Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe

CAPÍTULO 1INTRODUÇÃOO avanço nas técnicas de crescimento epitaxial, incluindo a epitaxia de feixe molecular,ocorrido nas últimas décadas possibilitou o controle em nível de monocamada atômicadurante o crescimento de camadas epitaxiais de materiais semicondutores. O controlesobre a energia das larguras de banda proibida, a partir de dopagens intrínsecas eextrínsecas controladas, e a espessura das camadas de estruturas semicondutoras,permite confinar os portadores de carga em dimensões da ordem do comprimento deonda de de Broglie do elétron, de forma que os fenômenos quânticos característicos dabaixa dimensionalidade possam ser observados.Um efeito quântico interessante observável através de medidas de transporte vertical,isto é, na direção de crescimento perpendicular ao plano da amostra, é o tunelamentoressonante em barreiras duplas. Desde o trabalho pioneiro de Chang, Esaki e Tsu(CHANG et al., 1974), onde este efeito foi medido com sucesso em amostras debarreiras duplas de GaAs/AlGaAs, vários outros estudos sobre tunelamento ressonanteem dispositivos fabricados a partir de compostos III-V foram publicados (SOLLNER etal., 1983; WIE; CHOI, 1991; LEWIS et al., 2000; QIU et al., 2004). Em 1996 foiapresentada a primeira medida de tunelamento ressonante em compostos II-VI deCdTe/CdMgTe (REUSCHER et al., 1996). O trabalho de Han et al. (2000) fornece umexemplo desta medida, em compostos IV-IV, em barreiras duplas de Si/SiGe. Noentanto, segundo o nosso conhecimento, nenhuma medida de transporte vertical,evidenciando fenômenos quânticos, foi realizada até o presente momento em estruturasenvolvendo compostos IV-VI. Esta tese se propõe a realizar um feito inéditopreenchendo uma lacuna na pesquisa básica em compostos IV-VI em relação aossemicondutores mais estudados. A medida de tunelamento ressonante em estruturas debarreira dupla de PbTe/PbEuTe.31