Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe

A Figura 5.13 apresenta as medidas de densidade de corrente em função da voltagem,realizadas nas amostras BD4049P e G, BD4050P e G e BD4051P e G. Nestas medições,aplicou-se voltagem variando entre -1,0 V a 1,0 V. O passo de aquisição dos dados foi de0,1V, com intervalo de 1s entre cada tomada. Cada ponto adquirido corresponde à média detrês leituras. As características encontradas nas curvas da Figura 5.13 representam de formageral as demais amostras, ou seja, o comportamento ôhmico das medidas. Este fato indica queos graus de dopagem de PbTe com Bi, aplicados na fabricação das estruturas de BD, foramsatisfatórios.Efeitos de tunelamento ressonante não foram observados em nenhuma das medidas realizadas.A primeira e segunda derivadas das curvas de IxV mostraram características que variavamaleatoriamente entre si, descartando a possibilidade de ocorrência de efeitos de tunelamentoainda que sutis.A principal hipótese levantada para a não verificação do efeito de tunelamento ressonante foi aexistência de uma corrente de fuga pelas bordas da estrutura mesa. Uma forma de verificar aexistência de corrente de fuga é determinar a resistência por unidade de área em dispositivoscom diferentes tamanhos de topo da estrutura mesa. Para isso, curvas IxV foram comparadas apartir de medições em oito diferentes dispositivos da amostra BD4019, sendo quatro de áreapequena e quatro de área grande. A partir do ajuste linear às curvas IxV, extraiu-se o valor dasresistências por unidade de área R□, para cada dispositivo. Encontram-se relatados na Tabela5.5 os valores de R□, o valor médio e o desvio padrão dos quatro dispositivos P e G, sendoque cada um deles é numerado de 1 a 4.114