Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe

espalhamento de portadores começam a limitar a mobilidade com o aumento deconcentração. A mobilidade saturou em valores cada vez menores, como esperado, namedida em que a concentração de elétrons aumentou. A mobilidade caiu de 4x10 5cm 2 /Vs, para uma amostra sem dopagem, para 4x10 3 cm 2 /Vs, para a amostra comconcentração de elétrons de 3,9x10 19 cm -3 . Comparando os valores de mobilidadeencontrados aqui com os valores encontrados em Ueta et al., (1997), percebe-se valorescoerentes entre os dois trabalhos. A transição para puro metal, relatado no trabalho deUeta et al., (1997), não foi observado aqui já que essa transição necessita de níveis dedopagem acima de 10 20 cm -3 .PbTe:Bi77 K10 -310 -3 10 17 10 18 10 19 10 20 10 -4ρ ( Ω.cm )10 -410 17 10 18 10 19 10 20n (cm -3 )FIGURA 5.6 - Resistividade em função da densidade de elétrons a 77 K para amostrasde PbTe dopadas com diferentes concentrações de Bi.Para determinar os níveis de dopagem mais adequados para as camadas de contato dePbTe-n + nas estruturas de BD, a resistividade a 77 K é mostrada na Figura 5.6 emfunção da concentração de elétrons. A resistividade cai de aproximadamente 3x10 -3 paracerca de 6x10 -5 Ω⋅cm com o aumento da concentração de elétrons de cerca de 2x10 1794