Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe
Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe ... - mtc-m17:80 - Inpe
TABELA 5.4 – Parâmetros das camadas individuais da estrutura de BD de PbTe/PbEuTe: espessura nominal, Wtx, estimada pela taxade crescimento e respectivo tempo de abertura dos obturadores das células de efusão; espessura, Wrx, e constante derede, a, determinadas pela simulação do espectro de difração de raios X.AMOSTRASDEREFERÊNCIAPbTe-n +4018PbTe-n4016PbEuTe4014PbTe-n +4094PbTe-n4093PbEuTe4096AMOSTRASDEBDt(h)BUFFER ESPAÇADORES BARREIRA POÇO COBERTURAWtx a PbTe t Wtx Wrx t Wtx Wrx a PbEuTe t Wtx Wrx t Wtx Wrx(μm) (Å) (s) (Å) (Å) (s) (Å) (Å) (Å) (s) (Å) (Å) (s) (Å) (Å)BD4019 4,0 2,8 6,4603 60 120 162 15 30 43 6,4743 25 50 67 180 360 486BD4049 4,0 2,8 6,4603 60 120 126 15 30 33 6,4753 25 50 53 180 360 378BD4050 4,0 2,8 6,4600 60 120 144 18 36 45 6,4741 25 50 60 180 360 432BD4051 4,0 2,8 6,4598 60 120 162 12 24 34 6,4739 25 50 67 180 360 486BD4098 3,5 3,1 6,4600 48 120 138 400 1000 964 6,4734 20 50 57 144 360 414BD4099 3,5 3,1 6,4607 48 120 144 200 500 502 6,4735 20 50 60 144 360 432BD4100 3,5 3,1 6,4608 48 120 138 100 250 242 6,4750 20 50 57 144 360 414BD4102 3,5 3,1 -- 48 120 -- 50 125 -- -- 20 50 -- 144 360 --BD4103 3,5 3,1 -- 48 120 -- 25 62,5 -- -- 20 50 -- 144 360 --BD4104 3,5 3,1 -- 48 120 -- 10 25 -- -- 20 50 -- 144 360 --100
A estrutura de barreira dupla de PbTe/PbEuTe foi construída segundo o diagrama mostrado naFigura 5.1. A espessura de cada camada que compõe o filme é conseqüência do tempo deabertura dos obturadores das células de efusão. O tempo de abertura dos obturadores édeterminado a partir da taxa de crescimento, segundo os parâmetros de fabricação adotados. Apartir dos dados extraídos da construção das amostras de referência, determinou-se uma taxade crescimento média de 2,0 Å/s, referente às amostras BD4019 - BD4051 e 2,5 Å/s para asamostras BD4098 - BD4104. A partir destas taxas, determinaram-se os tempos de abertura dosobturadores para cada célula, conforme os valores relatados na Tabela 5.4. Os tempos deabertura dos obturadores foram inseridos no programa Visual Basic, que controla o sistema decrescimento MBE, cada qual associado às células utilizadas no crescimento da camadaespecífica. Optou-se por utilizar o programa após a construção da camada Buffer de PbTe-n + ,já que esta não necessita da mesma precisão e agilidade no controle dos obturadores.Determinados os tempos de abertura dos obturadores das células de efusão, iniciaram–se osprocedimentos de fabricação. O tratamento térmico do substrato antes da deposição seguiu osmesmos procedimentos descritos na seção 5.1. Em cada crescimento foram utilizados doissubstratos dispostos simetricamente sobre o porta amostras de nióbio, de forma que sejamformados dois filmes gêmeos. As temperaturas das células e seus respectivos fluxos podem serverificadas na Tabela 5.3. A metodologia adotada no crescimento das estruturas de barreiradupla, a partir do ponto em que o substrato encontra-se dentro da câmara de crescimento,seguiu o seguinte procedimento:(1) Aquecimento das células de PbTe, Te(1) e Bi 2 Te 3 até as respectivas temperaturas paracrescimento da camada buffer;(2) Espera de aproximadamente 15 min para estabilização da temperatura das células, depoisde atingidas as temperaturas ajustadas;103
- Page 51 and 52: Jsub≡dΓdSΓθ ef 2,= =2π ⋅γ6
- Page 53 and 54: (a)(b)(c)FIGURA 3.3 - (a) Represent
- Page 55 and 56: fatores são observados em substrat
- Page 57 and 58: A partir da Figura 3.5, percebe-se
- Page 59 and 60: de elétrons passa a ser predominan
- Page 61 and 62: 3.3.3 Oscilações RHEEDA intensida
- Page 63: A fórmula que relaciona a distânc
- Page 66 and 67: A espessura W do filme é determina
- Page 68 and 69: 4.2 Efeito HallNeste trabalho, as p
- Page 70 and 71: O coeficiente Hall R H é definido
- Page 72 and 73: onde,RR2Q = (4.14)4A determinação
- Page 74 and 75: FIGURA 4.5 - Sistema de medição d
