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A diferença entre as resistências determinadas a partir dos valores de corrente emfunção da voltagem aplicada e o valor real dos resistores de 10, 100, 1k e 10kΩ, tornasesensivelmente maior na medida em que a resistência diminui, conforme mostra aFigura 4.12.0 2k 4k 6k 8k 10kDesvio percentual (%)3530252015105353025201510500 2k 4k 6k 8k 10kResistência (Ω)0FIGURA 4.12 – Desvio percentual entre valores de resistência calculados a partir devalores de voltagem aplicada (Rapl) e valor real (Rre), [(Rapl-Rre)/Rre]*100 em função do valor das resistências.Somente resistências acima de 1 kΩ apresentaram erros suficientemente pequenosquando se utiliza o valor da voltagem aplicada. Abaixo deste valor, há considerávelinfluência da resistência interna do sistema e dos cabos sobre os dados colocados emfunção da voltagem aplicada. Para a resistência de 0,14 Ω, não mostrada na Figura 4.12,encontrou-se o desvio percentual máximo de cerca de 800%. Portanto, o desviopercentual verificado em resistências menores do que 1 kΩ, faz com que a voltagemaplicada seja inadequada para a caracterização das amostras de barreira dupla destetrabalho, que têm as resistências estimadas na ordem de 0,1 Ω, desconsiderando osefeitos do potencial das barreiras. Desta forma, as medidas IxV nas barreiras duplasserão sempre analisadas utilizando a voltagem medida.80
Com o intuito de averiguar a capacidade do sistema IxV em detectar efeitos detunelamento, foram realizadas medições de corrente em função das voltagens medidasnum diodo túnel comercial 1N3716, com barreira de germânio de 0,6 V, que sãomostradas na Figura 4.13.50 100 200 300 400 500544Corrente (mA)321321000 100 200 300 400 500Tensão (mV)FIGURA 4.13 – Medidas de corrente em função das voltagens medidas em diodo túnel1N3716 a 300 K.O sistema mostrou-se capaz de medir os efeitos de tunelamento do diodo. Encontrou-seuma boa concordância entre os valores medidos e os especificados pelo fabricante paraas voltagens de pico, Vp, e as de vale, Vv. Os valores medidos para estas grandezas emcomparação com os dados do fabricante, mostrados entre parênteses, foram:Vp = 66 mV (65 mV), Vv = 376 mV (350 mV), Ip = 4,5 mA (4,7 mA), Iv = 0,77 mA(1,04 mA). A concordância entre os valores de vale não seguiu a excelenteconcordância dos valores de pico. O comportamento anômalo da curva entre asvoltagens de 100 e 370 mV podem ter influenciado sobre este fato. Reuscher et al.(1996) descreveram o aparecimento de alterações na região de resistência negativa em81
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A diferença entre as resistências <strong>de</strong>terminadas a partir dos valores <strong>de</strong> corrente emfunção da voltagem aplicada e o valor real dos resistores <strong>de</strong> 10, 100, 1k e 10kΩ, tornasesensivelmente maior na medida em que a resistência diminui, conforme mostra aFigura 4.12.0 2k 4k 6k 8k 10kDesvio percentual (%)3530252015105353025201510500 2k 4k 6k 8k 10kResistência (Ω)0FIGURA 4.12 – Desvio percentual entre valores <strong>de</strong> resistência calculados a partir <strong>de</strong>valores <strong>de</strong> voltagem aplicada (Rapl) e valor real (Rre), [(Rapl-Rre)/Rre]*100 em função do valor das resistências.Somente resistências acima <strong>de</strong> 1 kΩ apresentaram erros suficientemente pequenosquando se utiliza o valor da voltagem aplicada. Abaixo <strong>de</strong>ste valor, há consi<strong>de</strong>rávelinfluência da resistência interna do sistema e dos cabos sobre os dados colocados emfunção da voltagem aplicada. Para a resistência <strong>de</strong> 0,14 Ω, não mostrada na Figura 4.12,encontrou-se o <strong>de</strong>svio percentual máximo <strong>de</strong> cerca <strong>de</strong> <strong>80</strong>0%. Portanto, o <strong>de</strong>sviopercentual verificado em resistências menores do que 1 kΩ, faz com que a voltagemaplicada seja ina<strong>de</strong>quada para a caracterização das amostras <strong>de</strong> <strong>barreira</strong> <strong>dupla</strong> <strong>de</strong>stetrabalho, que têm as resistências estimadas na or<strong>de</strong>m <strong>de</strong> 0,1 Ω, <strong>de</strong>sconsi<strong>de</strong>rando osefeitos do potencial das <strong>barreira</strong>s. Desta forma, as medidas IxV nas <strong>barreira</strong>s <strong>dupla</strong>sserão sempre analisadas utilizando a voltagem medida.<strong>80</strong>