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4.2 – Diagrama esquemático de uma amostra nas condições de medida de efeito Hall:(a) visão obliqua da amostra submetida a um campo magnético B z e uma correntej x .(b) tomada superior destacando o processo de deflexão de cargas, e (c) situaçãode equilíbrio com cargas totalmente defletidas. ..................................................... 674.3 – Esquema da geometria Van der Pauw para medidas de resistividade. .................. 694.4 – Configuração da passagem de corrente e medição de tensão na geometria Van derPauw para determinação do coeficiente Hall. ........................................................ 704.5 – Sistema de medição de resistividade e efeito Hall dependente com a temperatura................................................................................................................................. 724.6 – Diagrama do sistema de medição de resistividade e efeito Hall. .......................... 724.7 – Esquema do difratômetro de raios X de alta resolução na configuração de detectoraberto ou rocking curve. ......................................................................................... 754.8 – Esquema da configuração triplo-eixo em raios X de alta resolução. ..................... 754.9 – Vista frontal da câmara interna do difratômetro de raios X de alta resoluçãoPhilips X’Pert MRD. .............................................................................................. 764.10 – Diagrama e circuito equivalente para o sistema de medidas IxV. ....................... 774.11 – Medidas de corrente em função da voltagem medida em resistores de precisão de(a) 0,14Ω, (b) 0,56Ω, (c)10Ω, (d)100Ω, (e)1kΩ e (f)10kΩ. ................................... 794.12 – Desvio percentual entre valores de resistência calculados a partir de valores devoltagem aplicada (Rapl) e valor real (Rre), [(Rapl-Rre)/Rre]*100 em função dovalor das resistências. ............................................................................................. 804.13 – Medidas de corrente em função das voltagens medidas em diodo túnel 1N3716 a300 K. ..................................................................................................................... 815.1 - Esquema da estrutura de barreira dupla de PbTe/PbEuTe, fabricada por MBE, paramedida de efeito de tunelamento ressonante. ......................................................... 835.2 - Valores de resistividade, concentração de portadores e mobilidade Hall a 77 K, emfunção da razão entre a pressão equivalente ao fluxo de Te e PbTe. ..................... 885.3 - Concentração de elétrons, a 77 K, em amostras de PbTe dopadas com Bi, emfunção da temperatura da célula de Bi 2 Te 3 . ............................................................ 915.4 - Concentração de elétrons em função da temperatura das amostras de PbTe dopadascom Bi. ................................................................................................................... 925.5 - Mobilidade Hall em função da temperatura das amostras de PbTe:Bi. ................. 935.6 - Resistividade em função da densidade de elétrons a 77 K para amostras de PbTedopadas com diferentes concentrações de Bi. ........................................................ 945.7 – Espectro de transmissão FTIR para amostra de referência de PbEuTe. Reduzido,encontra-se o gráfico da primeira derivada do espectro de transmissão. ............... 975.8 – Espectros de difração de raios X, medidos em torno do pico de Bragg (222), paraamostras de barreira dupla de PbTe/PbEuTe com diferentes espessuras, W. A linhacheia corresponde à curva calculada por teoria dinâmica de difração que melhor seajustou ao espectro medido................................................................................... 1045.9 – Diferença percentual entre a espessura determinada por difração de raios X, Wrx, eo valor nominal estimado pela taxa de crescimento, Wtx, em função do valornominal para as barreiras de PbEuTe. .................................................................. 1075.10 - Representação esquemática da estrutura mesa delineada em barreira dupla dePbTe/PbEuTe com contatos no topo e na base submetidos a tensão V. ............... 109
5.11 – Máscaras de aço inox utilizadas na deposição de Au por feixe de elétrons. Amáscara da esquerda é para o topo da mesa, enquanto a da direita destina-se à base.Escala 4:1. ............................................................................................................. 1095.12 – Fotografias dos porta-substrato com as máscaras utilizadas para deposição de Au.A foto (a) mostra a parte frontal do porta-substrato com a máscara para deposiçãono topo da mesa. Em (b) encontra-se a visão anterior do porta-substrato com osistema de molas para fixação e a máscara para deposição na base da mesa. A foto(c) mostra a visão lateral do aparato com a estrutura em U deslocada. ................ 1105.13 - Medidas de densidade de corrente em função da voltagem medida a 77K. Nacoluna da esquerda utilizou-se dispositivo de área maior e na coluna da direitausou-se o dispositivo de área menor. .................................................................... 1135.14 – Resistência por unidade de área, R□, em função da espessura nominal dabarreira, W, medida em dispositivos P de área 7,07x10 -4 cm 2 e dispositivos G deárea 7,85x10 -3 cm 2 . ............................................................................................... 115
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5.11 – Máscaras <strong>de</strong> aço inox utilizadas na <strong>de</strong>posição <strong>de</strong> Au por feixe <strong>de</strong> elétrons. Amáscara da esquerda é para o topo da mesa, enquanto a da direita <strong>de</strong>stina-se à base.Escala 4:1. ............................................................................................................. 1095.12 – Fotografias dos porta-substrato com as máscaras utilizadas para <strong>de</strong>posição <strong>de</strong> Au.A foto (a) mostra a parte frontal do porta-substrato com a máscara para <strong>de</strong>posiçãono topo da mesa. Em (b) encontra-se a visão anterior do porta-substrato com osistema <strong>de</strong> molas para fixação e a máscara para <strong>de</strong>posição na base da mesa. A foto(c) mostra a visão lateral do aparato com a estrutura em U <strong>de</strong>slocada. ................ 1105.13 - Medidas <strong>de</strong> <strong>de</strong>nsida<strong>de</strong> <strong>de</strong> corrente em função da voltagem medida a 77K. Nacoluna da esquerda utilizou-se dispositivo <strong>de</strong> área maior e na coluna da direitausou-se o dispositivo <strong>de</strong> área menor. .................................................................... 1135.14 – Resistência por unida<strong>de</strong> <strong>de</strong> área, R□, em função da espessura nominal da<strong>barreira</strong>, W, medida em dispositivos P <strong>de</strong> área 7,07x10 -4 cm 2 e dispositivos G <strong>de</strong>área 7,85x10 -3 cm 2 . ............................................................................................... 115
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