Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe
Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe
A lei de difração de Bragg na forma diferencial é escrita como ∆d/d - ∆Θ/tanΘ = ∆λ/λ.Esta equação permite observar que para se resolver variações nos parâmetros de rede∆d/d da ordem de 10 -5 , o feixe de raios X incidente deve possuir tanto uma divergência∆Θ quanto variações no comprimento de onda ∆λ/λ também da ordem de 10 -5 . Oprocessamento de materiais cristalinos, com técnicas como epitaxia, difusão atômica ouimplantação iônica, produz variações na distância interplanar ∆d/d na faixa de 10 -5 a 10 -3 . Os difratômetros padrões de raios X não oferecem esta resolução.A radiação emitida por um tubo de raios X apresenta um espectro relativamente largo,constituído de uma radiação de fundo em cima da qual um número de linhas ésuperposto, denominado radiação característica. No caso de um alvo de cobre, mesmoseparando o pico CuKα 1 do CuKα 2 por meio de um colimador estreito, a largura delinha característica da radiação CuKα 1 é relativamente larga, apresentando ∆λ/λ = 3x10 -4 . A divergência do feixe de raios X emitido é da ordem de alguns graus. Emdifratômetros convencionais utilizam-se fendas para diminuir esta divergência, porémnão se consegue ∆Θ menores do que 0,1 o = 1,7x10 -3 rad. Cristais volumétricos perfeitos,como silício ou arseneto de gálio, têm largura de linha de difração de raios X bemestreita, da ordem de 2” ~ 10 -5 rad. A perfeição da rede cristalina se encontra na faixa de10 -7 e uma variação de temperatura de 1 o C produz uma variação na posição dos planosda rede na ordem de 10 -6 . Portanto, para investigar com resolução, cristais ou camadasepitaxiais cristalinas, necessita-se utilizar um difratômetro de raios X de alta resolução.O difratômetro de raios X de alta resolução Philips X’Pert MRD foi utilizado, nestetrabalho, para a caracterização estrutural das diversas amostras. O equipamento foiaplicado primeiramente na análise de filmes finos de PbTe dopados com diferentesconcentrações de bismuto. A configuração utilizada foi a de varredura-ω ou rockingcurve. Nesta configuração, o tubo de raios X é colocado no foco ponto, e ummonocromador de quatro cristais de Ge(220) é posicionado na frente do tubo, óticaprimária, resultando em um feixe monocromático e convergente com dispersão∆λ/λ = 2x10 -4 e divergência ∆Θ = 12” = 0,0032 o ). O feixe difratado pela amostra vai74
direto para o detector com uma abertura de 1 o . A Figura 4.7 mostra o esquema paramedidas de raios X de alta resolução na configuração rocking curve.FIGURA 4.7 – Esquema do difratômetro de raios X de alta resolução na configuraçãode detector aberto ou rocking curve.Na configuração triplo-eixo, representada na Figura 4.8, o feixe difratado passa por umanalisador de corte, 2 cristais de Ge(220), antes de chegar no detector, reduzindo aentrada do mesmo para ∆2Θ = 12”.FIGURA 4.8 – Esquema da configuração triplo-eixo em raios X de alta resolução.Informações a respeito da qualidade das interfaces foram extraídas das mediçõesrealizadas na configuração triplo-eixo. A simulação dos espectros forneceu dados arespeito das dimensões e parâmetros de rede das multicamadas. Desta forma,parâmetros nominais de crescimento puderam ser verificados, assim como a eficiênciado método de determinação da taxa de crescimento pôde ser avaliado. Os espectros de75
- Page 25 and 26: LISTA DE SÍMBOLOSa - Parâmetro de
- Page 27 and 28: em ⊥hm ⊥em ||hm ||m 0m s- Massa
- Page 29: μ- Mobilidadeω - Medida de ângul
- Page 33 and 34: CAPÍTULO 1INTRODUÇÃOO avanço na
- Page 35 and 36: (CHITTA et al., 2005). Ao contrári
- Page 37 and 38: CAPÍTULO 2PROPRIEDADES DOS MATERIA
- Page 39 and 40: especular uma da outra, o que deter
- Page 41 and 42: temperatura. Devido a este fato e
- Page 43 and 44: quantização levantam a degeneresc
- Page 45 and 46: epresentada ao lado. Outro tunelame
- Page 47 and 48: CAPÍTULO 3EPITAXIA DE FEIXE MOLECU
- Page 49 and 50: dN ef é o número de moléculas ev
- Page 51 and 52: Jsub≡dΓdSΓθ ef 2,= =2π ⋅γ6
- Page 53 and 54: (a)(b)(c)FIGURA 3.3 - (a) Represent
- Page 55 and 56: fatores são observados em substrat
- Page 57 and 58: A partir da Figura 3.5, percebe-se
- Page 59 and 60: de elétrons passa a ser predominan
- Page 61 and 62: 3.3.3 Oscilações RHEEDA intensida
- Page 63: A fórmula que relaciona a distânc
- Page 66 and 67: A espessura W do filme é determina
- Page 68 and 69: 4.2 Efeito HallNeste trabalho, as p
- Page 70 and 71: O coeficiente Hall R H é definido
