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Springholz, G.; Molecular beam epitaxy and in situ reflection high-energy electrondiffraction of IV-VI semiconductor heteroestructures. Linz: Universitätverlag RudolfTrauner, 1993. 286 p.Springholz, G.; Holy, V.; Pinczolits, M.; Bauer, G. Self-organized growth of threedimensionalquantum-dot crystals with fcc-like stacking and a tunable lattice constant.Science. 282, n. , p. 734-737, out. 1998 Disponível em: . Acesso em15 março 2006.Springholz, G.; Ihninger, G.; Bauer, G.; Oliver, M.M.; Pastalan, J.Z.; Romaine S.; Goldberg,B.B. Modulation doping and observation of the integral quantum Hall effect in PbTe/PbEuTemultiquantum wells. Applied Physics Letters, v. 63, n. 21, p. 2908-2910, 1993.Springholz, G.; Schwarzl, T.; Heiss, W.; Bauer, G.; Aigle, M.; Pascher, H.; Vavra, I.Midinfrared surface-emitting PbSe/PbEuTe quantum-dot laser. Applied Physics Letters, v.79, n. 9, p. 1225-1227, 2001.Tsao, J.Y. Materials fundamentals of molecular beam epitaxy. Boston: MA: Academic,1993. 301 p.Ueta, A.Y.; Springholz, G.; Schinagl, F.; Marschner, G.; Bauer, G. Doping studies formolecular beam epitaxy of PbTe and PbEuTe. Thin Solid Films, v. 306, p. 320-325, 1997.Wie, C.R.; Choi, Y.W. Designing resonant tunneling structures for increased peak currentdensity. Applied Physics Letters, v. 58, n. 10, p. 1077-1079, 1991.Wu, H. Z.; Dai, N.; Johnson, M. B.; McCann, P. J.; Shi, Z. S. Unambiguous observation ofsubband transitions from longitudinal valley and oblique valleys in IV–VI multiple quantumwells. Applied Physics Letters, v. 78, p. 2199-2201, 2001.Yuan, S.; Krenn, H.; Springholz, G.; Ueta, A.Y.; Bauer, G.; MacCann, P.J.Magnetoreflectivity of Pb1-xEuxTe epilayers and PbTe/Pb1-xEuxTe multiple quantum wells .Physical Review B. 55, p. 4607-4619, fev. 1997 Disponível em: . Acesso em15 março 2006.Yuan, S.; Springholz, G.; Bauer, G.; Kriechbaum, M. Eletronic and optical properties ofPbTe/PbEuTe multiple-quantum-well structures. Physical Review B, v. 49, n. 8, p. 5476-5489, 1994.Zogg, H.; Alchalabi, K.; Zimim, D.; Kellermann, K. Lead chalcogenide on silicon infraredsensors: focal plane array with 96x128 pixels on active Si-chip. Infrared Physics &Technology. 43, p. 251-255, 2002 Disponível em: . Acessoem 15 junho 2005.124
APÊNDICE AARTIGOS E TRABALHOS APRESENTADOS EM CONGRESSOAnjos, A.M.P.; Abramof, E.; Rappl, P.H.O. Growth and structural characterization ofPbTe/PbEuTe double Barrier. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 1B, 2006.Anjos, A.M.P. dos; Abramof, E.; Rappl, P.H.O.; Ueta, A.Y.; Closs, H. Electrical properties ofBi-doped PbTe layers grown by molecular beam epitaxy on BaF2 substrates. BrazilianJournal of Physics, v. 34, n. 2B, p. 653-655, 2004.Anjos, A.M.P.; Rappl, P.H.O.; Abramof, E.; Ueta, A.Y.; Colss, H.; Boschetti, C.; Motizuke,P.; Bandeira, I.N. Growth and characterization of PbTe/PbEuTe/PbTe single quantum wells.In: NANO’2001. Anais... São José dos Campos: INPE, 2001. v. , p. PQ18.Anjos, A.M.P.; Abramof, E.; Ueta, A.Y.; Colss, H.; Boschetti, C.; Motizuke, P.; Bandeira, I.N.RHEED intensity oscilations and high-resolution x-ray diffrection studies of IV-VIcompounds grown on BaF2(111) by MBE. In: XXII CBRAVIC. Anais... Guaratinguetá:UNESP, 2001. v. , p. 108.125
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