Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe

LISTA DE FIGURAS2.1 - (a) Estrutura cristalina do PbTe, representando a estrutura do sal de rocha. (b)Primeira zona de Brillouin do PbTe, mostrando os elipsóides de energia constante,evidenciando o vale longitudinal, paralelo à direção [111], e os três vales oblíquos................................................................................................................................. 362.2 - (a) Diagrama de fase temperatura versus composição para o composto Pb 1-y Te y .Este composto só existe em torno da linha estequiométrica y = 0,5. O diagrama defase em torno da região estequiométrica é mostrado em uma escala expandida nopainel (b). ................................................................................................................ 382.3 - Energia do gap versus a constante de rede para os sais de chumbo e oscalcogenetos de Eu. ................................................................................................ 392.4 - Diagrama de energia para um poço quântico simétrico de PbTe/PbEuTe, onde E gbé a energia do gap da barreira, E g p é a energia do gap do poço, E nn L são astransições de energia do vale longitudinal degenerado e E nn O são as transições deenergia entre o vale oblíquo degenerado. ............................................................... 412.5 - Representação da estrutura de bandas de condução de uma barreira duplasubmetida a tensões V i progressivas. No lado direito está a medida de corrente portensão de tunelamento ressonante indicando os pontos representados no diagramade bandas. ............................................................................................................... 432.6 – Medida de corrente por tensão e condutância por tensão em barreira dupla deGaAs/GaAlAs. FONTE: Chang et al. (1974). ........................................................ 443.1 – Representação de uma célula de Knudsen, ilustrando o ângulo sólido dω e oângulo θ. ................................................................................................................. 483.2 – Simulação da taxa de crescimento para um substrato plano e quadrado a partir docentro da aresta hipotética de 60cm para diferentes materiais. .............................. 493.3 – (a) Representação da câmara de crescimento do sistema MBE. (b) Foto do sistemaMBE RIBER 32P para o crescimento de compostos IV-VI. (c) Diagrama dosistema MBE visto de cima. ................................................................................... 513.4 - Esquematização da geometria de monitoramento com RHEED. ........................... 533.5 - Construção de Ewald ilustrando a imagem vista na tela fluorescente do RHEED. 543.6 – Representação da rede direta FCC (círculos abertos) e sua respectiva rederecíproca (pontos sólidos) para o PbTe no plano (100). a e b são os vetoresprimitivos da rede direta, enquanto os pontos da rede recíproca são gerados porG hk =hA* + kB*. ...................................................................................................... 553.7 – Padrões de RHEED observados na tela fluorescente do sistema MBE, modificadosconforme a estrutura superficial da amostra. FONTE: Springholz (1993). ............ 573.8 - Representação do modo de crescimento camada a camada, mostrando a variaçãoda intensidade RHEED em função do preenchimento das monocamadas. ............ 593.9 - Oscilações de RHEED num filme de PbTe com temperaturas de substrato, célulade PbTe e célula de Te respectivamente de 350, 650 e 280 ºC. FONTE: Anjos et al.(2001). .................................................................................................................... 604.1 – Espectros de transmissão FTIR medidos em amostras de PbTe (gráfico superior) ePbEuTe (gráfico inferior) a 300 K. ......................................................................... 65