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doi: 10.4322/tmm.2011.015IMPRESSORA DE BAIXO CUSTO DESENVOLVIDA A PARTIRDE SISTEMA AUTOMOTIVO DE INJEÇÃO ELETRÔNICA PARAFABRICAÇÃO DE FILMES FINOS ORGÂNICOSAdriana Diniz Barbosa 1Sávio Augusto Lopes da Silva 2Robson Nunes Dal Col 3Rodrigo Fernando Bianchi 4ResumoNeste trabalho, é apresentado o desenvolvimento de um novo equipamento para fabricação de filmes finos orgânicos,baseado na tecnologia automotiva de injeção eletrônica. Tal sistema apresenta, dentre as vantagens de disponibilidadecomercial e baixo custo, baixas taxas de corrosão química e de problemas de entupimento dos bicos injetores, bemcomo o controle de taxas de temperatura de deposição. Portanto, apresenta versatilidade para utilização de diversassoluções orgânicas usadas em microeletrônica e eletrônica orgânica, tais como Fotoresistes e polímeros semicondutivos,como o poli(etileno-dioxitiofeno) - PEDOT. Ensaios obtidos com esses materiais mostram que o desempenho do sistemaproposto depende de parâmetros como frequência da válvula injetora, diâmetro do orifício ejetor, pressão aplicada nasolução impressa e das características da superfície dos substratos, que influenciam diretamente na qualidade dos filmesobtidos.Palavras-chave: Polímeros; Filme fino; Injeção eletrônica; Controle.LOW-COST PRINTER DEVELOPED FROM ELECTRONIC INJECTIONAUTOMOTIVE SYSTEMS TO MANUFACTURING ORGANIC THIN FILMSAbstractThis paper presents the development of a new equipment for manufacturing organic thin-films based on thetechnology of electronic fuel injection. This system presents, among the advantages of commercial availability and low cost,low rates of chemical corrosion and problems of nozzle clogging, as well as a temperature rate control system for materialdeposition. Thus, the developed equipment presents the versatility of using several organic solutions, such as Photoresistesand semiconducting polymers, for microelectronic and organic electronics, such as polyethylenedioxythiophene - PEDOT.Tests obtained with these materials show that system performance depends of parameters such as frequency of theinjector valve, ejector orifice diameter, pressure applied in the printed solution and the substrates surface characteristicsthat influence directly in the quality of films obtained.Key words: Polymer; Thin film; Electronic injection; Control.1Eng. Controle e Automação, M.Sc., Engenharia de Materiais Redemat/UFOP, Rua 4 de Outubro, n. 95, Vila Maquiné, Cep 35420-000,Mariana, MG, Brasil. E-mail: adrianadinizbarbosa@gmail.com2Eng. Eletricista, M.Sc., D.Sc., Prof. Adjunto do Dep. Eng. de Controle e Automação e Técnicas Fundamentais/Escola de Minas/UFOP,Decat/UFOP – Campus Morro do Cruzeiro s/n, Cep 35400-000, Ouro Preto, MG, Brasil. E-mail: savio@decat.em.ufop.br3Eng. Metalúrgico, M.Sc. Em.a de Materiais, Redemat/UFOP, Av. Luiz Xavier da Costa, 39, Sacramento, Cep 35410-000,Cachoeira do Campo, MG, Brasil. E-mail: nunesdalcol@yahoo.com.br4Físico, M.Sc., Doutor em Ciências e Engenharia de Materiais, Prof. Adjunto do Dep. de Física Instituto de Ciências Exatas e Biológicas/UFOP,Defis/UFOP – Campus Morro do Cruzeiro s/n, Cep 35400-000, Ouro Preto, MG, Brasil. E-mail: bianchi@iceb.ufop.brTecnol. Metal. Mater. Miner., São Paulo, v. 8, n. 2, p. 91-98, abr.-jun. 2011 91

