Parque de estacionamento automatizado
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LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH<br />
Grenzwerte<br />
Maximum Ratings<br />
Bezeichnung<br />
Parameter<br />
Betriebs- und Lagertemperatur<br />
Operating and storage temperature range<br />
Sperrspannung<br />
Reverse voltage<br />
Durchlaßstrom<br />
Forward current<br />
Stoßstrom, t p = 10 μs, D = 0<br />
Surge current<br />
Verlustleistung<br />
Power dissipation<br />
Wärmewi<strong>de</strong>rstand<br />
Thermal resistance<br />
Symbol<br />
Symbol<br />
Wert<br />
Value<br />
T op ; T stg – 40 … + 100 °C<br />
V R 5 V<br />
I F 130 mA<br />
I FSM 3.5 A<br />
Einheit<br />
Unit<br />
P tot 220 mW<br />
R thJA 330 K/W<br />
Kennwerte (T A = 25 °C)<br />
Characteristics<br />
Bezeichnung<br />
Parameter<br />
Wellenlänge <strong>de</strong>r Strahlung<br />
Wavelength at peak emission<br />
I F = 100 mA, t p = 20 ms<br />
Spektrale Bandbreite bei 50% von I max<br />
Spectral bandwidth at 50% of I max<br />
I F = 100 mA<br />
Abstrahlwinkel<br />
Half angle<br />
Aktive Chipfläche<br />
Active chip area<br />
Abmessungen <strong>de</strong>r aktiven Chipfläche<br />
Dimensions of the active chip area<br />
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel<br />
Distance chip front to lens top<br />
Schaltzeiten, I e von 10% auf 90% und von 90%<br />
auf 10%, bei I F = 100 mA, R L = 50 Ω<br />
Switching times, I e from 10% to 90% and from<br />
90% to 10%, I F = 100 mA, R L = 50 Ω<br />
Symbol<br />
Symbol<br />
Wert<br />
Value<br />
λ peak 950 nm<br />
Δλ 55 nm<br />
Einheit<br />
Unit<br />
ϕ ± 25 Grad<br />
<strong>de</strong>g.<br />
A 0.25 mm 2<br />
L × B<br />
L × W<br />
0.5 × 0.5 mm²<br />
H 4.0 … 4.6 mm<br />
t r , t f 1 μs<br />
2007-04-04 2
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