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PEN<br />
PE<br />
N<br />
R T<br />
SPD SPD SPD<br />
Figura 24: conexão do “Tipo A”: DPS entre condutores ativos e o PEN<br />
Em relação ao quadro secundário, um sistema TN-C po<strong>de</strong> tornar-se um TN-S, e, como dispositivos<br />
<strong>de</strong> proteção contra contacto indireto, é possível usar disjuntores diferenciais (RCD), como mostra<br />
a Figura 25.<br />
Quadro principal<br />
Quadro secundário<br />
RCD<br />
PEN<br />
PE<br />
PE<br />
LPS<br />
Main EBB Local EBB Local EBB Local EBB<br />
7P.13 7P.25 7P.22 7P.32<br />
Figura 25: conexão do “Tipo A” e coor<strong>de</strong>nação <strong>de</strong> energia realizada com o DPS da Fin<strong>de</strong>r<br />
No quadro principal, <strong>de</strong>pois dos dispositivos <strong>de</strong> corrente máxima, é instalado um DPS Tipo 1;<br />
no quadro secundário, antes do disjuntor diferencial, um DPS Tipo 2, que será do tipo “4+0”,<br />
equipado com 4 varistores.<br />
Depois do disjuntor diferencial, po<strong>de</strong>m ser usados o DPSs <strong>de</strong> Classe II na configuração 1+1.<br />
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