1 INTRODUÇÃOLançada em 2004, a Política Industrial, Tecnológicae de Comércio Exterior (PITCE) do Governo Federalelegeu as áreas de semicondutores, software, bens decapital, fármacos e medicamentos como estratégias para aretomada do crescimento econômico sustentável do Paíse, consequentemente, da superação dos desequilíbriosinternos e externos enfrentados pela economia brasileiranas últimas décadas. (1) Em especial ao que tange à áreade semicondutores, tal política é de grande importânciapara o fortalecimento de uma indústria de base tecnológicae para composição da cadeia produtiva de dispositivoseletroeletrônicos no País, até o momento, assolada pelafalta de políticas coordenadas entre os setores produtivos,governo e academia. Nesse contexto, a inserçãodas indústrias brasileiras na área de semicondutoresvisa tornar o Brasil competitivo num mercado mundialestimado em US$ 220 bilhões/ano, com taxas anuaisde crescimento da ordem de 13%, dominado, principalmente,por países asiáticos e pelos Estados Unidosda América. (2) Para compor esse quadro, o Centro deGestão e Estudos Estratégicos do Ministério de Ciênciae Tecnologia (CGEE-MCT) elaborou um estudo sobre omapa atual dos semicondutores orgânicos (3) no País, cujosresultados apontam a oportunidade de desenvolvimentodesses dispositivos como uma ação estratégica para ocrescimento industrial do Brasil. Dessa forma, o domíniodessa área de nanotecnologia, ou de eletrônica orgânica,abre perspectivas para inovações que vão desde o desenvolvimentode equipamentos de impressão de filmes finosorgânicos até a fabricação de dispositivos orgânicos flexíveisde alto desempenho. Contudo, no mundo há poucasempresas fabricantes de equipamentos de impressão demateriais orgânicos, o que torna o custo desses equipamentosainda elevado (de US$ 90 mil a dezenas demilhares de dólares (4,5) ), e, portanto, de difícil aquisiçãodesses equipamentos por grupos de pesquisas nacionaispara fins de pesquisa fundamental. Dentro desse contexto,o desenvolvimento de novos equipamentos é uma oportunidadeúnica de atrelar conhecimento científico a umaárea de ciência básica e aplicada cuja carência de novossistemas de impressão de baixo custo é evidente. Estetrabalho apresenta o desenvolvimento inédito de umequipamento de impressão para fabricação de filmes orgânicoscuja plataforma mecânica baseia-se no princípio deoperação de Sistemas automotivos de Injeção Eletrônica(SiE). Tal sistema, denominado nesse trabalho de Sistemaautomotivo de Injeção Eletrônica de Materiais Orgânicos(SiEO), apresenta, dentre as vantagens de disponibilidadecomercial e baixo custo (< R$ 10.000), baixas taxas decorrosão química e de entupimento, controle de taxas detemperatura de deposição e, portanto, versatilidade paraaplicação de uma ampla gama de soluções orgânicas.2 MATERIAIS E MÉTODOSA metodologia aplicada nesse trabalho é divididaem duas etapas: a) escolha dos polímeros para fabricaçãode filmes; e b) projeto e desenvolvimento do equipamentode injeção. Nesse contexto, o polímero utilizadoinicialmente para preparação da solução de injeção foi opoli(etileno-dioxitiofeno) (PEDOT), que é um polímerocondutor de fácil preparação, baixo custo e bastanteutilizado como camada transportadora de cargas emdispositivos emissores de luz poliméricos, (6) bem comoFotoresistes comerciais, AZ-2400 e AZ-111S, que são utilizadosamplamente na área de microeletrônica. Tambémforam realizados ensaios com tinta azul comercial paratestes prévios do equipamento. Finalmente, o projeto doequipamento de impressão foi baseado na mecânica e naeletrônica disponíveis para Sistemas de Injeção Eletrônicaautomotiva (SiE). Empregou-se uma válvula de injeçãoeletrônica, como instrumento de “aspersão” das soluçõesquímicas, devido a sua resistência a ambientes hostis. Essaaplicação foi necessária porque a válvula de