />
c. pozitiv, oricare ar fi valoarea ten<strong>si</strong>unii de intrare<br />
d. negativ, oricare ar fi valoarea ten<strong>si</strong>unii de intrare<br />
8. Dacă pe o intrare a unei porţi TTL oarecare se aplică o<br />
ten<strong>si</strong>une de –6V:<br />
a. intrarea se comportă ca şi când ar fi flotantă (în<br />
aer)<br />
b. curentul de intrare se autolimitează la valori <strong>si</strong>gure<br />
c. ten<strong>si</strong>unea respectivă este interpretată ca un “1”<br />
<strong>2.</strong> <strong>CIRCUITE</strong> <strong>NUMERICE</strong><br />
<strong>Licenta</strong> <strong>2008</strong> - <strong>AUTOMATICA</strong> <strong>si</strong> MECATRONICA<br />
1<br />
d. etajul de intrare se distruge, dacă nu există un<br />
mijloc de limitare a curentului<br />
9. Care din următoarele valori de ten<strong>si</strong>une se încadrează<br />
într-un nivel logic TTL standardizat (şi valid):<br />
a. 1.8V<br />
b. 1.2V<br />
c. 1.4V<br />
d. <strong>2.</strong>4V<br />
10. In cazul unui circuit TTL oarecare, în urma<br />
scurtcircuitării ieşirii în “0” la ten<strong>si</strong>unea de alimentare<br />
Vcc=5V:<br />
a. curentul de ieşire este limitat intern la o valoare<br />
<strong>si</strong>gură<br />
b. etajul de ieşire se distruge<br />
c. nu se întâmplă nimic, dacă scurtcircuitul durează<br />
putin<br />
d. ten<strong>si</strong>unea de ieşire ajunge la <strong>2.</strong>5V<br />
11. Nivele de intrare compatibile CMOS înseamnă că<br />
ten<strong>si</strong>unea de prag este:<br />
a. două treimi din ten<strong>si</strong>unea de alimentare<br />
b. jumătate din ten<strong>si</strong>unea de alimentare<br />
c. aproximativ 1.4V<br />
d. egală cu ten<strong>si</strong>unea de alimentare<br />
1<strong>2.</strong> In condiţii normale de funcţionare, curentul de intrare<br />
pentru o poartă CMOS este:<br />
a. identic cu curentul de alimentare<br />
b. oricum mai mare ca la portile TTL<br />
c. nesemnificativ<br />
d. de ordinul mA<br />
13. O poartă din familia TTL Low Power Schottky (74LS),<br />
cu etaj de intrare de tip DTL, are ten<strong>si</strong>unea de prag:<br />
a. aproximativ egală cu 1.4V<br />
b. mai mică decât orice alt tip de circuit TTL<br />
c. egală cu cea a tuturor circuitelor TTL<br />
d. dependentă de ten<strong>si</strong>unea de alimentare<br />
14. O poartă cu intrare de tip trigger Schmitt are:<br />
a. 2 ten<strong>si</strong>uni de prag diferite<br />
b. 3 ten<strong>si</strong>uni de prag diferite<br />
c. o <strong>si</strong>ngură ten<strong>si</strong>une de prag, dar variabilă<br />
d. un timp de propagare mai mic decât o poartă<br />
normală<br />
15. Pentru o poartă cu intrare de tip trigger Schmitt,<br />
histerezisul caracteristicii statice de transfer reflectă:<br />
a. nivelele logice de intrare egale cu cele de ieşire<br />
b. nivelele logice de intrare mai mari<br />
c. timpul de propagare mai mare<br />
d. dependenţa de sensul de variaţie al ten<strong>si</strong>unii de<br />
intrare
16. Două sau mai multe ieşiri de porţi se pot conecta (lega)<br />
împreună dacă:<br />
a. ieşirile porţilor sunt de tip colector(sau drenă) in<br />
gol<br />
b. intrările au aceleaşi nivele logice<br />
c. ten<strong>si</strong>unea de alimentare a porţilor este aceiaşi<br />
d. ieşirile porţilor au şi rezistenţe serie<br />
17. Care din următoarele constituie diferenţe funcţionale<br />
semnificative între circuitele de memorie SRAM(RAM<br />
static) şi respectiv DRAM(RAM dinamic):<br />
a. curentul de alimentare(consumul propriu)<br />
b. mecanismul de acces<br />
c. ten<strong>si</strong>unile de alimentare<br />
d. timpul de acces<br />
18. Care din următoarele afirmaţii, legate de celulele de<br />
memorare SRAM(RAM static) şi respectiv DRAM(RAM<br />
dinamic), este adevărată:<br />
a. principiul de memorare utilizat este diferit<br />
b. celulele DRAM folosesc numai tranzistoare<br />
bipolare<br />
c. dimen<strong>si</strong>unile tranzistoarelor pentru cele 2 tipuri de<br />
celule sunt mult diferite<br />
d. celulele SRAM sunt realizate numai in tehnologie<br />
NMOS<br />
19. Pentru un circuit bistabil de tip D, cu comutare pe front,<br />
apariţia stării metastabile este legată direct de neîndeplinirea<br />
