Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe

célula de efusão. Note que a diferença relativa se aproxima de zero para espessuras maioresque 20 nm. Um valor médio de 2,7 ± 0,3 Å/s para a taxa de crescimento do PbTe foi obtido apartir dos resultados da difração de raios X, em concordância com o valor estimado pela taxade crescimento entre 2,0 e 2,5 Å/s. Os principais resultados do crescimento e caracterizaçãodas amostras de BD estão publicadas no artigo Anjos et al. (2006) que se encontra noApêndice A.5.3 Fabricação e caracterização elétrica do dispositivoAté aqui amostras de BD foram construídas com sucesso por MBE sobre BaF 2 . A qualidadedas interfaces das estrutura foi constatada por difratometria de raios X de alta resolução. Apartir deste ponto, as amostras de BD foram processadas formando dispositivos de BD, demodo que suas características de transporte elétrico fossem analisadas. Os tópicos seguintestratam detalhadamente do processamento e da caracterização elétricas dos dispositivos de BDde PbTe/Pb 0,95 Eu 0,5 Te.5.3.1 Processamento da estrutura mesaCom o objetivo de medir a corrente por tensão, as amostras de BD de PbTe/PbEuTe foramprocessadas para a formação de estruturas mesa. Tais estruturas são correntemente utilizadaspara medidas de tunelamento em estruturas de barreira dupla (REUSCHER et al., 1996, HANet al., 2000). A estrutura mesa a ser fabricada é mostrada esquematicamente na Figura 5.10.O processo de fabricação da estrutura mesa constitui-se dos seguintes passos: (1) deposição dediscos de Au na camada cobertura de PbTe-n + que servirão tanto para máscara durante oataque químico como para contato elétrico no topo da mesa; (2) ataque químico para delinear aestrutura mesa; (3) deposição dos contatos de Au na base da mesa, camada buffer de PbTe-n + ;(4) soldagem dos fios de Au com In nos respectivos contatos; e (5) montagem do dispositivono suporte para caracterização elétrica.108