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Dynamic Voltage Scaling Dissertação para obtenção do Grau de ...

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3. Sensor Global<br />

Os intervalos <strong>de</strong> tempo atribuí<strong>do</strong>s a cada submo<strong>do</strong> são basea<strong>do</strong>s na premissa <strong>de</strong> que após o<br />

perío<strong>do</strong> correspon<strong>de</strong>nte a 1 ciclo <strong>de</strong> relógio toda a lógica num circuito digital <strong>de</strong>verá estar<br />

estabilizada <strong>para</strong> não ocorrerem erros. Por esta razão a captura ocorre 1 ciclo <strong>de</strong> relógio após a<br />

propagação <strong>do</strong> impulso edge e é atribuí<strong>do</strong> 1 ciclo <strong>de</strong> relógio mais uma margem <strong>de</strong> meio perío<strong>do</strong> na<br />

inicialização <strong>de</strong> forma a garantir que a ca<strong>de</strong>ia se encontra estável mesmo quan<strong>do</strong> o circuito tem um<br />

comportamento <strong>de</strong>masia<strong>do</strong> lento.<br />

3.2.4 Implementação Prática<br />

Uma utilização posterior da informação <strong>do</strong> Sensor Global <strong>para</strong> optimização da tensão <strong>de</strong><br />

alimentação requer a calibração prévia <strong>do</strong> sensor. Esta calibração visa <strong>de</strong>terminar quantas portas<br />

NOR são necessárias <strong>para</strong> igualar o atraso <strong>do</strong> caminho crítico a vigiar mais uma margem <strong>de</strong><br />

segurança. Uma vez <strong>de</strong>terminada a calibração, esta <strong>de</strong>verá servir <strong>para</strong> to<strong>do</strong>s os chips <strong>de</strong> um mesmo<br />

circuito. As variações no processo <strong>de</strong> fabrico <strong>de</strong>verão ser compensadas automaticamente <strong>de</strong>vi<strong>do</strong> ao<br />

aumento ou diminuição no <strong>de</strong>sempenho. De forma genérica, o princípio e topologia <strong>do</strong> sensor não<br />

<strong>de</strong>pen<strong>de</strong>m <strong>do</strong> circuito a monitorizar, da frequência <strong>de</strong> relógio, nem da tecnologia em que está<br />

implementa<strong>do</strong>. No entanto a sua implementação vai <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>r <strong>de</strong> caso <strong>para</strong> caso. Em particular, o<br />

número <strong>de</strong> portas lógicas utilizadas <strong>para</strong> representar o circuito réplica irá <strong>de</strong>pen<strong>de</strong>r da dimensão <strong>do</strong><br />

caminho crítico, bem como da tecnologia <strong>de</strong> fabrico.<br />

Com o objectivo <strong>de</strong> caracterizar o atraso gera<strong>do</strong> pela porta NOR foram efectuadas simulações<br />

em tecnologia TSMC 65nm. Estas simulações mostram a <strong>de</strong>pendência <strong>do</strong> atraso da porta NOR <strong>para</strong><br />

diferentes tensões <strong>de</strong> alimentação e diferentes temperaturas. Os resulta<strong>do</strong>s obti<strong>do</strong>s dizem respeito a<br />

simulações ao nível <strong>do</strong> esquema eléctrico realizadas com dispositivos cujas dimensões se<br />

apresentam na Tabela 3.1 e correspon<strong>de</strong>m à porta NOR padrão.<br />

Transístor W (nm) L (nm)<br />

P1, P2 460 80<br />

N1, N2 170 80<br />

Tabela 3.1 – Dimensão <strong>do</strong>s transístores PMOS e NMOS utiliza<strong>do</strong>s <strong>para</strong> simular o atraso da porta NOR<br />

Na Figura 3.7 é apresenta<strong>do</strong> o gráfico da variação no atraso da porta NOR com a tensão <strong>de</strong><br />

alimentação <strong>para</strong> três cenários diferentes. O caso típico correspon<strong>de</strong> à operação à temperatura<br />

ambiente (25ºC), no pior caso à temperatura <strong>de</strong> 125ºC e no melhor caso à temperatura <strong>de</strong> -40ºC.<br />

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