Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe
Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe
Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
investigação científica (SPRINGHOLZ et al., 1993; ABRAMOF et al., 2001) epotencial <strong>de</strong> aplicação para o <strong>de</strong>senvolvimento <strong>de</strong> novos dispositivos (FEIT et al., 1996;KHODR et al., 1995). A interação entre os momentos localizados do íon magnéticocom os elétrons, ou buracos, da banda do cristal hospe<strong>de</strong>iro, leva a novos efeitos físicos,principalmente na presença <strong>de</strong> um campo magnético externo. Além disto, asproprieda<strong>de</strong>s típicas do semicondutor como energia do gap, parâmetro <strong>de</strong> re<strong>de</strong>, e massaefetiva, po<strong>de</strong>m ser modificadas com a variação da concentração atômica do elementomagnético na liga. Normalmente, estas ligas semimagnéticas apresentam um espectrolargo <strong>de</strong> comportamento magnético, incluindo proprieda<strong>de</strong>s paramagnéticas,antiferromagnéticas, spin-glass, ou até ferromagnéticas. Depen<strong>de</strong>ndo do composto, épossível estudar estas diferentes proprieda<strong>de</strong>s em função da composição do elementomagnético. No caso dos calcogenetos <strong>de</strong> Eu, os íons <strong>de</strong> Eu 2+ têm a configuraçãoeletrônica 5s 2 p 6 com sete elétrons adicionais 4f , isto é, com a camada 4fsemipreenchida. Des<strong>de</strong> que todos os elétrons 4f tenham uma orientação <strong>de</strong> spin paralela,o momento magnético dos íons <strong>de</strong> Eu 2+ é χ =7,94 χ B , on<strong>de</strong> χ B é o momento magnético<strong>de</strong> Bohr. A interação <strong>de</strong> troca entre estes momentos magnéticos fortemente localizadosnos calcogenetos <strong>de</strong> Eu os fazem substância mo<strong>de</strong>lo para o antiferromagneto <strong>de</strong>Heisenberg.2.2 <strong>Estruturas</strong> <strong>de</strong> Barreira DuplaBarreiras <strong>dupla</strong>s (BD) semicondutoras são estruturas formadas por materiais comdiferentes energias <strong>de</strong> gap, <strong>de</strong> forma que o material <strong>de</strong> gap menor é confinado entremateriais <strong>de</strong> gap maior. A estrutura confinada, <strong>de</strong>nominada poço, tem largura menor doque 100Å. Nestas dimensões, o poço apresenta na banda <strong>de</strong> condução uma ou mais subbandas<strong>de</strong> estados quase ligados. Normalmente as sub-bandas possuem energia maior doque a energia <strong>de</strong> Fermi do mesmo material, quando não está confinado.Os compostos IV-VI possuem proprieda<strong>de</strong>s peculiares e distintas dos materiaissemicondutores mais estudados, o que os torna objetos <strong>de</strong> interesse para investigaçõescientíficas e possíveis novas aplicações. Devido à quebra da simetria <strong>de</strong> translação aolongo da direção <strong>de</strong> crescimento [111], tanto efeitos <strong>de</strong> <strong>de</strong>formação quanto os <strong>de</strong>40