Modulação Vetorial Aplicada ao Retificador Trifásico PWM - Ivo Barbi
Modulação Vetorial Aplicada ao Retificador Trifásico PWM - Ivo Barbi Modulação Vetorial Aplicada ao Retificador Trifásico PWM - Ivo Barbi
AAAAAAASA1DA3ASA1DA3AAAS A2DA4S A2DA4BBBBBBBBBBBBBBBBSB1CDB3SB1CDB3BBSB2DB4SB2DB4B5CCCCCCCCCCCCCCDC3DC3D 62SCSCSC2DC4SC2DC4DC5147Tabela 5-8 – Comparação entre retificadores.SμSpSsP D BF D AF μDpDPS A1D A1S B1D B1S C1D C1iO ( t)A B C+LAS A2D A2LBS B2D B2LCS C2D C2CONR OV O−6 0,102 0,474 0,474 0 6 0,102 2,510iA ( t )i ( t )i ( t )v ( t )v ( t )v ( t)MPD A1D B1D C1iO ( t)D A3D A5D B3D B5A B CSSD A4D A2D A6D B4D B2D B6D C3D C4D C2D C5D C6COR O+V O−3 0,205 1,013 1,013 6 12 0,034 6,073LALBLCNi ( t )i ( t )i ( t )vA () t v () t v ( t )PD A1D B1D C1iO( t )A B CD A2LAD B2LBD C2LCS C1CONR O+V O−6 0,102 1,013 1,013 0 12 0,051 3,042i ( t )i ( t )i ( t )vA ( t )v ( t )v ( t)MPD A1D B1D C1iO ( t)S A1 D D A5S A3B1 D B3 DA B CS A2D A2D A4D A6S B2D B2D B4D B6S C1S C2D C2D C3D C4D C6COR O+V O−6 0,102 1,013 1,013 0 18 0,034 5,115LALBLCNi ( t )i ( t )i ( t )vA () t v () t v ( t )PD A1D B1D C1iO ( t)D A3D A5D B3D B5A B CSSLAD A4D A2D A6LBD B4D B2D B6LCD C3D C4D C2D C5D C6CONR O+V O−3 0,247 0,507 0,507 0 18 0,047 4,967i ( t )i ( t )i ( t)v ( t )v ( t )v ( t)PD A1D B1D C1iO( t)A B C+D A2LAD B2LBD C2LCS C1CONR OV O−6 0,123 0,487 0,487 0 12 0,056 2,546i ( t )i ( t )i ( t)vA() t v () t v ( t )PD A1D B1D C1S A1D A3S B1D B3S C1iO ( t)D C3AD A2LABD B2LBD C2CLCS A2D A4S B2D B4S C2D C4CONR O+V O−6 0,123 0,487 0,487 0 12 0,051 2,587iA ( t ) i ( t ) i ( t)v ( t ) v () t v ( t)D 1PS A1D A1S B1D B1S C1D C1iO( t )A B C+LAS A2D A2LBS B2D B2LCS C2D C2CONR OV O−0,123 0,487 0,487 0 7 0,087 3,63iA ( t )i ( t )i ( t )v ( t )v ( t )v ( t )
148Para uma análise mais aprofundada sobre os arranjos de interruptores destasestruturas é necessária a dedução analítica dos esforços de tensão e corrente e índices dedesempenho para todas as estruturas.A escolha de uma ou outra estrutura é influenciada por fatores como o número deinterruptores, número de diodos de alta e baixa freqüência, rendimento, distribuição deperdas, capacidade de tensão e corrente dos semicondutores, etc.5.6. ConclusãoForam aplicadas as estratégias de modulação vetorial aos retificadoresunidirecionais de dois níveis Y_2, Δ_2, Ponte_1 e Ponte_2.A mesma estratégia de modulação desenvolvida no Capítulo 3 pode ser aplicada aoutros retificadores unidirecionais de dois níveis conectados em Y e a estratégia demodulação desenvolvida no Capítulo 4 pode ser aplicada a outros retificadoresunidirecionais de dois níveis conectados em Δ.A modulação desenvolvida para o retificador unidirecional de dois níveis Ponte_1 ésemelhante à dos casos anteriores, em que um interruptor fica aberto ou fechado durantetodo um setor de corrente, podendo ser aplicada a outros retificadores conectados emponte.Para todos os retificadores a seqüência de vetores é a mesma, sendo necessária aadaptação destas seqüências quando ocorre a inversão do sentido de corrente em cada fase,para os retificadores unidirecionais.Verifica-se também que os modelos desenvolvidos no Capítulo 2 podem seraplicados a todos retificadores estudados com a utilização de uma lógica adequada para aadaptação dos sinais de comando à modulação utilizada.Uma metodologia para a aplicação da modulação vetorial aos retificadoresunidirecionais de dois níveis foi proposta, na qual não é necessário definir-se os setores dosvetores, apenas a imposição dos setores de corrente em fase com as tensões de entrada.Foram verificados através de simulação, os efeitos da aplicação de diferentestécnicas de modulação sobre as perdas por comutação e analisados os índices dedesempenho dos arranjos de semicondutores para os retificadores estudados.
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