Modulação Vetorial Aplicada ao Retificador Trifásico PWM - Ivo Barbi
Modulação Vetorial Aplicada ao Retificador Trifásico PWM - Ivo Barbi Modulação Vetorial Aplicada ao Retificador Trifásico PWM - Ivo Barbi
AAAAAAASA1DA3ASA1DA3AAAS A2DA4S A2DA4BBBBBBBBBBBBBBBBSB1CDB3SB1CDB3BBSB2DB4SB2DB4B5CCCCCCCCCCCCCCDC3DC3D 62SCSCSC2DC4SC2DC4DC5147Tabela 5-8 – Comparação entre retificadores.SμSpSsP D BF D AF μDpDPS A1D A1S B1D B1S C1D C1iO ( t)A B C+LAS A2D A2LBS B2D B2LCS C2D C2CONR OV O−6 0,102 0,474 0,474 0 6 0,102 2,510iA ( t )i ( t )i ( t )v ( t )v ( t )v ( t)MPD A1D B1D C1iO ( t)D A3D A5D B3D B5A B CSSD A4D A2D A6D B4D B2D B6D C3D C4D C2D C5D C6COR O+V O−3 0,205 1,013 1,013 6 12 0,034 6,073LALBLCNi ( t )i ( t )i ( t )vA () t v () t v ( t )PD A1D B1D C1iO( t )A B CD A2LAD B2LBD C2LCS C1CONR O+V O−6 0,102 1,013 1,013 0 12 0,051 3,042i ( t )i ( t )i ( t )vA ( t )v ( t )v ( t)MPD A1D B1D C1iO ( t)S A1 D D A5S A3B1 D B3 DA B CS A2D A2D A4D A6S B2D B2D B4D B6S C1S C2D C2D C3D C4D C6COR O+V O−6 0,102 1,013 1,013 0 18 0,034 5,115LALBLCNi ( t )i ( t )i ( t )vA () t v () t v ( t )PD A1D B1D C1iO ( t)D A3D A5D B3D B5A B CSSLAD A4D A2D A6LBD B4D B2D B6LCD C3D C4D C2D C5D C6CONR O+V O−3 0,247 0,507 0,507 0 18 0,047 4,967i ( t )i ( t )i ( t)v ( t )v ( t )v ( t)PD A1D B1D C1iO( t)A B C+D A2LAD B2LBD C2LCS C1CONR OV O−6 0,123 0,487 0,487 0 12 0,056 2,546i ( t )i ( t )i ( t)vA() t v () t v ( t )PD A1D B1D C1S A1D A3S B1D B3S C1iO ( t)D C3AD A2LABD B2LBD C2CLCS A2D A4S B2D B4S C2D C4CONR O+V O−6 0,123 0,487 0,487 0 12 0,051 2,587iA ( t ) i ( t ) i ( t)v ( t ) v () t v ( t)D 1PS A1D A1S B1D B1S C1D C1iO( t )A B C+LAS A2D A2LBS B2D B2LCS C2D C2CONR OV O−0,123 0,487 0,487 0 7 0,087 3,63iA ( t )i ( t )i ( t )v ( t )v ( t )v ( t )
148Para uma análise mais aprofundada sobre os arranjos de interruptores destasestruturas é necessária a dedução analítica dos esforços de tensão e corrente e índices dedesempenho para todas as estruturas.A escolha de uma ou outra estrutura é influenciada por fatores como o número deinterruptores, número de diodos de alta e baixa freqüência, rendimento, distribuição deperdas, capacidade de tensão e corrente dos semicondutores, etc.5.6. ConclusãoForam aplicadas as estratégias de modulação vetorial aos retificadoresunidirecionais de dois níveis Y_2, Δ_2, Ponte_1 e Ponte_2.A mesma estratégia de modulação desenvolvida no Capítulo 3 pode ser aplicada aoutros retificadores unidirecionais de dois níveis conectados em Y e a estratégia demodulação desenvolvida no Capítulo 4 pode ser aplicada a outros retificadoresunidirecionais de dois níveis conectados em Δ.A modulação desenvolvida para o retificador unidirecional de dois níveis Ponte_1 ésemelhante à dos casos anteriores, em que um interruptor fica aberto ou fechado durantetodo um setor de corrente, podendo ser aplicada a outros retificadores conectados emponte.Para todos os retificadores a seqüência de vetores é a mesma, sendo necessária aadaptação destas seqüências quando ocorre a inversão do sentido de corrente em cada fase,para os retificadores unidirecionais.Verifica-se também que os modelos desenvolvidos no Capítulo 2 podem seraplicados a todos retificadores estudados com a utilização de uma lógica adequada para aadaptação dos sinais de comando à modulação utilizada.Uma metodologia para a aplicação da modulação vetorial aos retificadoresunidirecionais de dois níveis foi proposta, na qual não é necessário definir-se os setores dosvetores, apenas a imposição dos setores de corrente em fase com as tensões de entrada.Foram verificados através de simulação, os efeitos da aplicação de diferentestécnicas de modulação sobre as perdas por comutação e analisados os índices dedesempenho dos arranjos de semicondutores para os retificadores estudados.
