Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe

elétricas de resistividade e efeito Hall. A Tabela 5.1 relata os valores de mobilidade,concentração e resistividade a 77 e 300 K para as amostras de referência e osparâmetros de crescimento utilizados.As amostras de PbTe-n foram crescidas utilizando-se cargas sólidas de PbTe e Te,acondicionadas nas suas respectivas células. De acordo com o diagrama de fase,mostrado na Figura 2.2 e descrito na seção 2.1, as propriedades elétricas do PbTepodem ser controladas pelo desvio da estequiometria. Considerando-se este fato, a cargasólida de Pb 1-y Te y , destinada ao crescimento MBE, é preparada ligeiramente mais ricaem chumbo, y = 0,495. Utilizando-se esta carga sem o fluxo adicional de Te, camadasde PbTe tipo-n com uma concentração de elétrons na faixa de 10 17 cm -3 são obtidas nastemperaturas usuais de crescimento, ~ 300 o C, veja a amostra 762 na Tabela 5.1.Controlando-se o fluxo adicional de Te, através da temperatura da célula de efusão deTe(1), as características elétricas dos filmes de PbTe na região de transiçãoestequiométrica puderam ser ajustadas. A Figura 5.2 mostra a resistividade, ρ, aconcentração de portadores, n ou p, e a mobilidade Hall, µ, a 77 K, em função da razãoentre as pressões equivalentes ao fluxo da célula de Te(1) e do PbTe, BEP Te / BEP PbTe ,para as camadas de referência, na Tabela 5.1. Nota-se claramente a transição de carátern para p para um fluxo adicional de Te no valor de 0,019 vezes o fluxo de PbTe. Atransição n para p ocorre abruptamente, sendo necessário um controle preciso dos fluxosnesta região. Observe também que as camadas de PbTe tipo-p com concentração deportadores equivalente às do tipo-n apresentam maiores resistividades e,conseqüentemente, menores mobilidades.86