injeção dessessistemas é inerte aos solventes orgânicos usualmenteutilizados na fabricação de filmes poliméricos, comoN-metil-2-pirrolidona (NMP), o clorofórmio e o tolueno.Essa válvula tem a função de pulverizar o combustível emautomóveis e, no caso deste trabalho, de pulverizar assoluções orgânicas de forma similar às condições encontradasem impressoras a jato de tinta comerciais.A deposição das soluções foi realizada por uminjetor apropriado (GMFlex) a uma pressão de 1,0 bar. Oinjetor consiste de um corpo de uma válvula de aço inoxidávelque contém uma bobina e uma válvula agulha. Nessecaso, quando a corrente no solenóide é nula, a válvula écomprimida de encontro ao seu assento por uma molahelicoidal. Na presença de um fluxo de corrente a válvula,por sua vez, é levantada permitindo assim a injeção dasolução através de uma placa de orifício. A quantidade desolução injetada é determinada pela duração de um pulsoelétrico. (7) A Figura 1 mostra um esquema da estruturainterna da válvula injetora. (8)Não obstante à estrutura física e a resistência àcorrosão da válvula injetora (Figura 1a), que são condiçõesnecessárias para aspersão das soluções poliméricas,destaca-se ainda que essa válvula é caracterizada pelaprecisão, confiabilidade, versatilidade e baixo consumo deenergia. Assim, a quantidade de solução injetada é facilmentedosada pela unidade de comando pelo tempo deabertura das válvulas de injeção, também conhecido comotempo de injeção. * A Figura 2 mostra detalhes da válvulainjetora. Já na Figura 2a observa-se o orifício de entrada dasolução orgânica, enquanto as Figuras 2b, 2c e 2d mostram,respectivamente, a placa de orifício da válvula injetora* PANAMBI, L. F. P. Injeção eletrônica. Itabira, 2002. [Material de consultainterna de oficina mecânica].92 Tecnol. Metal. Mater. Miner., São Paulo, v. 8, n. 2, p. 91-98, abr.-jun. 2011

Figura 1. Esquema da válvula injetora EV6 utilizada em automóveis quanto a sua: a) estrutura interna; e b) funcionamento básico. (8)Figura 2. Microscopia da válvula injetora: a) Orifício de entrada da solução orgânica 6,5X; b) Placa de orifício (saída da solução) com quatrofuros micropuncionados cujos diâmetros são de (60 ± 5) μm, 25X; c) Nuzzels ampliados em 50X; e d) Proporção de tamanho da válvula emcentímetros. Redução de 6X.caracterizada por quatro furos micro-puncionados cujodiâmetro médio é igual (60 ± 5) μm, o diâmetro de umdos Nuzzels da válvula injetora e a proporção dessa válvulaem relação a um instrumento de medida em centímetros.Para um melhor desenvolvimento e aperfeiçoamentodo equipamento de fabricação de filmes poliméricosforam estudadas as características dos SiEs, tais como,frequência da válvula, temperatura e tensão de trabalho,vazão e corrente. A válvula injetora foi testada inicialmentecom tintas comerciais adequadas para análise desua dispersão. Já para o controle dessa válvula foi utilizadaa modulação por tamanho de pulso (PWM - Pulse-WidthModulation), de acordo com o circuito apresentado naFigura 3. Esse circuito engloba a modulação de sua razãocíclica para transportar qualquer informação sobre umcanal de comunicação e controlar o valor da alimentaçãoentregue à carga. A PWM utilizada suporta a frequênciamáxima de 100 kHz e realiza o controle da abertura efechamento da válvula por meio de variações no valordessa frequência. O tempo de abertura da válvula injetora,T[1], pode ser regulado de forma independente do tempode fechamento, T[0], o que permite o controle da ejeçãodas soluções.De forma bastante simplificada, a Figura 4 mostra oesquema do aparato