Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe

− V42R1= →(4.16)I1→3Desta forma o coeficiente Hall é determinado por:8+ −⎛10 W ⎞⎛R1− R1⎞R H= ⎜ ⎟⎜⎟(4.17)⎝ B ⎠⎝2 ⎠onde,B é a intensidade do campo magnético em Gauss e W a espessura da amostra em cm.A mobilidade Hall é determinada pela relação:µHRH= (4.18)ρPortanto, a partir de medidas de efeito Hall extrai-se os valores da concentração deportadores, resistividade e mobilidade das amostras. Normalmente, tanto para aresistividade quanto para o coeficiente Hall, é feita uma média entre as medidas nosdiversos contatos para a corrente fluindo nos dois sentidos.4.2.3 Sistema de medição de resistividade e efeito HallO sistema de medição de resistividade e efeito Hall utilizado, Figura 4.5, é formado porum sistema Keithley totalmente conectado com um microcomputador pela interfaceIEEE-488. Ele é constituído de uma fonte programável de corrente 228A, uma placa deefeito Hall 7065, inserida no sistema de chaveamento 7001, um multímetro digitalDMM 199/1992 e um picoamperímetro 485. A carta de efeito Hall modelo 7065 contémamplificadores DC sensíveis e todo o chaveamento necessário para se fazer medições deresistividade e efeito Hall em amostras de alta ou baixa resistividade.71