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Neste trabalho o substrato tem dime
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Atualmente, este sistema MBE está
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obtidos, o modo, a qualidade do cre
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B*n×a= 2 π(3.7)Aonde,a e b são o
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alcançar os objetivos. No caso esp
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A Figura 3.9 mostra uma típica osc
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CAPÍTULO 4TÉCNICAS DE CARACTERIZA
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100 0 1000 2000 3000 4000 5000 080P
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B zzy(a)xj x(b)E xj xy(c)E x+ + + +
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14V 4→1I 2→12V 3→4I 3→23FIG
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− V42R1= →(4.16)I1→3Desta for
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fechado de He, equipado com control
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direto para o detector com uma aber
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corrente por tensão, IxV, coerente
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-0,001 0,000 0,001-0,08 -0,04 0,00
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Com o intuito de averiguar a capaci
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CAPÍTULO 5FABRICAÇÃO E CARACTERI
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concentração de elétrons. Subseq
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TABELA 5.1 - Dados das camadas de P
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A mobilidade pode ser encarada como
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10 20 350 400 45010 20PbTe:Bi / BaF
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10 510 410 610 100 10 310 6µ ~ T -
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para 1x10 19 cm -3 e aumenta suavem
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100 200 300 400 500757550100 0 100
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TABELA 5.3 - Parâmetros de crescim
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A estrutura de barreira dupla de Pb
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5.2.1 Caracterização estrutural p
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500 20 40 60 80 10050(Wrx-Wtx)/Wtx
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P 0,3 mmeG 1,0 mmVFio de Ouro2000
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No lado esquerdo, a face frontal do
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O sistema apresenta descontinuidade
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TABELA 5.5 - Valores de resistênci
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CAPÍTULO 6CONSIDERAÇÕES FINAISEs
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de BD de PbTe/PbEuTe foi crescido c
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REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICASAbramof
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Khodr, M.F.; MacCann, P.J.; Mason,
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APÊNDICE AARTIGOS E TRABALHOS APRE