Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe

de 2,2, encontrada na fabricação da amostra 4014 mostrada na Tabela 5.3. O fluxo dafonte de Eu foi ajustado de modo a formar um filme com concentração nominal de Euentre 0,04 e 0,05. Para isso a concentração nominal de Eu na liga de Pb 1-x Eu x Te foideterminada a partir dos BEP’s das células de Eu e da fonte de PbTe, usando a seguinteequação:xBEPEu= (5.1)BEPEu+ BEPPbTeA partir dos fluxos registrados na Tabela 5.3 determinou-se uma concentração nominalde x = 0,044 na liga de PbEuTe.A determinação da concentração de Eu do filme fabricado, foi feita a partir do espectrode transmissão FTIR em função da energia, Figura 5.7, medido no sistema Perkin Elmer1600, seção 4.1. A energia do gap, E g , foi determinada por meio da energia de corte,observada no espectro FTIR. que está relacionada com a concentração x na temperaturade 300 K por (YUAN et al., 1997):Eg( meV ) = 321+3487, 32x(5.2)Esta relação é a Equação 4.2 desenvolvida com T = 300K. Utilizando-se o valor de500meV, extraído do ponto de inflexão da derivada do espectro de transmissão, naEquação 5.2, obteve-se o valor de concentração x = 0,05 de Eu na liga de PbEuTe. Ovalor medido por FTIR está dentro da faixa de concentração nominal pretendida.Determinou-se uma diferença de 12% na concentração nominal em relação àconcentração medida. O desvio é aceitável e suas causas estão relacionadas a eventuaisvariações nos fluxos das células e imprecisão na determinação da energia de corte,extraída do espectro de transmissão.Reforça-se que, a concentração x = 0,05 determina uma energia potencial da barreira de150 meV, em relação ao PbTe na estrutura de barreira dupla, tanto para a banda decondução como para a banda de valência, considerando um deslocamento de 50% entreas bandas.96