experimental usado para impressãodas soluções, denominado de Sistema de Injeção Eletrônicade materiais Orgânicos (SiEO). Nesse esquema, umabomba garante a pressão no compartimento da soluçãopolimérica acoplado à válvula injetora controlada eletronicamentevia circuito PWM (Figura 5). As soluções sãodirecionadas a um substrato colocado sobre uma mesacontroladora em X (eixo horizontal), para posterior fabricaçãodos filmes em regiões pré-definidas. Um pequenomotor foi utilizado para fazer a movimentação do substratono eixo X, uma vez que a válvula injetora permaneceimóvel durante todos os ensaios. Destaca-se, ainda, queno equipamento desenvolvido foi utilizado um eixo demovimentação vertical (eixo Z) cuja distância da válvulaao substrato foi controlada manualmente. Foram realizadosdiferentes ensaios variando-se a distância entreo substrato e a válvula injetora, bem como o tempo deabertura e de fechamento da válvula. O controle foi realizadomanualmente, por meio de botões liga/desliga, quepermite o ajuste dos parâmetros de entrada para controleda ejeção das soluções. A Figura 5 mostra fotos do aparatodesenvolvido. Nesta Figura observa-se uma seringa(Figura 5a) à qual foi adaptada a válvula injetora para servircomo “armazenamento” da tinta a ser ejetada sobre umdado substrato (papel, poliestireno ou vidro) com dimensõesde (5 x 5) cm 2 . A válvula injetora foi posicionada aum ângulo cujo encaixe de apoio se encontrava perpendicularao plano do substrato (Figura 5b). Utilizou‐se aindaum motor dc para atuar na movimentação do substrato(eixo X) durante a ejeção da solução. Foi usada uma fontedc ajustável para controlar a velocidade de movimentaçãoTecnol. Metal. Mater. Miner., São Paulo, v. 8, n. 2, p. 91-98, abr.-jun. 2011 93

Figura 3. Modulação por largura de pulso (PWM) – circuito oscilador, usado para o controle da frequência de ejeção das soluções orgânicasdepositadas.dade do substrato em relação à solução. Lotes de lâminas(substrato) ainda foram expostos à luz ultravioleta (UV)durante 20 minutos, para limpeza e alterações da hidrofobicidadedo substrato.Para otimizar o funcionamento dos SiEO, e assimminimizar os parâmetros de controle desse sistema, forammantidos constantes e iguais a 2,0 cm, 20 cm/s e 7,5 cmde H 2O à distância (d) substrato-válvula de injeção, velodosubstrato simulando, assim, uma mesa controlada em“X”. Por meio do circuito PWM foi realizado o controledos tempos de abertura e fechamento da válvulamantendo-se, para tanto, T[1] em 2 ms e T[0] em 20 ms.A natureza das interfaces substrato/polímero é defundamental importância para o estudo das propriedadesópticas e/ou elétricas dos polímeros e de seus dispositivoseletrônicos. Desse modo, a limpeza dos substratos deveser realizada de modo rigoroso e criterioso antes da deposiçãodos filmes poliméricos. Em um primeiro momento,os ensaios com Fotoresistes foram realizados em lâminassem tratamento prévio (in natura). Já em um segundomomento, as lâminas de vidro foram tratadas pelo métodoRCA (9) de hidrofilização (limpeza de substrato). Nessemétodo, os substratos passam inicialmente por um banhocomposto de hidróxido de amônio (NH 4OH), peróxido dehidrogênio (H 2O 2) e água pura a 75°C durante 10 minutos;em seguida, são lavadas com água pura abundante e,posteriormente, banhadas em uma solução de ácido clorídrico(HCl), H 2O 2e água pura a 70°C durante 15 minutos.Finalmente, as lâminas são lavadas com água pura abundante,imersas em acetona aquecida e, então, em álcoolisopropílico em ebulição e secas com gás de nitrogênio.Os ensaios realizados com os Fotoresistes sobre substratosde vidro in natura visam analisar o comportamentodo substrato, papel ou poliestireno transparente, quanto aseu volume e forma, determinando, assim, a hidrofobici-Figura 4. Esquema do princípio de funcionamento de uma impressoradenominada de Sistema de Injeção Eletrônica de materiaisOrgânicos (SiEO) para recobrimento uniforme de polímeros emsubstratos planos.94 Tecnol. Metal. Mater. Miner., São Paulo, v. 8, n. 2, p. 91-98, abr.-jun. 2011

