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TABELA 5.4 – Parâmetros das camadas individuais da estrutura de BD de PbTe/PbEuTe: espessura nominal, Wtx, estimada pela taxade crescimento e respectivo tempo de abertura dos obturadores das células de efusão; espessura, Wrx, e constante derede, a, determinadas pela simulação do espectro de difração de raios X.AMOSTRASDEREFERÊNCIAPbTe-n +4018PbTe-n4016PbEuTe4014PbTe-n +4094PbTe-n4093PbEuTe4096AMOSTRASDEBDt(h)BUFFER ESPAÇADORES BARREIRA POÇO COBERTURAWtx a PbTe t Wtx Wrx t Wtx Wrx a PbEuTe t Wtx Wrx t Wtx Wrx(μm) (Å) (s) (Å) (Å) (s) (Å) (Å) (Å) (s) (Å) (Å) (s) (Å) (Å)BD4019 4,0 2,8 6,4603 60 120 162 15 30 43 6,4743 25 50 67 180 360 486BD4049 4,0 2,8 6,4603 60 120 126 15 30 33 6,4753 25 50 53 180 360 378BD4050 4,0 2,8 6,4600 60 120 144 18 36 45 6,4741 25 50 60 180 360 432BD4051 4,0 2,8 6,4598 60 120 162 12 24 34 6,4739 25 50 67 180 360 486BD4098 3,5 3,1 6,4600 48 120 138 400 1000 964 6,4734 20 50 57 144 360 414BD4099 3,5 3,1 6,4607 48 120 144 200 500 502 6,4735 20 50 60 144 360 432BD4100 3,5 3,1 6,4608 48 120 138 100 250 242 6,4750 20 50 57 144 360 414BD4102 3,5 3,1 -- 48 120 -- 50 125 -- -- 20 50 -- 144 360 --BD4103 3,5 3,1 -- 48 120 -- 25 62,5 -- -- 20 50 -- 144 360 --BD4104 3,5 3,1 -- 48 120 -- 10 25 -- -- 20 50 -- 144 360 --100
A estrutura de barreira dupla de PbTe/PbEuTe foi construída segundo o diagrama mostrado naFigura 5.1. A espessura de cada camada que compõe o filme é conseqüência do tempo deabertura dos obturadores das células de efusão. O tempo de abertura dos obturadores édeterminado a partir da taxa de crescimento, segundo os parâmetros de fabricação adotados. Apartir dos dados extraídos da construção das amostras de referência, determinou-se uma taxade crescimento média de 2,0 Å/s, referente às amostras BD4019 - BD4051 e 2,5 Å/s para asamostras BD4098 - BD4104. A partir destas taxas, determinaram-se os tempos de abertura dosobturadores para cada célula, conforme os valores relatados na Tabela 5.4. Os tempos deabertura dos obturadores foram inseridos no programa Visual Basic, que controla o sistema decrescimento MBE, cada qual associado às células utilizadas no crescimento da camadaespecífica. Optou-se por utilizar o programa após a construção da camada Buffer de PbTe-n + ,já que esta não necessita da mesma precisão e agilidade no controle dos obturadores.Determinados os tempos de abertura dos obturadores das células de efusão, iniciaram–se osprocedimentos de fabricação. O tratamento térmico do substrato antes da deposição seguiu osmesmos procedimentos descritos na seção 5.1. Em cada crescimento foram utilizados doissubstratos dispostos simetricamente sobre o porta amostras de nióbio, de forma que sejamformados dois filmes gêmeos. As temperaturas das células e seus respectivos fluxos podem serverificadas na Tabela 5.3. A metodologia adotada no crescimento das estruturas de barreiradupla, a partir do ponto em que o substrato encontra-se dentro da câmara de crescimento,seguiu o seguinte procedimento:(1) Aquecimento das células de PbTe, Te(1) e Bi 2 Te 3 até as respectivas temperaturas paracrescimento da camada buffer;(2) Espera de aproximadamente 15 min para estabilização da temperatura das células, depoisde atingidas as temperaturas ajustadas;103
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