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Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe

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O coeficiente Hall R H é <strong>de</strong>finido pela seguinte relação:EyRH= (4.7)JxBZon<strong>de</strong>,E y é o campo Hall <strong>de</strong>finido na Equação 4.6, B Z é o campo magnético na direção z sob oqual a amostra é submetida e J x é a <strong>de</strong>nsida<strong>de</strong> <strong>de</strong> corrente na direção x dada por:Jx= −eνn(4.8)xon<strong>de</strong> n é a concentração <strong>de</strong> cargas por unida<strong>de</strong> <strong>de</strong> volume da amostra.Deste modo, substituindo os valores <strong>de</strong> J x e E y na equação 4.7, o coeficiente Hall po<strong>de</strong>ser reescrito da seguinte forma:1R H−ne= (4.9)Se o R H < 0 os portadores majoritários são do tipo n, elétrons, e se o R H > 0 osportadores majoritários são do tipo p, buracos.4.2.2 Método <strong>de</strong> Van <strong>de</strong>r PauwO método <strong>de</strong> medição por efeito Hall na configuração proposta por Van <strong>de</strong>r Pauwpermite medidas em amostras com diferentes formatos, <strong>de</strong>s<strong>de</strong> que estes obe<strong>de</strong>çam àcondição <strong>de</strong> ter espessura homogênea e <strong>de</strong> ser simplesmente conexa, isto é, semburacos, e possuir a distância entre os contatos bem maior do que a espessura do filme.A partir da geometria representada pela Figura 4.3, a resistivida<strong>de</strong> é calculada passandosecorrente do terminal 3 para o 2 e medindo-se a voltagem entre os terminais opostos, 4e 1.68

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