Figura 5. Fotos do aparato utilizado na realização dos ensaios de ejeção: a) sistema completo; e b) funcionamento da válvula de injeçãoeletrônica automotiva em relação ao substrato.cidade (v) de movimentação de substrato e à pressão (P)sobre o êmbolo da seringa, respectivamente. Tais parâmetros,otimizados em relação à formação de gotas, foramobtidos por meio do uso de soluções de tinta azul, PEDOTe Fotoresistes (AZ-2400 e AZ-111S) cujos resultados dedeposição são apresentados nas Figuras 6, 7 e 8a, respectivamente.A Tabela 1 apresenta parâmetros aplicadosem diferentes valores de distância e pressão atmosféricapara análise da característica geométrica e volumétricados filmes de Fotoresistes depositado. Já a velocidadefoi mantida constante e igual a 20 cm/s, uma vez que suavariação apresentou pouca influência nas característicasdas gotas aspergidas, como volume e forma.O princípio de funcionamento do SiEO está vinculadoàs propriedades físicas do material líquido utilizadopara impressão, por exemplo, à sua tensão superficial. (10)Baseado nesta afirmação, os valores de tensão superficiale massa específica dos Fotoresistes AZ-2400 e AZ-111Sforam medidos por meio de técnicas específicas utilizandoum tensiômetro e um picnômetro, respectivamente. Essesvalores são apresentados na Tabela 2, na qual o FotoresisteAZ-2400 apresenta valores superiores ao AZ-111Spara as duas propriedades.Tabela 1. Distância (d), velocidade (v) e pressão (P) utilizados, comoelementos de controle na deposição das soluções dos FotoresistesAZ-2400 e AZ-111S, após método RCA de limpeza de substrato,cujos resultados de aplicação podem ser observados na FiguraParâmetrosde controleDistancia “d”Velocidade“v”Pressão “P”Sistemacontroladod 1= 5,0 cm; d 2= 3,0 cm; d 3e d = 1,5 cm420 cm/sP 1= 7,5 cm de H 2OP 2= 1,0 bar3 RESULTADOSA Figura 6 mostra resultados da deposição detinta azul sobre substratos (folhas) de papel (Figura 6a)e poliestireno comercial (Figura 6b) cujos parâmetros dedeposição foram detalhados no item 2. O objetivo destasfotos é verificar a influência das características do substratona formação do material impresso, bem como confirmara utilização desse equipamento na fabricação de filmes.Observa-se que a tinta, quando depositada em papel(Figura 6a), apresenta característica irregular se comparadaà forma circular obtida quando depositada sobrepoliestireno transparente (Figura 6b). Essa característicadeve estar associada à absorção da tinta pelo papel, quemodifica a forma do filme obtido. Conclui-se, portanto,que a superfície do poliestireno possui característica maishidrofóbica, o que contribui para a formação de discos(ou gotas) mais definidos cuja área varia de 440 µm a780 µm. Tal variação deve estar relacionada à diferença detamanho observada entre os diâmetros dos furos micro--puncionados da válvula ejetora (Figura 2).A Figura 7 apresenta a microscopia da deposiçãoda solução de Pedot sobre substrato de papel. As imagensforam obtidas iluminando-se o sistema papel+Pedot comluz azul, para melhorar o contraste das figuras. Nestasfotos fica clara a possibilidade de deposição de