- Page 72 and 73: onde,RR2Q = (4.14)4A determinação
- Page 74 and 75: FIGURA 4.5 - Sistema de medição d
- Page 78 and 79: difração de raios X foram simulad
- Page 80 and 81: computador, a partir de programa de
- Page 82 and 83: A diferença entre as resistências
- Page 84 and 85: amostras de barreira dupla de CdTe/
- Page 86 and 87: nucleação tridimensional sobre o
- Page 88 and 89: elétricas de resistividade e efeit
- Page 90 and 91: n ou p (cm -3 )3x10 17 0,00 0,01 0,
- Page 92 and 93: TABELA 5.2 - Dados das camadas de r
- Page 94 and 95: n (cm -3 )10 19 10 10010 1876977077
- Page 96 and 97: espalhamento de portadores começam
- Page 98 and 99: de 2,2, encontrada na fabricação
- Page 100 and 101: Considerando o parâmetro de rede d
- Page 102 and 103: TABELA 5.4 - Parâmetros das camada
- Page 104 and 105: (3) Medição dos respectivos BEP
- Page 106: 10 4 PbTe - n +BD4019bufferW barrei
- Page 110 and 111: célula de efusão. Note que a dife
- Page 112 and 113: As máscaras utilizadas para deposi
- Page 114 and 115: Au são soldados aos terminais do c
- Page 116 and 117: A Figura 5.13 apresenta as medidas
- Page 118 and 119: O gráfico da Figura 5.14 mostra as
- Page 120 and 121: efetiva incorporação dos átomos
- Page 122 and 123: áreas de mesa diferentes. Discrep
- Page 124 and 125: Dunstan, D.J.; Young, S.; Dixon, R.
A lei <strong>de</strong> difração <strong>de</strong> Bragg na forma diferencial é escrita como ∆d/d - ∆Θ/tanΘ = ∆λ/λ.Esta equação permite observar que para se resolver variações nos parâmetros <strong>de</strong> re<strong>de</strong>∆d/d da or<strong>de</strong>m <strong>de</strong> 10 -5 , o feixe <strong>de</strong> raios X inci<strong>de</strong>nte <strong>de</strong>ve possuir tanto uma divergência∆Θ quanto variações no comprimento <strong>de</strong> onda ∆λ/λ também da or<strong>de</strong>m <strong>de</strong> 10 -5 . Oprocessamento <strong>de</strong> materiais cristalinos, com técnicas como epitaxia, difusão atômica ouimplantação iônica, produz variações na distância interplanar ∆d/d na faixa <strong>de</strong> 10 -5 a 10 -3 . Os difratômetros padrões <strong>de</strong> raios X não oferecem esta resolução.A radiação emitida por um tubo <strong>de</strong> raios X apresenta um espectro relativamente largo,constituído <strong>de</strong> uma radiação <strong>de</strong> fundo em cima da qual um número <strong>de</strong> linhas ésuperposto, <strong>de</strong>nominado radiação característica. No caso <strong>de</strong> um alvo <strong>de</strong> cobre, mesmoseparando o pico CuKα 1 do CuKα 2 por meio <strong>de</strong> um colimador estreito, a largura <strong>de</strong>linha característica da radiação CuKα 1 é relativamente larga, apresentando ∆λ/λ = 3x10 -4 . A divergência do feixe <strong>de</strong> raios X emitido é da or<strong>de</strong>m <strong>de</strong> alguns graus. Emdifratômetros convencionais utilizam-se fendas para diminuir esta divergência, porémnão se consegue ∆Θ menores do que 0,1 o = 1,7x10 -3 rad. Cristais volumétricos perfeitos,como silício ou arseneto <strong>de</strong> gálio, têm largura <strong>de</strong> linha <strong>de</strong> difração <strong>de</strong> raios X bemestreita, da or<strong>de</strong>m <strong>de</strong> 2” ~ 10 -5 rad. A perfeição da re<strong>de</strong> cristalina se encontra na faixa <strong>de</strong>10 -7 e uma variação <strong>de</strong> temperatura <strong>de</strong> 1 o C produz uma variação na posição dos planosda re<strong>de</strong> na or<strong>de</strong>m <strong>de</strong> 10 -6 . Portanto, para investigar com resolução, cristais ou camadasepitaxiais cristalinas, necessita-se utilizar um difratômetro <strong>de</strong> raios X <strong>de</strong> alta resolução.O difratômetro <strong>de</strong> raios X <strong>de</strong> alta resolução Philips X’Pert MRD foi utilizado, nestetrabalho, para a caracterização estrutural das diversas amostras. O equipamento foiaplicado primeiramente na análise <strong>de</strong> filmes finos <strong>de</strong> <strong>PbTe</strong> dopados com diferentesconcentrações <strong>de</strong> bismuto. A configuração utilizada foi a <strong>de</strong> varredura-ω ou rockingcurve. Nesta configuração, o tubo <strong>de</strong> raios X é colocado no foco ponto, e ummonocromador <strong>de</strong> quatro cristais <strong>de</strong> Ge(220) é posicionado na frente do tubo, óticaprimária, resultando em um feixe monocromático e convergente com dispersão∆λ/λ = 2x10 -4 e divergência ∆Θ = 12” = 0,0032 o ). O feixe difratado pela amostra vai74