unei condiţii referitoare la:<br />
a. timpul de propagare de la intrarea de reset la ieşire<br />
b. frecvenţa maximă de funcţionare<br />
c. timpul de setup(pregătire)<br />
d. timpul de propagare de la intrarea de ceas la ieşire<br />
20. Pentru o poartă CMOS, prezenţa circuitului de protecţie<br />
la descărcări electrostatice are drept consecinţe:<br />
a. cresterea timpului de propagare<br />
b. mărirea impedanţei de intrare<br />
c. po<strong>si</strong>bilitatea apariţiei alimentării pirat şi a<br />
fenomenului de latch-up(zăvorâre)<br />
d. mărirea nivelelor logice de intrare<br />
21. Un condensator de decuplare se plasează, faţă de<br />
bornele de alimentare ale circuitului integrat:<br />
a. cât mai departe dacă este un condensator polarizat<br />
b. cât mai departe po<strong>si</strong>bil<br />
c. cât mai aproape po<strong>si</strong>bil<br />
d. nu contează<br />
2<strong>2.</strong> Un condensator de decuplare se conectează, faţă de<br />
bornele de alimentare ale circuitului integrat:<br />
a. în paralel<br />
b. în serie<br />
c. serie <strong>si</strong> paralel<br />
d. numai dacă ten<strong>si</strong>unea de alimentare este mai mare<br />
de 5V<br />
2<br />
23. O rezistenţă de 1KOhm conectată serie între ie<strong>si</strong>rea unei<br />
porti <strong>si</strong> respectiv intrarea alteia:<br />
a. afectează ten<strong>si</strong>unea de prag dacă intrarea este<br />
CMOS<br />
b. afectează numai regimul dinamic dacă intrarea este<br />
CMOS<br />
c. afectează nivelele logice de intrare dacă intrarea<br />
este CMOS<br />
d. nu afectează nivelele logice dacă intrarea este TTL<br />
24. Pentru o poartă CMOS în regim static, dacă se<br />
conectează o rezistenţă de 1KOhm serie, între sursa de<br />
alimentare <strong>si</strong> borna de alimentare(V DD ) a circuitului:<br />
a. sunt afectate semnificativ nivelele logice de ie<strong>si</strong>re<br />
b. ten<strong>si</strong>unea de alimentare a porţii practic nu se<br />
modifică<br />
c. ten<strong>si</strong>unea de alimentare a porţii scade semnificativ<br />
d. ten<strong>si</strong>unea de alimentare a porţii creste<br />
nesemnificativ<br />
25. Pentru un circuit EPROM propriu-zis, ştergerea<br />
informaţiei memorate se face:<br />
a. la fel ca la circuitele EEPROM<br />
b. prin expunerea microcircuitului la radiaţii<br />
ultraviolete<br />
c. prin expunerea microcircuitului la radiaţii<br />
infraroşii<br />
d. prin modalităţi exclu<strong>si</strong>v electrice<br />
26. Un circuit bistabil de tip D-latch(transparent) diferă de<br />
un circuit bistabil de tip D cu comutare pe front, prin:<br />
a. momentul transferării la ieşire a informaţiei de la<br />
intrare<br />
b. momentul transferării la ieşire a informaţiei de la<br />
intrare şi al memorării acesteia<br />
c. momentul memorării informaţiei de la intrare<br />
d. timpii de propagare de la intrare la ie<strong>si</strong>re<br />
27. Pentru un circuit de memorie, împrospătarea periodică a<br />
informaţiei este necesară:<br />
a. numai la circuitele SRAM<br />
b. numai la circuitele DRAM<br />
c. la anumite tipuri de circuite EPROM<br />
d. la toate circuitele de tip RAM<br />
28. Conexiunea de masă (GND) a unui circuit integrat<br />
numeric TTL sau CMOS trebuie să fie, de regulă:<br />
a. conectată printr-o inductanţă la borna de masă a<br />
sursei de alimentare<br />
b. la potenţialul de referinţă, de 0V<br />
c. la un potenţial nu mai mare de 0.5V<br />
d. conectată printr-o rezistenţă la borna de masă a<br />
sursei de alimentare
29. O linie de transmi<strong>si</strong>e este adaptată atunci cand;<br />
a. impedanţa caracteristică a liniei este foarte mare<br />
b. impedanţa caracteristică a liniei este foarte mică<br />
c. impedanţa sursei este egală cu cea a sarcinii<br />
d. impedanţa caracteristică a liniei este egală cu cea a<br />
sursei şi respectiv a sarcinii<br />
30. Terminatorii de linie au rolul de a:<br />
a. micşora încărcarea ieşirii(sursei) conectată la linie<br />
b. mări imunitatea la perturbaţii a liniei<br />
c. mări impedanţa caracteristică a liniei<br />
d. a<strong>si</strong>gura adaptarea de impedanţa la capetele liniei<br />
3