Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe

4.2 Efeito HallNeste trabalho, as propriedades elétricas de amostras de referência foram caracterizadaspor medidas de resistividade e efeito Hall em diferentes temperaturas. O conhecimentoda concentração de portadores, resistividade e mobilidade das amostras de referênciapossibilitam o ajuste dos fluxos do crescimento seguinte, de forma que as multicamadascontenham as propriedades elétricas adequadas a sua aplicação. Tais medidas foramrealizadas também no estudo de dopagem com bismuto. Neste caso, medidas em funçãoda temperatura foram realizadas em amostras com diferentes graus de dopagem. Osresultados permitiram indicar a condição mais adequada para fabricação de amostras debarreira dupla de PbTe/PbEuTe.4.2.1 Princípios básicosA Figura 4.2(a) representa uma amostra submetida a um campo magnético deintensidade B aplicado na direção z com um fluxo de cargas j na direção x. As cargassubmetidas ao campo magnético sofrem deflexão pela ação da força de Lorentz, Figura4.2(b), levando ao acúmulo de cargas nas laterais da amostra. O acúmulo de cargasacontece até que o equilíbrio seja estabelecido através da formação de um campoelétrico interno de intensidade E na direção y que contrapõe a força de Lorentz, Figura4.2(c). Neste ponto o fluxo de cargas continua somente na direção x.A força de Lorentz é determinada pela relação:F = ⋅( ν × B)e (4.3)onde,e é a carga do elétron, ν é a velocidade dos elétrons e B é o campo magnético aplicado.Na condição colocada na Figura 4.2, a força de Lorentz resultante pode ser escrita daseguinte forma:F = F = eνB(4.4)yxZ66