Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe

fatores são observados em substratos de BaF 2 e este material é correntemente utilizadoem crescimentos de compostos IV-VI.Este sistema MBE possui ainda um espectrômetro de massa, do tipo quadrupolo, paraanálise de gases residuais até 200 u.m.a. e um sistema para difração de elétrons de altaenergia emergentes de reflexão rasante (RHEED, Reflection high energy electrondiffraction) de 12 keV, para análise in situ dos crescimentos, equipado com câmara devídeo, para a digitalização dos padrões de RHEED, para posterior análise.3.3 Difração de elétrons de alta energia emergentes de reflexão rasante – RHEEDNa técnica RHEED, um feixe de elétrons de alta energia (10 – 50 keV) incide emângulo rasante, < 3 o , sobre a superfície da amostra e é espalhado sobre uma telafluorescente de fósforo. Devido à bidimensionalidade da superfície, os pontos da rederecíproca se transformam em bastões, e os padrões RHEED na tela podem serentendidos como a interseção destes bastões com a superfície da esfera de Ewald, deraio determinado pelo módulo do vetor de onda dos elétrons incidentes.FIGURA 3.4 - Esquematização da geometria de monitoramento com RHEED.A Figura 3.4 ilustra a geometria de monitoramento a partir da técnica RHEED. Ageometria rasante, a alta sensibilidade à superfície e a compatibilidade ao UHV fizeramda técnica RHEED uma ferramenta amplamente utilizada na investigação in situ dosaspectos morfológicos do crescimento epitaxial MBE. Através dos padrões RHEED53