- Page 111 and 112: 96Neste caso, também se observa qu
- Page 113 and 114: 984.4. Dimensionamento do Estágio
- Page 115 and 116: 100• Corrente média nos diodos D
- Page 117 and 118: 5102As relações para outros sub-s
- Page 119 and 120: 104100.0V87.5V75.0V62.5V50.0V30ms 4
- Page 121 and 122: 106450V450440V440430420VVo420410400
- Page 123 and 124: 1081.0V0.5VDd( t)Dq( t)0V0s 10ms 20
- Page 125 and 126: 1101.0uV1.0uV0VSEL>>-1.0uVV(cmd1a)2
- Page 127 and 128: 112200V200V0V0V-200V-277V20ms 24ms
- Page 129 and 130: 114A Fig. 4-33 mostra a forma de te
- Page 131 and 132: 1164.7. ConclusãoO retificador tri
- Page 133 and 134: 118Neste caso, são consideradas me
- Page 135 and 136: 120120V110V100V90V9.6ms 10.0ms 10.4
- Page 137 and 138: 122A Fig. 5-10 apresenta as razões
- Page 139 and 140: 124100V75V50V30ms 40ms 60ms 80ms 10
- Page 141 and 142: 126450V450440V440430420VVo420410400
- Page 143 and 144: 1285.4.1. Vetores Utilizados e Sina
- Page 145 and 146: 1305.4.2. Seqüência de Vetores e
- Page 147 and 148: 1325.4.3. Modelagem do RetificadorP
- Page 149 and 150: 134O projeto dos controladores para
- Page 151 and 152: 136Verifica-se a mesma dinâmica ap
- Page 153 and 154: 138200vA( t)100iA( t)0-100-2000s 10
- Page 155 and 156: AADa10.90.80.70.60.50.40.30.20.1ALB
- Page 157 and 158: 142Como principal diferença entre
- Page 159 and 160: 144PPPD A1D B1D C1iO() tD A1D B1D C
- Page 161: 146Neste caso, a razão cíclica n
- Page 165 and 166: 150Tabela 6.1 - Especificações de
- Page 167 and 168: 152C2P ⋅ ⋅T= = 4296 μFO hold-u
- Page 169 and 170: 154• Corrente média nos diodos D
- Page 171 and 172: 156• Perdas totais diodo D 34 :PD
- Page 173 and 174: 158RθT− THD34 AHAmax= =PSEMI0,13
- Page 175 and 176: 160Para f A= 10 kHz e considerando
- Page 177 and 178: 162+15VR493.3k25K13 1C29 2.2pR51R50
- Page 179 and 180: 164Saída 2: -15V/500mA para a alim
- Page 181 and 182: 1667.2.1. Malha de CorrenteA funç
- Page 183 and 184: 168νZIνCI= 2⋅π⋅ fv = 6498 ra
- Page 185 and 186: 170• Expressão (7.25): erro de c
- Page 187 and 188: 172A freqüência de corte para a m
- Page 189 and 190: 174Na Fig. 7-7 é mostrada a respos
- Page 191 and 192: 176A posição dos pólos em malha
- Page 193 and 194: 178A Fig. 7-14 mostra a lógica uti
- Page 195 and 196: 180referênciaNa Fig. 7-19 é mostr
- Page 197 and 198: 182O comportamento das razões cíc
- Page 199 and 200: 184604020IA,IB,IC (A)0-20-40-600.4
- Page 201 and 202: 1867.5. Programação7.5.1. Fluxogr
- Page 203 and 204: 188É reservada uma região da mem
- Page 205 and 206: 190senoides utilizadas nas transfor
- Page 207 and 208: 192vO() ttFig. 7-31 - Comportamento
- Page 209 and 210: 1947.5.8. Definição dos Setores e
- Page 211 and 212: 196vA () tiA() ta) Tensão de refer
148Para uma análise mais aprofundada sobre os arranjos de interruptores destasestruturas é necessária a dedução analítica dos esforços de tensão e corrente e índices dedesempenho para todas as estruturas.A escolha de uma ou outra estrutura é influenciada por fatores como o número deinterruptores, número de diodos de alta e baixa freqüência, rendimento, distribuição deperdas, capacidade de tensão e corrente dos semicondutores, etc.5.6. ConclusãoForam aplicadas as estratégias de modulação vetorial <strong>ao</strong>s retificadoresunidirecionais de dois níveis Y_2, Δ_2, Ponte_1 e Ponte_2.A mesma estratégia de modulação desenvolvida no Capítulo 3 pode ser aplicada <strong>ao</strong>utros retificadores unidirecionais de dois níveis conectados em Y e a estratégia demodulação desenvolvida no Capítulo 4 pode ser aplicada a outros retificadoresunidirecionais de dois níveis conectados em Δ.A modulação desenvolvida para o retificador unidirecional de dois níveis Ponte_1 ésemelhante à dos casos anteriores, em que um interruptor fica aberto ou fechado durantetodo um setor de corrente, podendo ser aplicada a outros retificadores conectados emponte.Para todos os retificadores a seqüência de vetores é a mesma, sendo necessária aadaptação destas seqüências quando ocorre a inversão do sentido de corrente em cada fase,para os retificadores unidirecionais.Verifica-se também que os modelos desenvolvidos no Capítulo 2 podem seraplicados a todos retificadores estudados com a utilização de uma lógica adequada para aadaptação dos sinais de comando à modulação utilizada.Uma metodologia para a aplicação da modulação vetorial <strong>ao</strong>s retificadoresunidirecionais de dois níveis foi proposta, na qual não é necessário definir-se os setores dosvetores, apenas a imposição dos setores de corrente em fase com as tensões de entrada.Foram verificados através de simulação, os efeitos da aplicação de diferentestécnicas de modulação sobre as perdas por comutação e analisados os índices dedesempenho dos arranjos de semicondutores para os retificadores estudados.
Change language