materiaispoliméricos via sistema de injeção eletrônica, masdemonstrando a característica (forma) irregular do Pedotdepositado sobre papel.Tabela 2. Caracterização das soluções de polímero FotoresisteAZ‐2400 e AZ-111S quanto à sua tensão superficial e massa específicaPolímero Tensão superficial Massa específicaAZ-2400 32 dyn/cm (dina.cm -1 ) 1,03 g/mLAZ-111S 30 dyn/cm (dina.cm -1 ) 1,00 g/mLFigura 6. Fotografia da sequência de deposição de tinta azul cujosparâmetros utilizados estão disponíveis no item 2. Substratos de:a) papel; e b) poliestireno.Tecnol. Metal. Mater. Miner., São Paulo, v. 8, n. 2, p. 91-98, abr.-jun. 2011 95

Figura 7. Sequências de gotas à base de Pedot depositadas sobre o papel com ampliações de: a) 10X; b) 25X; e c) 50X. Microscopia comredução de 7X.Para caracterizar as grandezas das gotas aspergidasde Fotoresiste em relação à sua forma e volume, foramutilizados diferentes parâmetros nos ensaios, tais como,distância de aspersão, pressão aplicada e tratamento dosubstrato. É importante destacar que parâmetros comodistância do substrato à válvula injetora e velocidade demovimentação do substrato influenciam diretamente nadistância entre os círculos do material depositado, mas,praticamente, não influenciam na área desses círculos.A Figura 8 mostra os gráficos resultantes de ensaioscom os Fotoresistes AZ-2400 e AZ-111S. Nesse contexto,os primeiros ensaios foram realizados em substratosin natura, ou seja, tal como recebidos pelo fornecedor.As gotas ejetadas apresentaram diâmetro de, aproximadamente,500 µm e 1.700 µm, respectivamente (Figura8a). O comportamento do Fotoresiste AZ-2400, apóstratamento pelo método de limpeza RCA, também podeser observado na Figura 8a, onde o diâmetro médio resultantefoi de 2.000 µm. A Figura 8b apresenta graficamenteos diâmetros resultantes das gotas depositadas em diferentesvalores de distância de aspersão. As três primeirascolunas mostram uma pequena diferença na variaçãodos diâmetros médios. Já a quarta coluna apresenta umaumento considerável no diâmetro médio em relaçãoàs três primeiras, de aproximadamente 64%, possivelmentedevido à pressão inicial aplicada. Os ensaios foramrealizados com Fotoresiste AZ-111S em substratos preparadoscom o método de limpeza RCA e posteriormenteexpostos à luz Ultra Violeta.4 DISCUSSÃONeste trabalho foram apresentados os resultadosobtidos pela utilização de um equipamento desenvolvidoa partir da tecnologia automotiva de injeção eletrônicapara fabricação de filmes finos de polímeros eletrônicos.O equipamento mostra-se aplicável para esse tipo deFigura 8. Gráfico resultante de ensaios com os polímeros AZ-2400 e AZ-111S. Valores obtidos utilizando diferentes parâmetros: a) Variaçãoapenas no tratamento do substrato; e b) parâmetros como “d” e “P” foram variados no ensaio com Fotoresiste AZ-111S, após método RCAde limpeza.96 Tecnol. Metal. Mater. Miner., São Paulo, v. 8, n. 2, p. 91-98, abr.-jun. 2011

impressão por suportar as características agressivas dossolventes existentes nas soluções poliméricas, sem alteraras propriedades físicas e químicas desses polímeros. Ocontrole desenvolvido para a máquina possibilita a deposiçãodesses filmes, bem como a análise da aplicação dosparâmetros usados.A Tabela 3 mostra o quadro comparativo entrea técnica da IJT de deposição de polímeros usualmenteempregadas na fabricação de dispositivos eletrônicos poliméricose a técnica de deposição SiEO proposta nestetrabalho. Observa-se que a técnica SiEO apresenta comoprincipais vantagens o baixo custo de fabricação e a altaresistência química, que são características