Transistor como detetor de luz ("Fotoscópio") - Unicamp

de elétrons. Este processo continua enquanto existir uma diferença de potencial através
da junção. Apesar de ambos os tipos p e n serem eletricamente neutros, o tipo n tem
uma concentração de elétrons maior que o tipo p. Para tentar equalizar a concentração
de elétrons, estes se difundem do tipo n para o tipo p . O campo elétrico, assim,
incentiva elétrons a voltar para o tipo n. Eventualmente, um estado é atingido no qual as
duas forças são balanceadas e a concentração de elétrons varia de forma harmoniosa na
junção.
A região localizada imediatamente ao lado de qualquer junção é conhecida como
região de depleção porque ali há poucos portadores de carga (elétrons ou buracos). A
carga elétrica desta região é dada apenas pela carga das impurezas que foram ionizadas
por ação do campo elétrico na região da interface.
Figura 11 a) e 11 b)
Na figura 11 a) junção p-n, onde Eg representa o gap de energias proibidas,
EC;V são o fundo da banda de condução e o topo da de valência, respectivamente e E
representa o campo elétrico na junção¸ (b) corrente em uma junção p-n sem e com
iluminação: IS é a corrente de saturação e IL é a corrente foto-gerada, ICC é a corrente
de curto circuito (V = 0), VCA é a voltagem em circuito aberto (I = 0). A curva
característica de uma célula solar sob iluminação permite determinar a potência máxima
fornecida, a qual é representada pela área hachurada. Im e Vm são as voltagem e
corrente máximas que podem ser fornecidas para uma dada potência de iluminação.
O foto diodo polarizado externamente apresenta características de corrente
voltagem de uma junção p-n, seguindo a expressão a seguir (1)
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