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Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe

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Com o intuito <strong>de</strong> averiguar a capacida<strong>de</strong> do sistema IxV em <strong>de</strong>tectar efeitos <strong>de</strong>tunelamento, foram realizadas medições <strong>de</strong> corrente em função das voltagens medidasnum diodo túnel comercial 1N3716, com <strong>barreira</strong> <strong>de</strong> germânio <strong>de</strong> 0,6 V, que sãomostradas na Figura 4.13.50 100 200 300 400 500544Corrente (mA)321321000 100 200 300 400 500Tensão (mV)FIGURA 4.13 – Medidas <strong>de</strong> corrente em função das voltagens medidas em diodo túnel1N3716 a 300 K.O sistema mostrou-se capaz <strong>de</strong> medir os efeitos <strong>de</strong> tunelamento do diodo. Encontrou-seuma boa concordância entre os valores medidos e os especificados pelo fabricante paraas voltagens <strong>de</strong> pico, Vp, e as <strong>de</strong> vale, Vv. Os valores medidos para estas gran<strong>de</strong>zas emcomparação com os dados do fabricante, mostrados entre parênteses, foram:Vp = 66 mV (65 mV), Vv = 376 mV (350 mV), Ip = 4,5 mA (4,7 mA), Iv = 0,77 mA(1,04 mA). A concordância entre os valores <strong>de</strong> vale não seguiu a excelenteconcordância dos valores <strong>de</strong> pico. O comportamento anômalo da curva entre asvoltagens <strong>de</strong> 100 e 370 mV po<strong>de</strong>m ter influenciado sobre este fato. Reuscher et al.(1996) <strong>de</strong>screveram o aparecimento <strong>de</strong> alterações na região <strong>de</strong> resistência negativa em81

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