Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe

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TABELA 5.2 – Dados das camadas de referência de PbTe dopadas com bismuto: temperatura, T, das células de PbTe, Te(1) eBi 2 Te 3 , e respectiva pressão equivalente ao fluxo, BEP; espessura, W, dos filmes, determinada por FTIR e taxa decrescimento, resistividade, ρ, concentração de portadores, n, e mobilidade, μ, medidas por efeito Hall a 77 e 300 K.AmostraPARÂMETROS DE CRESCIMENTOCARACTERIZAÇÃO ELÉTRICAPbTe Te(1) Bi 2 Te 3 FTIR 77K 300KT BEP T BEP T BEP W Taxa ρn μ ρn(°C) (Torr) (°C) (Torr) (°C) (Torr) (μm) (Å/s) (Ω cm) (cm -3 ) (cm 2 /Vs) (Ω cm) (cm -3 )769 655 7,4x10 -7 236 1,1x10 -8 360 6,5x10 -11 3,34 2,30 2,03x10 -3 -1,92x10 17 16000 2,73x10 -2 -2,99x10 17 764770 655 7,2x10 -7 236 1,3x10 -8 370 6,5x10 -11 3,10 2,15 6,06x10 -4 -4,72x10 17 21900 9,82x10 -2 -8,11x10 17 783771 655 7,3x10 -7 236 1,4x10 -8 380 1,8x10 -9 3,10 2,15 3,55x10 -4 -8,85x10 17 19800 5,69x10 -3 -1,35x10 18 812772 655 7,1x10 -7 236 1,2x10 -8 390 1,4x10 -9 3,10 2,15 2,14x10 -4 -1,66x10 18 17500 2,95x10 -3 -2,48x10 18 852773 656 7,1x10 -7 236 1,2x10 -8 400 1,5x10 -9 3,10 2,15 1,45x10 -4 -2,89x10 18 14800 1,42x10 -3 -4,46x10 18 980774 656 7,2x10 -7 236 1,2x10 -8 410 1,7x10 -9 3,10 2,15 --- --- --- --- --- ---775 658 7,2x10 -7 236 1,4x10 -8 420 2,2x10 -9 3,20 2,22 8,65x10 -5 -7,93x10 18 9090 6,77x10 -4 -9,13x10 18 1000778 656 7,2x10 -7 236 1,2x10 -8 430 2,6x10 -9 4,17 2,31 6,15x10 -5 -1,23x10 19 8250 4,64x10 -4 -1,16x10 19 1160779 656 7,2x10 -7 236 1,2x10 -8 440 2,9x10 -9 3,30 2,29 6,10x10 -5 -2,10x10 19 4890 3,67x10 -4 -2,07x10 19 817780 656 7,2x10 -7 236 1,2x10 -8 450 4,0x10 -9 3,50 2,36 6,85x10 -5 -3,00x10 19 2680 3,04x10 -4 -3,06x10 19 600μ(cm 2 /Vs)90
10 20 350 400 45010 20PbTe:Bi / BaF 2n (cm -3 )10 1910 1810 1910 1810 17350 400 450Bi 2Te 3temperatura (°C)10 17FIGURA 5.3 - Concentração de elétrons, a 77 K, em amostras de PbTe dopadas com Bi,em função da temperatura da célula de Bi 2 Te 3 .Objetivando uma melhor compreensão dos efeitos da dopagem de PbTe com Bi sobre aspropriedades elétricas do filme, medições de efeito hall e resistividade foram realizadasnos filmes de PbTe:Bi, em temperaturas variando de 10 a 320K.Nos sais de chumbo, normalmente os defeitos nativos criados por desvios naestequiometria são eletricamente ativos, ou seja, vacâncias do metal ou do calcogênioagem respectivamente como receptores ou doadores. Os níveis eletrônicos criados pelasvacâncias são ressonantes com as bandas de condução e valência e o congelamento deportadores não é observado em baixas temperaturas. Contrariando os materiaissemicondutores convencionais, nenhuma ativação térmica dos portadores majoritáriossão observadas em PbTe não dopados.91
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