Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe
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O gráfico da Figura 5.14 mostra as resistências medidas nos dois tamanhos de dispositivos P eG em função dos valores de espessura nominal das barreiras. Verificou-se a tendência a umcomportamento oscilatório nos valores de R□ com o aumento da espessura da barreira.Portanto, a variação da espessura das barreiras, a partir da análise do gráfico da Figura 5.14,não influenciaram significativamente as medidas IxV.116
CAPÍTULO 6CONSIDERAÇÕES FINAISEste trabalho apresentou o crescimento por epitaxia de feixe molecular de estruturas debarreira dupla de PbTe/Pb 0,95 Eu 0,05 Te, os processos para formação da estrutura mesa e asmedidas da característica IxV do dispositivo. A estrutura de BD proposta é constituídaseqüencialmente de uma camada buffer espessa de PbTe tipo-n + , crescida sobre substrato de(111) BaF 2 , um espaçador de PbTe tipo-n , a primeira barreira de Pb 1-x Eu x Te, o poço de PbTen,a segunda barreira de Pb 1-x Eu x Te, o segundo espaçador de PbTe-n, e por último, a camadade cobertura de PbTe-n + . Para determinar os parâmetros ótimos do crescimento MBE de cadacamada da estrutura, filmes de referência foram inicialmente crescidos e caracterizadoseletricamente, através de medidas de resistividade e efeito Hall. Todos os crescimentos foramrealizados a uma temperatura de substrato de 300 o C.Primeiramente, as propriedades elétricas das camadas de PbTe foram controladas pelo desvioestequiométrico ajustando-se o fluxo adicional de Te. Para a carga sólida rica em metal,Pb 0,505 Te 0,495 , e a temperatura de crescimento em 300 o C, a transição do caráter n para pocorreu abruptamente para a razão entre os fluxos de Te sobre PbTe igual a 0,019. Os maioresvalores de mobilidade Hall, considerada como o critério de escolha para a melhor camada dePbTe-n, foram obtidos bem próximos à região de transição. Esta camada, adequada para osespaçadores e o poço na estrutura de BD apresentou valores de n = 1x10 17 cm -3 , ρ = 4x10 -3Ω cm e µ = 1,5x10 4 cm 2 /Vs.Com o objetivo de se obter camadas com maiores concentrações de elétrons, um estudo sobrea dopagem de PbTe com Bi foi realizado. Variando-se a temperatura da célula de Bi 2 Te 3 entre360 e 450°C, filmes de PbTe com valores de n entre 1x10 17 e 4x10 19 cm -3 foram obtidos. Ocomportamento exponencial da curva de n versus temperatura da célula de Bi 2 Te 3 mostra a117
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O gráfico da Figura 5.14 mostra as resistências medidas nos dois tamanhos <strong>de</strong> dispositivos P eG em função dos valores <strong>de</strong> espessura nominal das <strong>barreira</strong>s. Verificou-se a tendência a umcomportamento oscilatório nos valores <strong>de</strong> R□ com o aumento da espessura da <strong>barreira</strong>.Portanto, a variação da espessura das <strong>barreira</strong>s, a partir da análise do gráfico da Figura 5.14,não influenciaram significativamente as medidas IxV.116
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