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Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe

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computador, a partir <strong>de</strong> programa <strong>de</strong> controle e aquisição <strong>de</strong> dados <strong>de</strong> medidas <strong>de</strong>caracterização elétrica, <strong>de</strong>senvolvido em plataforma Visual Basic. Através do programaé possível ajustar os parâmetros <strong>de</strong> medida tais como a voltagem mínima e máxima, ointervalo <strong>de</strong> tempo entre medições, o passo na amostragem, o número <strong>de</strong> aquisiçõespara cálculo da média em cada ponto, o intervalo <strong>de</strong> tempo entre as aquisições para ocálculo da média e o ajuste do sentido da corrente. A configuração do sistema apresentaflexibilida<strong>de</strong> no estudo <strong>de</strong> diferentes materiais e dispositivos.Neste trabalho as medidas IxV foram realizadas em <strong>barreira</strong>s <strong>dupla</strong>s <strong>de</strong> <strong>PbTe</strong>/<strong>PbEuTe</strong>com diferentes características estruturais. O método <strong>de</strong> medida utilizado é conhecidocomo quatro pontos, como mostrado no circuito equivalente da Figura 4.10. Nestemétodo o voltímetro me<strong>de</strong> a queda <strong>de</strong> tensão o mais próximo possível do dispositivo.Em <strong>de</strong>corrência da queda <strong>de</strong> tensão nos cabos e circuitos internos do sistema a tensãomedida e a tensão aplicada po<strong>de</strong>m ser diferentes.Com o intuito <strong>de</strong> avaliar tais diferenças, o sistema <strong>de</strong> medição foi testado realizando-semedidas IxV em diferentes resistores <strong>de</strong> precisão <strong>de</strong> 0,14, 0,56, 10, 100, 1k e 10kΩ. Apartir da curva levantada para estes resistores, <strong>de</strong>terminou-se a resistência medida pelosistema, com os dados colocados em função da voltagem medida e da voltagemaplicada. A resistência foi extraída a partir do ajuste linear aos pontos da curva. Emseguida, os valores medidos foram comparados com os valores reais dos resistores <strong>de</strong>precisão.A Figura 4.11 mostra as curvas <strong>de</strong> corrente em função das voltagens. Um <strong>de</strong>sviomáximo <strong>de</strong> 0,5% foi encontrado em relação aos valores nominais dos resistores. Este<strong>de</strong>svio foi consi<strong>de</strong>rado aceitável e, nesta faixa <strong>de</strong> resistências, o sistema foi consi<strong>de</strong>radohábil para realizar medidas IxV, quando a corrente é colocada em função da voltagemmedida.78

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