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Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe

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A seguir, no Capítulo 2, são apresentadas as principais proprieda<strong>de</strong>s dos compostos IV-VI e dos calcogenetos <strong>de</strong> európio, seguido das estruturas <strong>de</strong> <strong>barreira</strong> <strong>dupla</strong> e asprincipais características do efeito <strong>de</strong> tunelamento ressonante. O Capítulo 3 aborda ocrescimento epitaxial por feixe molecular <strong>de</strong> compostos IV-VI tratando a teoria <strong>de</strong>evaporação, e a difração <strong>de</strong> elétrons <strong>de</strong> alta energia emergentes <strong>de</strong> reflexão rasante(RHEED). O Capítulo 4 trata das técnicas <strong>de</strong> caracterização ex situ utilizadas,<strong>de</strong>stacando os aspectos explorados nas diferentes etapas <strong>de</strong> fabricação das amostras. NoCapítulo 5 os resultados são apresentados a partir do crescimento das amostras <strong>de</strong>referência para fabricação das estruturas <strong>de</strong> <strong>barreira</strong> <strong>dupla</strong>. Em seguida, é apresentado ocrescimento da <strong>barreira</strong> <strong>dupla</strong> propriamente dita. Encerrando, a fabricação e acaracterização elétrica do dispositivo são apresentadas. Finalizando o trabalho, noCapítulo 6 encontram-se as principais conclusões e as consi<strong>de</strong>rações finais.34

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