- Page 76 and 77: A lei de difração de Bragg na for
- Page 78 and 79: difração de raios X foram simulad
- Page 80 and 81: computador, a partir de programa de
- Page 82 and 83: A diferença entre as resistências
- Page 84 and 85: amostras de barreira dupla de CdTe/
- Page 86 and 87: nucleação tridimensional sobre o
- Page 88 and 89: elétricas de resistividade e efeit
- Page 90 and 91: n ou p (cm -3 )3x10 17 0,00 0,01 0,
- Page 92 and 93: TABELA 5.2 - Dados das camadas de r
- Page 94 and 95: n (cm -3 )10 19 10 10010 1876977077
- Page 96 and 97: espalhamento de portadores começam
- Page 98 and 99: de 2,2, encontrada na fabricação
- Page 100 and 101: Considerando o parâmetro de rede d
- Page 104 and 105: (3) Medição dos respectivos BEP
- Page 106: 10 4 PbTe - n +BD4019bufferW barrei
- Page 110 and 111: célula de efusão. Note que a dife
- Page 112 and 113: As máscaras utilizadas para deposi
- Page 114 and 115: Au são soldados aos terminais do c
- Page 116 and 117: A Figura 5.13 apresenta as medidas
- Page 118 and 119: O gráfico da Figura 5.14 mostra as
- Page 120 and 121: efetiva incorporação dos átomos
- Page 122 and 123: áreas de mesa diferentes. Discrep
- Page 124 and 125: Dunstan, D.J.; Young, S.; Dixon, R.
- Page 126 and 127: Springholz, G.; Molecular beam epit
A estrutura <strong>de</strong> <strong>barreira</strong> <strong>dupla</strong> <strong>de</strong> <strong>PbTe</strong>/<strong>PbEuTe</strong> foi construída segundo o diagrama mostrado naFigura 5.1. A espessura <strong>de</strong> cada camada que compõe o filme é conseqüência do tempo <strong>de</strong>abertura dos obturadores das células <strong>de</strong> efusão. O tempo <strong>de</strong> abertura dos obturadores é<strong>de</strong>terminado a partir da taxa <strong>de</strong> crescimento, segundo os parâmetros <strong>de</strong> fabricação adotados. Apartir dos dados extraídos da construção das amostras <strong>de</strong> referência, <strong>de</strong>terminou-se uma taxa<strong>de</strong> crescimento média <strong>de</strong> 2,0 Å/s, referente às amostras BD4019 - BD4051 e 2,5 Å/s para asamostras BD4098 - BD4104. A partir <strong>de</strong>stas taxas, <strong>de</strong>terminaram-se os tempos <strong>de</strong> abertura dosobturadores para cada célula, conforme os valores relatados na Tabela 5.4. Os tempos <strong>de</strong>abertura dos obturadores foram inseridos no programa Visual Basic, que controla o sistema <strong>de</strong>crescimento MBE, cada qual associado às células utilizadas no crescimento da camadaespecífica. Optou-se por utilizar o programa após a construção da camada Buffer <strong>de</strong> <strong>PbTe</strong>-n + ,já que esta não necessita da mesma precisão e agilida<strong>de</strong> no controle dos obturadores.Determinados os tempos <strong>de</strong> abertura dos obturadores das células <strong>de</strong> efusão, iniciaram–se osprocedimentos <strong>de</strong> fabricação. O tratamento térmico do substrato antes da <strong>de</strong>posição seguiu osmesmos procedimentos <strong>de</strong>scritos na seção 5.1. Em cada crescimento foram utilizados doissubstratos dispostos simetricamente sobre o porta amostras <strong>de</strong> nióbio, <strong>de</strong> forma que sejamformados dois filmes gêmeos. As temperaturas das células e seus respectivos fluxos po<strong>de</strong>m serverificadas na Tabela 5.3. A metodologia adotada no crescimento das estruturas <strong>de</strong> <strong>barreira</strong><strong>dupla</strong>, a partir do ponto em que o substrato encontra-se <strong>de</strong>ntro da câmara <strong>de</strong> crescimento,seguiu o seguinte procedimento:(1) Aquecimento das células <strong>de</strong> <strong>PbTe</strong>, Te(1) e Bi 2 Te 3 até as respectivas temperaturas paracrescimento da camada buffer;(2) Espera <strong>de</strong> aproximadamente 15 min para estabilização da temperatura das células, <strong>de</strong>pois<strong>de</strong> atingidas as temperaturas ajustadas;103