Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe
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nucleação tridimensional sobre o substrato <strong>de</strong> BaF 2 não tenham influência na estrutura,ou seja, que a camada <strong>de</strong> <strong>PbTe</strong> esteja completamente relaxada. As camadas on<strong>de</strong> serão<strong>de</strong>positados os contatos metálicos, após o processamento da estrutura mesa, buffer ecobertura, são previstas com uma alta dopagem <strong>de</strong> elétrons n + ~ 10 19 – 10 20 cm -3 , paraevitar efeitos <strong>de</strong> retificação e facilitar o contato elétrico. Para as camadas espaçadoras eo poço <strong>de</strong> <strong>PbTe</strong> é <strong>de</strong>sejável uma concentração <strong>de</strong> elétrons relativamente baixa <strong>de</strong>~ 10 16 - 10 17 cm -3 . A concentração <strong>de</strong> európio na <strong>barreira</strong> Pb 1-x Eu x Te é prevista parax ~ 0,04 – 0,05, que leva a <strong>barreira</strong>s <strong>de</strong> ~ 150 meV, tanto para banda <strong>de</strong> condução comopara a banda valência, supondo-se 50% <strong>de</strong> <strong>de</strong>slocamento entre ambas as bandas.Para se obter a estrutura BD, esquematizada na Figura 5.1, é necessário <strong>de</strong>terminarcuidadosamente os parâmetros ótimos <strong>de</strong> crescimento MBE para cada camadaconstituinte individualmente. Para tanto, torna-se imprescindível o crescimento e arespectiva caracterização <strong>de</strong> camadas epitaxiais <strong>de</strong> referência. A seção 5.1 apresenta ocrescimento MBE das camadas referência <strong>de</strong> <strong>PbTe</strong> obtidas pelo <strong>de</strong>svio daestequiometria e por dopagem com bismuto, e <strong>de</strong> camadas <strong>de</strong> <strong>PbEuTe</strong> para a <strong>barreira</strong>. Étambém apresentada a caracterização elétrica, ótica e estrutural <strong>de</strong>stes filmes <strong>de</strong>referência.Após a etapa <strong>de</strong> <strong>de</strong>terminação dos parâmetros ótimos <strong>de</strong> crescimento, a seção 5.2<strong>de</strong>screve o crescimento da estrutura <strong>de</strong> <strong>barreira</strong> <strong>dupla</strong> <strong>de</strong> <strong>PbTe</strong>/<strong>PbEuTe</strong>, propriamentedita, juntamente com a <strong>de</strong>terminação dos parâmetros estruturais por técnicas <strong>de</strong> difração<strong>de</strong> raios X. Finalmente, o processamento do dispositivo para formação da estrutura mesae a medida da característica IxV são apresentados na seção 5.3.5.1 Camadas epitaxiais <strong>de</strong> referênciaO crescimento e a caracterização das camadas epitaxiais <strong>de</strong> referência, visando aconstrução da estrutura <strong>de</strong> BD <strong>de</strong> <strong>PbTe</strong>/<strong>PbEuTe</strong>, são apresentadas nesta seção. Oprimeiro objetivo é a obtenção <strong>de</strong> camadas <strong>de</strong> <strong>PbTe</strong> <strong>de</strong> qualida<strong>de</strong>, controlando-se o<strong>de</strong>svio da estequiometria através do fluxo adicional <strong>de</strong> Te. Após estabelecer osparâmetros a<strong>de</strong>quados para a camada <strong>de</strong> <strong>PbTe</strong>-n, uma investigação cuidadosa sobre adopagem <strong>de</strong> <strong>PbTe</strong> com Bi foi realizada visando conseguir camadas <strong>de</strong> <strong>PbTe</strong> com maior84