Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe

TABELA 5.2 – Dados das camadas de referência de PbTe dopadas com bismuto: temperatura, T, das células de PbTe, Te(1) eBi 2 Te 3 , e respectiva pressão equivalente ao fluxo, BEP; espessura, W, dos filmes, determinada por FTIR e taxa decrescimento, resistividade, ρ, concentração de portadores, n, e mobilidade, μ, medidas por efeito Hall a 77 e 300 K.AmostraPARÂMETROS DE CRESCIMENTOCARACTERIZAÇÃO ELÉTRICAPbTe Te(1) Bi 2 Te 3 FTIR 77K 300KT BEP T BEP T BEP W Taxa ρn μ ρn(°C) (Torr) (°C) (Torr) (°C) (Torr) (μm) (Å/s) (Ω cm) (cm -3 ) (cm 2 /Vs) (Ω cm) (cm -3 )769 655 7,4x10 -7 236 1,1x10 -8 360 6,5x10 -11 3,34 2,30 2,03x10 -3 -1,92x10 17 16000 2,73x10 -2 -2,99x10 17 764770 655 7,2x10 -7 236 1,3x10 -8 370 6,5x10 -11 3,10 2,15 6,06x10 -4 -4,72x10 17 21900 9,82x10 -2 -8,11x10 17 783771 655 7,3x10 -7 236 1,4x10 -8 380 1,8x10 -9 3,10 2,15 3,55x10 -4 -8,85x10 17 19800 5,69x10 -3 -1,35x10 18 812772 655 7,1x10 -7 236 1,2x10 -8 390 1,4x10 -9 3,10 2,15 2,14x10 -4 -1,66x10 18 17500 2,95x10 -3 -2,48x10 18 852773 656 7,1x10 -7 236 1,2x10 -8 400 1,5x10 -9 3,10 2,15 1,45x10 -4 -2,89x10 18 14800 1,42x10 -3 -4,46x10 18 980774 656 7,2x10 -7 236 1,2x10 -8 410 1,7x10 -9 3,10 2,15 --- --- --- --- --- ---775 658 7,2x10 -7 236 1,4x10 -8 420 2,2x10 -9 3,20 2,22 8,65x10 -5 -7,93x10 18 9090 6,77x10 -4 -9,13x10 18 1000778 656 7,2x10 -7 236 1,2x10 -8 430 2,6x10 -9 4,17 2,31 6,15x10 -5 -1,23x10 19 8250 4,64x10 -4 -1,16x10 19 1160779 656 7,2x10 -7 236 1,2x10 -8 440 2,9x10 -9 3,30 2,29 6,10x10 -5 -2,10x10 19 4890 3,67x10 -4 -2,07x10 19 817780 656 7,2x10 -7 236 1,2x10 -8 450 4,0x10 -9 3,50 2,36 6,85x10 -5 -3,00x10 19 2680 3,04x10 -4 -3,06x10 19 600μ(cm 2 /Vs)90