Raport CSŞDT 2009 - Academia de Ştiinţe a Moldovei
Raport CSŞDT 2009 - Academia de Ştiinţe a Moldovei
Raport CSŞDT 2009 - Academia de Ştiinţe a Moldovei
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
testarea convertoarelor în divizoarele <strong>de</strong> tensiune.<br />
Procesul tehnologic <strong>de</strong> confecţionare a înfăşurării rezistoarelor <strong>de</strong> înaltă tensiune a fost divizat în<br />
două faze, şi pentru fiecare fază este necesar utilajul său:<br />
– maşină <strong>de</strong> rebobinare pentru măsurarea rezistenţei liniare;<br />
– maşină <strong>de</strong> bobinat după program prescris şi date referitoare la rezistenţa liniară a segmentului<br />
constructiv.<br />
În urma efectuării măsurărilor caracteristicilor, s-a obţinut: eroarea <strong>de</strong> măsurare a rezistenţei<br />
segmentului <strong>de</strong> microconductor pentru C1,2 = 270 pF nu <strong>de</strong>păşeşte ± 2 %, eroarea <strong>de</strong> măsurare a rezistenţei<br />
segmentului <strong>de</strong> microconductor pentru C1,2 = 91 pF pe rezistenţe-etalon (34766...162230) Ω nu <strong>de</strong>păşeşte ±<br />
3 %, iar pentru rezistenţe-etalon (7565...13108) Ω nu <strong>de</strong>păşeşte ± 15%. Eroarea <strong>de</strong> măsurare a rezistenţei<br />
segmentului <strong>de</strong> microconductor pentru C1,2 = 0 pF constituie cel mult ± 1%.<br />
Proiectul Convertizor electronic ultrarapid cu<br />
tensiunea 4,5kV stabil la temperatura 200°C. A fost<br />
elaborată tehnologia şi fabricate dispozitive redresoare<br />
cu tensiunea mai mare <strong>de</strong> 600 V - convertizoare<br />
electronice ultrarapi<strong>de</strong> (80 ns) din GaAs epitaxial (la<br />
4,5 kV) prin perfecţionarea la nivel inovaţional a trei<br />
procese tehnologice, ce permit majorarea eficienţei<br />
economice la fabricarea dispozitivelor cu 40%.<br />
Esenţa modificărilor traseului tehnologic constă<br />
în perfecţionarea la nivel inovaţional a trei procese<br />
tehnologice:<br />
– epitaxia GaAs în sistemul Ga-AsCl3–H2<br />
pentru obţinerea straturilor omogene groase;<br />
– <strong>de</strong>cuparea structurilor epitaxiale în cristale, utilizând meto<strong>de</strong> chimice;<br />
– pasivizarea p-n joncţiunii prin <strong>de</strong>punerea oxidului propriu Ga2O3 pe suprafaţa <strong>de</strong>cupată a<br />
cristalului.<br />
Modificările propuse sporesc EE cu 40%, lărgesc intervalul tensiunilor <strong>de</strong> străpungere până la 1000V.<br />
Este elaborat şi propus spre fabricare un produs nou cu performanţe – convertizor electronic ultrarapid <strong>de</strong><br />
curent cu timpul <strong>de</strong> revenire inversă 80 ns, stabil la temperaturi înalte (200 o C) şi tensiune inversă 4,5 kV,<br />
care <strong>de</strong>păşesc performanţele produsului din siliciu ESJC30-05 (0,3μs, 110 o C).<br />
Proiectul Noi meto<strong>de</strong> electromagnetobiologice în tratarea bolilor<br />
canceroase. A fost elaborat şi fabricat eşantionul experimental al<br />
divizorului rezistiv <strong>de</strong> tensiune curent alternativ frecvenţa industrială pe<br />
baza microfirelor din sticlă turnată (DRT) <strong>de</strong> tensiune 24 kV, ce se referă la<br />
domeniul tehnicii <strong>de</strong> măsurare. Dispozitivul este <strong>de</strong>stinat pentru<br />
transformarea în scară a tensiunii înalte <strong>de</strong> frecvenţa industrială (în<br />
diapazonul 6 – 24 kV) în tensiune joasă cu scopul transmiterii ei la ieşiri ale<br />
convertizoarelor secundare.<br />
Divizorul este fabricat în baza rezistoarelor <strong>de</strong> tensiune înaltă, care<br />
sunt fabricate din microfire turnate în izolaţie din sticlă, ce au valoare mică<br />
a coeficientului <strong>de</strong> temperatură şi care sunt caracterizate <strong>de</strong> valoare extrem<br />
<strong>de</strong> joasă a coeficientului <strong>de</strong> tensiune (neliniaritate). Divizorul <strong>de</strong> tensiune<br />
este confecţionat din ramă cilindrică ecranată în care este amplasat un<br />
rezistor (pentru tensiuni 6-10 kV) sau două rezistoare (pentru tensiuni până<br />
la 35 kV). Divizoarele au valoare minimă a capacităţii <strong>de</strong> intrare şi <strong>de</strong><br />
ieşire, ce nu <strong>de</strong>păşeşte câteva unităţi <strong>de</strong> pF. Domeniul <strong>de</strong> implementare a divizorului rezistiv <strong>de</strong> tensiune<br />
(DRT) – nodurile <strong>de</strong> evi<strong>de</strong>nţă comercială a energiei electrice, schemele <strong>de</strong> măsurare a tensiunii înalte <strong>de</strong><br />
curent alternativ, transport electrificat feroviar.<br />
Caracteristici tehnice:<br />
Diapazonul <strong>de</strong> tensiuni măsurate <strong>de</strong> curent continuu – <strong>de</strong> la 0 până la 35kV;<br />
Diapazonul <strong>de</strong> valori active <strong>de</strong> tensiuni <strong>de</strong> curent alternativ frecvenţa industrială <strong>de</strong> intrare<br />
măsurate – <strong>de</strong> la 0 până la 24 kV.<br />
Valoare nominală a tensiunii <strong>de</strong> ieşire – 100 V (2,5 V) la tensiune <strong>de</strong> intrare – 24 kV.<br />
120