importantespara o desenvolvimento e a fabricação de dispositivospoliméricos comerciais, bem como baixo desperdício dematerial e alta seletividade.Tabela 3. Tabela comparativa entre as técnicas de deposição poliméricadas IJTs e do SiEOTécnicasCusto defabricaçãoDesperdício SeletividadeResistênciaQuímicaSiEO Baixo Baixo Alta AltaIJT Alto Baixo Alta BaixaÉ importante salientar a diferença de tamanho dasgotas depositadas nos substratos. Nos ensaios de deposiçãorealizados nas laminas in natura, as amostras deAZ-2400 apresentam geometrias mais bem definidas egotas com diâmetros, aproximados, quatro vezes menoresque as gotas ejetadas sobre as lâminas preparadas como método de limpeza RCA para o mesmo polímero.Isto leva, de antemão, a entender que o tratamento dosubstrato é um dos parâmetros que pode definir as característicasda solução aspergida. As amostras de FotoresisteAZ-2400 e AZ-111S, após ensaios em lâminas in natura,mostram também uma grande diferença no diâmetro dasgotas, sendo o primeiro de, aproximadamente, 500 µm eo segundo, de 1.700 µm, respectivamente. Estes dadospodem ser analisados a partir dos resultados apresentadosna Tabela 1. Nesse sentido, a tensão superficial e a massaespecífica do polímero AZ-2400 apresentam valoressuperiores ao AZ-111S, o que pode explicar seu comportamentohidrofóbico em relação ao segundo. Os ensaiosrealizados com AZ-111S, em substratos preparados como método de limpeza RCA, e posteriormente expostos àluz UV, apresentam maiores diâmetros das gotas. A diferençaquanto ao tamanho das gotas depositadas chegaa valores de até 1.000 µm: por exemplo, gotas comdiâmetro aproximado de 2.700 µm e 1.700 µm. Poucainfluência é observada com a variação da distância entre asaída da válvula injetora e o substrato. Porém, nota-se umadiferença significativa quando se varia a pressão inicial aplicadaao sistema, ou seja, o volume de material aumenta,bem como o diâmetro das gotas aspergidas.5 CONCLUSÃOOs resultados obtidos ao longo do desenvolvimentodeste trabalho mostram, pela primeira vez, a viabilidadetécnica de produzir filmes orgânicos usados em microeletrônica(Fotoresistes) e em eletrônica orgânica (Pedot),a partir de um novo equipamento de impressão, cujatecnologia é baseada em sistemas de injeção eletrônicaautomotiva. Devido ao custo elevado para impressão defilmes poliméricos, via equipamentos comerciais, pode-seafirmar que este equipamento mostra-se eficiente quantoàs resistências químicas de impressão e quanto ao seuvalor agregado. Destaca-se, portanto, que o protótipoproposto apresenta potencial para desenvolvimento deequipamentos mais robustos e funcionais para impressãode materiais orgânicos. Neste sentido, a proposta de usodo SiEO é inédito e surge neste trabalho como uma alternativade processo de fabricação de filmes poliméricos abaixo custo e com precisão.AgradecimentosOs autores agradecem o apoio recebido dasseguintes agências de fomento: CAPES, INEO/CNPq,CNPq, Fapitec/SE e Fapemig.REFERÊNCIAS1 BRASIL. Ministério do Desenvolvimento, Indústria e Comércio Exterior. Diretrizes da Política Industrial, Tecnológicae de Comércio Exterior (PITCE). 2003. Disponível em: Acesso em: 18 ago. 2010.2 SWART, J. W.; VAN NOIJE, W. A política industrial e tecnológica de semicondutores. São Paulo: Sociedade Brasileirade Microeletrônica. Disponível em: Acesso em: 26 fev. 2010.3 CRUZ, C. H. B. A universidade, a empresa e a pesquisa que o país precisa. Parcerias estratégicas. Disponível em: Acesso em: 30 nov. 2009.Tecnol. Metal. Mater. Miner., São Paulo, v. 8, n. 2, p. 91-98, abr.-jun. 2011 97